特開 2015-121729 液晶表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2015-121729(P2015-121729A)

(43)【公開日】2015年7月2日

(54)【発明の名称】液晶表示装置

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1368 20060101AFI20150605BHJP

   G02F 1/1343 20060101ALI20150605BHJP

【ＦＩ】

   G02F1/1368

   G02F1/1343

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】12

(21)【出願番号】特願2013-266433(P2013-266433)

(22)【出願日】2013年12月25日

(71)【出願人】

【識別番号】506087819

【氏名又は名称】パナソニック液晶ディスプレイ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】特許業務法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】矢吹 弘幸

(72)【発明者】

【氏名】中山 智博

【テーマコード（参考）】

2H092

2H192

【Ｆターム（参考）】

2H092GA32

2H092GA35

2H092JA24

2H092JB22

2H092JB31

2H092JB69

2H192AA24

2H192CC14

2H192CC54

2H192DA13

2H192EA72

2H192FA32

2H192FA35

2H192FA39

2H192FA46

(57)【要約】

【課題】共通電位の給電能力がより高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置において、ＴＦＴ基板１０のＧＡＬ層１００はゲート信号線１１０を有し、ＳＤＬ層２００はデータ信号線２１０を有し、ＣＭＴ層３００は、共通信号線３１０と、共通信号バスライン３２０と、を有し、共通信号バスライン３２０は、ＴＦＴ基板１０の一辺に配置される複数の共通電位供給端子１２のうち両端に位置する共通電位供給端子１２の一方と接続され、かつ１以上のデータ信号線２１０と重畳して交差するように、両端の共通電位供給端子１２より内側の共通電位供給端子１２と接続される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の薄膜トランジスタにより電位が制御される複数の画素電極と、前記複数の薄膜トランジスタに供給されるデータ信号が入力される複数のデータ信号供給端子と、前記複数のデータ信号供給端子の少なくとも１つを介して隣接し、共通電位が入力される複数の共通電位供給端子と、前記複数の共通電位供給端子から前記共通電位が供給される共通電極と、が設けられるＴＦＴ基板を有する液晶表示装置であって、
前記ＴＦＴ基板は、
第１配線層と、
前記第１配線層の上に第１絶縁層を介して形成される第２配線層と、
前記第２配線層の上に第２絶縁層を介して形成される第３配線層と、を有し、
前記ＴＦＴ基板の表面は、前記複数の画素電極が形成される表示領域と、前記表示領域を囲み、前記複数の共通電位供給端子が設けられる非表示領域と、を含み、
前記第１配線層、前記第２配線層、および前記第３配線層のいずれかの配線層は、
前記複数の薄膜トランジスタにゲート信号を供給する複数のゲート信号線を有し、
前記複数のゲート信号線を有する配線層と異なる配線層は、
前記複数の薄膜トランジスタにデータ信号を供給する複数のデータ信号線を有し、
前記複数のゲート信号線を有する配線層および前記複数のデータ信号線を有する配線層と異なる配線層は、
前記共通電極に前記共通電位を供給する複数の共通信号線と、前記複数の共通信号線のうち少なくとも２つの共通信号線の端部を接続する共通信号バスラインと、を有し、
前記共通信号バスラインは、前記ＴＦＴ基板の一辺に配置される複数の共通電位供給端子のうち両端に位置する共通電位供給端子の一方と接続され、かつ１以上の前記データ信号線と重畳して交差するように、前記両端の共通電位供給端子より内側の共通電位供給端子と接続されることを特徴とする液晶表示装置。

【請求項2】

請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記第１配線層は前記複数のゲート信号線を有し、
前記第２配線層は前記複数のデータ信号線を有し、
前記第３配線層は前記複数の共通信号線および前記共通信号バスラインを有することを特徴とする液晶表示装置。

【請求項3】

請求項１に記載の液晶表示装置であって、
前記複数のデータ信号線を有する配線層は、少なくとも１つの前記共通信号線に接続し、かつ、前記両端に位置する共通電位供給端子の他方と接続される共通電位バスラインを有することを特徴とする液晶表示装置。

【請求項4】

請求項１に記載の液晶表示装置であって、
前記複数の共通電位供給端子は、前記ＴＦＴ基板の１つの長辺に配置されることを特徴とする液晶表示装置。

【請求項5】

請求項１に記載の液晶表示装置であって、
前記複数の共通電位供給端子は、前記ＴＦＴ基板の、互いに対向する２つの長辺に配置されることを特徴とする液晶表示装置。

【請求項6】

請求項１に記載の液晶表示装置であって、
前記複数の共通信号線の少なくとも１つが、前記複数のデータ信号線の１つと、少なくとも一部において重畳するように配置されることを特徴とする液晶表示装置。

【請求項7】

請求項１に記載の液晶表示装置であって、
前記複数の共通電位供給端子の少なくとも１つは、前記複数のゲート信号線を有する配線層に形成される共通電位入力部と直接接続され、前記共通電位入力部は、前記共通信号バスラインと接続されることを特徴とする液晶表示装置。

【請求項8】

請求項３に記載の液晶表示装置であって、
前記複数の共通電位供給端子の少なくとも１つは、前記複数のゲート信号線を有する配線層に形成される共通電位入力部と直接接続され、
前記共通電位入力部は、導電体からなる層間接続部を介して互いに接続される前記共通信号バスラインと前記共通電位バスラインとの少なくとも一方と接続されることを特徴とする液晶表示装置。

【請求項9】

請求項１に記載の液晶表示装置であって、
前記複数の共通電位供給端子の少なくとも１つは、前記複数のデータ信号線を有する配線層に形成される共通電位入力部と直接接続され、
前記共通電位入力部は、前記共通信号バスラインと接続されることを特徴とする液晶表示装置。

【請求項10】

請求項３に記載の液晶表示装置であって、
前記複数の共通電位供給端子の少なくとも１つは、前記複数のデータ信号線を有する配線層に形成される共通電位入力部と直接接続され、
前記共通電位入力部は、導電体からなる層間接続部を介して互いに接続される前記共通信号バスラインと前記共通電位バスラインとの少なくとも一方と接続されることを特徴とする液晶表示装置。

【請求項11】

請求項８または１０に記載の液晶表示装置において、
前記層間接続部は、それぞれが透明電極材料からなる、
前記第３配線層の上に第３絶縁層を介して形成される平面状の接続部と、
前記第３絶縁層を貫通して前記接続部および前記共通信号バスラインに接続される第１貫通部と、
前記第３絶縁層、前記第３配線層、および前記第２絶縁層を貫通して前記接続部および前記共通電位バスラインと接続される第２貫通部と、
を有することを特徴とする液晶表示装置。

【請求項12】

請求項１１に記載の液晶表示装置において、
前記複数の層間接続部の前記第１貫通部は、それぞれ、前記共通信号バスラインの、前記複数の共通信号線の端部と隣接する部分に接続されることを特徴とする液晶表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、液晶表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

液晶表示装置は、薄膜トランジスタにより電位が制御される画素電極、共通信号により共通電位が制御される共通電極、および画素電極と共通電極との間の電界が印加される液晶層を有する。液晶表示装置では、画素電極の電位を制御することで液晶層に印加される電界を変化させて液晶層におけるバックライトの光の透過／非透過を制御し、その表示面に画像を表示させる。

【0003】

特許文献１には、共通信号が伝播する共通電極幹配線に分岐配線が設けられ、該分岐配線の端部に分岐端子が形成される構成を有するアクティブマトリクス表示装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開平３−６４７３５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

画面サイズの大型化又は高精細化に伴い、共通電位の給電能力の向上がますます要求される。

【0006】

本発明は、上述の課題を鑑みてなされたものであり、共通電位の給電能力がより高い液晶表示装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記課題を解決するため、本願発明に係る液晶表示装置は、複数の薄膜トランジスタにより電位が制御される複数の画素電極と、前記複数の薄膜トランジスタに供給されるデータ信号が入力される複数のデータ信号供給端子と、前記複数のデータ信号供給端子の少なくとも１つを介して隣接し、共通電位が入力される複数の共通電位供給端子と、前記複数の共通電位供給端子から前記共通電位が供給される共通電極と、が設けられるＴＦＴ基板を有する液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ基板は、第１配線層と、前記第１配線層の上に第１絶縁層を介して形成される第２配線層と、前記第２配線層の上に第２絶縁層を介して形成される第３配線層と、を有し、前記ＴＦＴ基板の表面は、前記複数の画素電極が形成される表示領域と、前記表示領域を囲み、前記複数の共通電位供給端子が設けられる非表示領域と、を含み、前記第１配線層、前記第２配線層、および前記第３配線層のいずれかの配線層は、前記複数の薄膜トランジスタにゲート信号を供給する複数のゲート信号線を有し、前記複数のゲート信号線を有する配線層と異なる配線層は、前記複数の薄膜トランジスタにデータ信号を供給する複数のデータ信号線を有し、前記複数のゲート信号線を有する配線層および前記複数のデータ信号線を有する配線層と異なる配線層は、前記共通電極に前記共通電位を供給する複数の共通信号線と、前記複数の共通信号線のうち少なくとも２つの共通信号線の端部を接続する共通信号バスラインと、を有し、前記共通信号バスラインは、前記ＴＦＴ基板の一辺に配置される複数の共通電位供給端子のうち両端に位置する共通電位供給端子の一方と接続され、かつ１以上の前記データ信号線と重畳して交差するように、前記両端の共通電位供給端子より内側の共通電位供給端子と接続される。

【0008】

本発明によれば、共通信号が複数の共通電位供給端子から供給されるため、共通信号線に供給される共通電位の給電能力がより高い液晶表示装置が提供される。

【0009】

また、本発明の一態様では、前記第１配線層は前記複数のゲート信号線を有し、前記第２配線層は前記複数のデータ信号線を有し、前記第３配線層は前記複数の共通信号線および前記共通信号バスラインを有する。

【0010】

また、本発明の一態様では、前記複数のデータ信号線を有する配線層は、少なくとも１つの前記共通信号線に接続し、かつ、前記両端に位置する共通電位供給端子の他方と接続される共通電位バスラインを有する。

【0011】

また、本発明の一態様では、前記複数の共通電位供給端子は、前記ＴＦＴ基板の１つの長辺に配置される。

【0012】

また、本発明に一態様では、前記複数の共通電位供給端子は、前記ＴＦＴ基板の、互いに対向する２つの長辺に配置される。

【0013】

また、本発明の一態様では、前記複数の共通信号線の少なくとも１つが、前記複数のデータ信号線の１つと、少なくとも一部において重畳するように配置される。

【0014】

また、本発明の一態様では、前記複数の共通電位供給端子の少なくとも１つは、前記複数のゲート信号線を有する配線層に形成される共通電位入力部と直接接続され、前記共通電位入力部は、前記共通信号バスラインと接続される。

【0015】

また、本発明の一態様では、前記複数の共通電位供給端子の少なくとも１つは、前記複数のゲート信号線を有する配線層に形成される共通電位入力部と直接接続され、前記共通電位入力部は、導電体からなる層間接続部を介して互いに接続される前記共通信号バスラインと前記共通電位バスラインとの少なくとも一方と接続される。

【0016】

また、本発明の一態様では、前記複数の共通電位供給端子の少なくとも１つは、前記複数のデータ信号線を有する配線層に形成される共通電位入力部と直接接続され、前記共通電位入力部は、前記共通信号バスラインと接続される。

【0017】

また、本発明の一態様では、前記複数の共通電位供給端子の少なくとも１つは、前記複数のデータ信号線を有する配線層に形成される共通電位入力部と直接接続され、前記共通電位入力部は、導電体からなる層間接続部を介して互いに接続される前記共通信号バスラインと前記共通電位バスラインとの少なくとも一方と接続される。

【0018】

また、本発明の一態様では、前記層間接続部は、それぞれが透明電極材料からなる、前記第３配線層の上に第３絶縁層を介して形成される平面状の接続部と、前記第３絶縁層を貫通して前記接続部および前記共通信号バスラインに接続される第１貫通部と、前記第３絶縁層、前記第３配線層、および前記第２絶縁層を貫通して前記接続部および前記共通電位バスラインと接続される第２貫通部と、を有する。

【0019】

また、本発明の一態様では、前記複数の層間接続部の前記第１貫通部は、それぞれ、前記共通信号バスラインの、前記複数の共通信号線の端部と隣接する部分に接続される。

【図面の簡単な説明】

【0020】

【図1】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の、外周部の構成を示す図である。

【図2】本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板を形成するＧＡＬ層の、外周部の構成を示す図である。

【図3】本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板を形成するＳＤＬ層の、外周部の構成を示す図である。

【図4】本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板を形成するＣＭＴ層の、外周部の構成を示す図である。

【図5】本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の、画素領域の構成を示す図である。

【図6】本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の、Ｘ部における信号線の接続構造を示す図である。

【図7】図１に示すＴＦＴ基板のＸ部の構造を示す上面図およびＡ−Ａ’線に沿った断面の構造を示す断面図である。

【図8】図１に示すＴＦＴ基板のＺ部の構造を示す上面図およびＢ−Ｂ’線に沿った断面の構造を示す断面図である。

【図9】本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の構成の一例を示す図である。

【図10】本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の構成の一例を示す図である。

【図11】本発明の第４の実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の構成の一例を示す図である。

【図12】本発明の第５の実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の構成の一例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0021】

（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板１０の、外周部の構成を示す図である。図２は、本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板１０を形成するＧＡＬ層１００の、外周部の構成を示す図である。図３は、本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板１０を形成するＳＤＬ層２００の、外周部の構成を示す図である。図４は、本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板１０を形成するＣＭＴ層３００の、外周部の構成を示す図である。本実施形態においては、第１配線層をＧＡＬ層、第２配線層をＳＤＬ層、第３配線層をＣＭＴ層とする。さらに、本発明の一実施形態においては、ＳＤＬ層（第２配線層）２００は、第１絶縁層４００を介してＧＡＬ層（第１配線層）１００の上に形成され、ＣＭＴ層（第３配線層）３００は、第２絶縁層５００を介してＳＤＬ層（第２配線層２００）の上に形成されることとする。

【0022】

ＴＦＴ基板１０は、ＧＡＬ層１００に形成される複数のゲート信号線１１０、および共通信号入力線１２０、ＳＤＬ層２００に形成される複数のデータ信号線２１０およびＳＤＬ層共通電位バスライン２２０、ＣＭＴ層３００に形成される複数の共通信号線３１０および共通信号線３１０の端部を接続する共通信号バスライン３２０を有する。ここで、一実施形態において共通信号バスライン３２０は、全ての共通信号線３１０の端部を接続している。図１乃至４の破線で示される表示領域９００においては、複数のゲート信号線１１０および複数のデータ信号線２１０により複数の画素領域９１０がマトリクス状に形成される。一方、表示領域９００を囲む領域には画素領域９１０が形成されず、画像は表示されない。以下、当該領域を非表示領域と呼ぶ。図５は、本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板１０の、画素領域９１０の構成を示す図である。画素領域９１０には、該画素領域９１０に隣接するゲート信号線１１０およびデータ信号線２１０から供給されるデータ信号およびゲート信号により駆動される、薄膜トランジスタ９２０が形成される。また共通電極９３０には、共通信号線３１０から共通電位が供給される。

【0023】

ここで、薄膜トランジスタ９２０を駆動するゲート信号は、ゲート信号供給端子１３から入力されて、ＧＡＬ層１００のゲート信号線１１０を伝播する。薄膜トランジスタ９２０を駆動するデータ信号は、ＴＦＴ基板１０のデータ信号供給端子１４から入力されて、ＳＤＬ層２００のデータ信号線２１０を伝播する。

【0024】

共通信号線３１０から共通電極９３０に供給される共通信号は、ＴＦＴ基板１０の、データ信号供給端子１４を介して隣接する共通電位供給端子１１および１２から入力される。

【0025】

ＴＦＴ基板１０の共通電位供給端子１１はＧＡＬ層１００に形成される共通信号入力線１２０と直接接続されており、さらに共通信号入力線１２０はＳＤＬ層共通電位バスライン２２０と接続されている。したがって、共通電位供給端子１１から入力された共通信号はＳＤＬ層２００に形成されるＳＤＬ層共通電位バスライン２２０を伝播する。共通信号入力線１２０とＳＤＬ層共通電位バスライン２２０と、ＣＭＴ層３００の共通信号バスライン３２０と、は層間接続部６００を介して接続されている。さらに共通信号バスライン３２０と共通信号線３１０は、ＣＭＴ層３００において直接接続されて形成されているため、共通信号は共通信号線３１０に入力される。図１に示されるように、共通信号バスライン３２０は、共通電位供給端子１１および１２のうち両端に位置するものの一方と接続され、かつ１以上のデータ信号線２１０と重畳して交差するように、両端の共通電位供給端子１１および１２より内側の共通電位供給端子１２と接続される。すなわち、共通電位供給端子１１および１２の両端に位置するもののうち、一方は共通信号バスライン３２０と接続され、他方はＳＤＬ層共通電位バスライン２２０と接続される。

【0026】

図６は、本実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板１０の、Ｘ部における信号線の接続構造を示す図である。図７は、図１に示すＴＦＴ基板１０のＸ部の構造を示す上面図およびＡ−Ａ’線に沿った断面の構造を示す断面図である。図６に示されるように、ＳＤＬ層２００に形成されるＳＤＬ層共通電位バスライン２２０と、ＣＭＴ層３００に形成される共通信号バスライン３２０と、は、ＣＭＴ層３００の上に第３絶縁層５３０を介して形成される平面状の接続部６１０と、第３絶縁層５３０を貫通して接続部６１０と共通信号バスライン３２０とを接続する第１貫通部６２０と、第３絶縁層５３０、ＣＭＴ層３００、および第２絶縁層５００を貫通して接続部６１０とＳＤＬ層共通電位バスライン２２０とを接続する第２貫通部６３０と、からなる層間接続部６００により接続されている。図１および６に示されるように、層間接続部６００は、共通信号バスライン３２０の、共通信号線３１０の端部に隣接する部分に設けられ、共通信号線３１０と同じ数の層間接続部６００が設けられる。

【0027】

一方、ＴＦＴ基板１０の共通電位供給端子１２は、ＣＭＴ層３００に形成される共通信号バスライン３２０と接続されており、共通電位供給端子１２から入力される共通信号は共通信号バスライン３２０を伝播する。

【0028】

また、図７に示すように、第１絶縁層４００の上にＳＤＬ層共通電位バスライン２２０が形成され、その上に無機材料からなる無機ＰＡＳ層５１０と、有機材料からなる有機ＰＡＳ層５２０と、からなる第２絶縁層５００が形成される。さらに、第２絶縁層５００の上に共通信号バスライン３２０が形成され、その上に無機材料からなる第３絶縁層５３０が形成される。第３絶縁層５３０には第３絶縁層開口部５３１が形成され、有機ＰＡＳ層５２０には第２絶縁層開口部５２１が形成される。その上に層間接続部６００が形成され、ＳＤＬ層共通電位バスライン２２０と、共通信号バスライン３２０と、が接続される。

【0029】

図８は、図１に示すＴＦＴ基板１０のＺ部の構造を示す上面図およびＢ−Ｂ’線に沿った断面を示す断面図である。共通信号入力線１２０の上層に第１絶縁層４００を介してＳＤＬ層共通電位バスライン２２０が形成され、その上に無機材料からなる無機ＰＡＳ層５１０と、有機材料からなる有機ＰＡＳ層５２０と、からなる第２絶縁層５００が形成される。さらに、第２絶縁層５００の上に共通信号バスライン３２０が形成され、その上に無機材料からなる第３絶縁層５３０が形成される。第３絶縁層５３０には第３絶縁層開口部５３１が形成され、有機ＰＡＳ層５２０には第２絶縁層開口部５２１が形成される。その上に層間接続部７００が形成され、共通信号入力線１２０と、ＳＤＬ層共通電位バスライン２２０と、が接続される。

【0030】

なお、上述の各図面においては、構成の理解の利便上、共通信号バスライン３２０と、ＳＤＬ層共通電位バスライン２２０と、が互いに重畳しない構成が示されたが、これらのバスラインが少なくとも一部において互いに重畳する構成とすることで表示領域９００を更に広くできる。

【0031】

以上の構成によれば、共通信号は共通電位供給端子１１および複数の共通電位供給端子１２から供給されるため、共通電位の供給能力がより高い液晶表示装置が提供される。

【0032】

（第２の実施形態）
図９は、本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板３０の構成の一例を示す図である。第１の実施形態と異なる点のみ説明し、同じ点は説明を省略する。本実施形態は、第１の実施形態と異なり、ゲート信号供給端子１３、ＳＤＬ層共通電位バスライン２２０等がＴＦＴ基板３０の互いに対向する２辺（短辺）に設けられる。また、ＧＡＬ層共通電位バスライン１３０が設けられる。本実施形態において、共通電位供給端子１１，１２から共通電位が供給される箇所がより多くなるため、共通電位の給電抵抗をより下げることができる。そして、共通電位供給端子１１，１２の１つあたりの電流値をより下げることができる。したがって、共通信号は共通電位供給端子１１および複数の共通電位供給端子１２から供給されるため、従来の１つの共通電位供給端子１１から供給される構成と比較して共通電位の供給能力が高い液晶表示装置が提供される。

【0033】

（第３の実施形態）
図１０は、本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板４０の構成の一例を示す図である。第１の実施形態と異なる点のみ説明し、同じ点は説明を省略する。本実施形態は、第１の実施形態と異なり、ゲート信号供給端子１３、ＳＤＬ層共通電位バスライン２２０等がＴＦＴ基板３０の互いに対向する２辺（短辺）に設けられ、データ信号供給端子１４および共通電位供給端子１１，１２がＴＦＴ基板３０の互いに対向する２辺（長辺）に設けられる。本実施形態において、共通電位供給端子１１，１２から共通電位が供給される箇所がより多くなるため、共通電位の給電抵抗をより下げることができる。そして、共通電位供給端子１１，１２の１つあたりの電流値をより下げることができる。したがって、共通信号は共通電位供給端子１１および複数の共通電位供給端子１２から供給されるため、共通電位の供給能力がより高い液晶表示装置が提供される。

【0034】

（第４の実施形態）
図１１は、本発明の第４の実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板５０の構成の一例を示す図である。第１の実施形態と異なる点のみ説明し、同じ点は説明を省略する。本実施形態は、第１の実施形態と異なり、ゲート信号供給端子１３、ＳＤＬ層共通電位バスライン２２０等がＴＦＴ基板３０の互いに対向する２辺（短辺）に設けられ、データ信号供給端子１４および共通電位供給端子１１，１２がＴＦＴ基板３０の互いに対向する２辺（長辺）に設けられる。さらに共通信号線３１０がＴＦＴ基板３０の縦横方向に形成されている。縦方向に形成される共通信号線３１０は、縦方向に形成されるデータ信号線２１０と少なくとも一部において重畳するよう形成される。本実施形態において、共通電位供給端子１１，１２から共通電位が供給される箇所がより多くなるため、共通電位の給電抵抗をより下げることができる。そして、共通電位供給端子１１，１２の１つあたりの電流値をより下げることができる。したがって、共通信号は共通電位供給端子１１および複数の共通電位供給端子１２から供給されるため、共通電位の供給能力がより高い液晶表示装置が提供される。さらに、縦横方向に共通信号線３１０が形成されることで、画素間の抵抗差をより小さくすることも可能となる。

【0035】

（第５の実施形態）
図１２は、本発明の第５の実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板６０の構成の一例を示す図である。第１の実施形態と異なる点のみ説明し、同じ点は説明を省略する。本実施形態は、第１の実施形態と異なり、ゲート信号供給端子１３がＴＦＴ基板６０の互いに対向する２辺（短辺）に設けられ、データ信号供給端子１４および共通電位供給端子１１，１２がＴＦＴ基板３０の互いに対向する２辺（長辺）に設けられ、共通信号バスライン３２０がＴＦＴ基板６０の横方向にのみ形成され、共通信号線３１０がＴＦＴ基板６０の縦方向にのみ形成されている点で第１の実施形態に係るＴＦＴ基板１０と異なる。縦方向に形成される共通信号線３１０は、縦方向に形成されるデータ信号線２１０と少なくとも一部において重畳するよう形成される。本実施形態において、縦方向の共通信号バスライン３２０、ＳＤＬ層共通電位バスライン２２０、およびＧＡＬ層共通電位バスライン１３０を省略することができるので、狭額縁化も可能となる。また、共通電位供給端子１１から共通信号線３１０との距離がより短くなるため、共通電位をより効率的に供給することができる。したがって、共通信号は共通電位供給端子１１および複数の共通電位供給端子１２から供給されるため、共通電位の供給能力が高い液晶表示装置が提供される。

【0036】

（その他の変形例）
以上、本発明について第１から第５の実施形態を用いて説明がなされたが、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲において変更がなされたさまざまな構成を含むことはいうまでもない。

【0037】

例えば、上述の各実施形態においては、ゲート信号線１１０、共通信号入力線１２０、およびＧＡＬ層共通電位バスライン１３０が形成される層（ＧＡＬ層１００）の上にデータ信号線２１０およびＳＤＬ層共通電位バスライン２２０が形成される層（ＳＤＬ層２００）が形成され、さらにその上に共通信号線３１０および共通信号バスライン３２０が形成される層（ＣＭＴ層）が形成される構成が示されたが、本発明はこれらの構成に限定されない。例えばこれらの層の上下関係が入れ替わった構成としてもよいし、層間接続部６００または層間接続部８００を有する構成であれば、上述の構成において同一の層に設けられる部材が互いに異なる層に設けられる構成としてもよい。また層間接続部６００および層間接続部８００のいずれか一方のみを有する構成としてもよい。

【0038】

また、上述の各実施形態においては、共通信号バスライン３２０、ＧＡＬ層共通電位バスライン１３０、およびＳＤＬ層共通電位バスライン２２０がＴＦＴ基板１０の短辺方向に（短辺に沿って）形成される構成が示されたが、本発明はこれに限定されず、例えば共通信号バスライン３２０がＴＦＴ基板１０の長辺方向に沿って形成されてもよいし、その場合、共通電位供給端子１１，１２はＴＦＴ基板１０の長辺方向に配置されてもよい。

【0039】

また、上述の各実施形態においては、共通電位供給端子１１と直接接続される共通信号入力線１２０が、ゲート信号線１１０を有するＧＡＬ層１００に形成される構成が示されたが、本発明はこれに限定されず、例えばデータ信号線２１０を有するＳＤＬ層２００に形成される構成としてもよい。

【符号の説明】

【0040】

１０，３０，４０，５０，６０ ＴＦＴ基板、１１，１２ 共通電位供給端子、１３ ゲート信号供給端子、１４ データ信号供給端子、１００ ＧＡＬ層、１１０ ゲート信号線、１２０ 共通信号入力線、１３０ ＧＡＬ層共通電位バスライン、２００ ＳＤＬ層、２１０ データ信号線、２２０ ＳＤＬ層共通電位バスライン、３００ ＣＭＴ層、３１０ 共通信号線、３２０ 共通信号バスライン、４００ 第１絶縁層、５００ 第２絶縁層、５１０ 無機ＰＡＳ層，５２０ 有機ＰＡＳ層、５２１ 第２絶縁層開口部、５３０ 第３絶縁層、５３１ 第３絶縁層開口部、６００，７００，８００ 層間接続部、６１０ 接続部、６２０ 第１貫通部、６３０ 第２貫通部、９００ 表示領域、９１０ 画素領域、９２０ 薄膜トランジスタ、９３０ 共通電極。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】