特開 2015-133090 タッチパネル

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2015-133090(P2015-133090A)

(43)【公開日】2015年7月23日

(54)【発明の名称】タッチパネル

(51)【国際特許分類】

   G06F 3/041 20060101AFI20150630BHJP

   G06F 3/044 20060101ALI20150630BHJP

   B32B 3/00 20060101ALI20150630BHJP

   B32B 9/00 20060101ALI20150630BHJP

   B32B 15/04 20060101ALI20150630BHJP

【ＦＩ】

   G06F3/041 422

   G06F3/044 129

   B32B3/00

   B32B9/00 A

   B32B15/04 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】12

(21)【出願番号】特願2014-54934(P2014-54934)

(22)【出願日】2014年3月18日

(31)【優先権主張番号】10-2014-0004496

(32)【優先日】2014年1月14日

(33)【優先権主張国】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】龍華国際特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】パク、ドー ホ

(72)【発明者】

【氏名】パク、ジャン ホ

(72)【発明者】

【氏名】イム、ジュン リョル

(72)【発明者】

【氏名】ジャン、イン ヒュン

【テーマコード（参考）】

4F100

【Ｆターム（参考）】

4F100AA20D

4F100AB02B

4F100AB02E

4F100AB12B

4F100AB12E

4F100AB17B

4F100AB17E

4F100AB21B

4F100AB21E

4F100AB25B

4F100AB25E

4F100AH03D

4F100AH06D

4F100AK02A

4F100AK25A

4F100AK42A

4F100AK45A

4F100AK49A

4F100AT00A

4F100BA05

4F100BA22

4F100DC16B

4F100DC16E

4F100GB41

4F100JB05D

4F100JG01B

4F100JG01E

4F100JG04C

4F100JK06

4F100JL11

(57)【要約】      （修正有）

【課題】絶縁層と電極層の密着力が向上したタッチパネルを提供する。
【解決手段】上面及び下面を有する基板１０１と、上記基板の下面に網状に形成される第１電極層１１０ａと、上記基板の下面に上記第１電極層を覆うように形成される第１絶縁層１０２と、上記第１絶縁層の下面に形成され、疎水性表面を親水性表面に改質することができる表面改質層１２０と、上記表面改質層の下面に網状に形成される第２電極層１１０ｂと、を含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

一方の面及び他方の面を有する基板と、
前記基板の前記他方の面に網状に形成される第１電極層と、
前記基板の前記他方の面に前記第１電極層を覆うように形成される第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の一面に形成され、疎水性表面を親水性表面に改質することができる表面改質層と、
前記表面改質層の一面に網状に形成される第２電極層と、を含むタッチパネル。

【請求項2】

前記基板と前記第１電極層との間に介在される表面改質層をさらに含む、請求項１に記載のタッチパネル。

【請求項3】

前記表面改質層は少なくとも一つ以上のシラン（Ｓｉｌａｎｅ）層を含む、請求項１または２に記載のタッチパネル。

【請求項4】

一方の面及び他方の面を有する基板と、
前記基板の前記一方の面に形成され、疎水性表面を親水性表面に改質することができる第１表面改質層と、
前記基板の前記他方の面に形成され、疎水性表面を親水性表面に改質することができる第２表面改質層と、
前記第１表面改質層の一面に網状に形成される第１電極層と、
前記第２表面改質層の一面に網状に形成される第２電極層と、を含むタッチパネル。

【請求項5】

前記第１表面改質層または前記第２表面改質層は少なくとも一つ以上のシラン（Ｓｉｌａｎｅ）層を含む、請求項４に記載のタッチパネル。

【請求項6】

前記シラン層はＳｉＯ_２、有機シランまたは無機シランのうち少なくとも一つである、請求項３または５に記載のタッチパネル。

【請求項7】

前記有機シランの作用基の一部は、アミン（Ａｒｍｉｎｅ）、エポキシ（Ｅｐｏｘｙ）、ハイドライド（Ｈｙｄｒｉｄｅ）、硫黄（Ｓｕｌｆｕｒ）、リン（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ）及びカルボン酸塩（Ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ）からなる群より選択される少なくとも一つに置換された、請求項６に記載のタッチパネル。

【請求項8】

前記第１電極層または前記第２電極層は、銅、金、鉄、スズ、チタン及び亜鉛からなる群より選択される少なくとも一つを含む、請求項１から７の何れか１項に記載のタッチパネル。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明はタッチパネルに関する。

【背景技術】

【0002】

タッチスクリーン、タッチパッドなどの接触検知装置は、ディスプレイ装置に付着され、使用者に直感的な入力方法を提供することができる入力装置であり、近年、携帯電話、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ナビゲーションなどの様々な電子機器に広く適用されている。特に、最近では、スマートフォンの需要が増加し、制限されたフォームファクタで様々な入力方法を提供することができるタッチスクリーンの採用比率が日々増加している。

【0003】

携帯用機器に適用されるタッチスクリーンは、タッチ入力を検知する方法によって、抵抗膜方式と静電容量方式に大別でき、そのうち、静電容量方式は、相対的に寿命が長く、様々な入力方法とジェスチャーを容易に具現できるという長所により、その適用比率が次第に増加している。特に、静電容量方式は、抵抗膜方式に比べて、マルチタッチインタフェースを具現することが容易であるため、スマートフォンなどの機器に幅広く適用される。

【0004】

静電容量方式のタッチスクリーンは、一定のパターンを有する複数の電極を含み、タッチ入力によって静電容量の変化が発生する複数のノードが上記複数の電極により定義される。２次元平面に分布する複数のノードは、タッチ入力によって自己静電容量（Ｓｅｌｆ−Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）または結合静電容量（Ｍｕｔｕａｌ−Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）の変化が発生し、複数のノードで発生した静電容量の変化に加重平均計算方法等を適用してタッチ入力の座標を計算することができる。

【0005】

従来のタッチパネルは、通常、タッチを認識するセンシング電極をＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ；インジウム−スズ酸化物）で形成した。しかし、ＩＴＯの場合、原料であるインジウム（Ｉｎｄｉｕｍ）が希土類金属で、高価であるため、価格競争力が低下するだけでなく、１０年内に枯渇が予想され、需給が円滑でないという問題がある。

【0006】

上記のような理由から、不透明な導電性細線を利用して電極を形成するための研究が行われており、金属のような導電性細線からなる電極は、ＩＴＯまたは導電性高分子に比べて電気伝導度に著しく優れ、需給が円滑であるという長所を有する。

【0007】

上述したように、タッチパネルを具現するためには、多層（Ｍｕｌｔｉ−ｌａｙｅｒ）を具現しなければならない。

【0008】

特に、導電性細線を利用するタッチパネルの場合、主に絶縁材上に金属電極を形成する構造を有する。

【0009】

絶縁材上に金属電極を形成する場合、タッチパネルに具現するためには金属電極と絶縁材との密着力が確保されなければならない。

【0010】

下記特許文献１は、タッチセンサー及びその製造方法に関する発明を開示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0011】

【特許文献1】韓国公開特許公報第１０−２０１３−００７０１６５号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0012】

本発明は、絶縁層と電極層の密着力が向上したタッチパネルを提供する。

【課題を解決するための手段】

【0013】

本発明の一実施形態によるタッチパネルは、上面及び下面を有する基板と、上記基板の下面に網状に形成される第１電極層と、上記基板の下面に上記第１電極層を覆うように形成される第１絶縁層と、上記第１絶縁層の下面に形成され、疎水性表面を親水性表面に改質することができる表面改質層と、上記表面改質層の下面に網状に形成される第２電極層と、を含んでもよい。

【0014】

上記基板と上記第１電極層との間に介在される表面改質層をさらに含んでもよい。

【0015】

上記表面改質層は少なくとも一つ以上のシラン（Ｓｉｌａｎｅ）層を含んでもよい。

【0016】

上記シラン層はＳｉＯ_２、有機シランまたは無機シランのうち少なくとも一つであってもよい。

【0017】

上記有機シランの作用基の一部は、アミン（Ａｒｍｉｎｅ）、エポキシ（Ｅｐｏｘｙ）、ハイドライド（Ｈｙｄｒｉｄｅ）、硫黄（Ｓｕｌｆｕｒ）、リン（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ）及びカルボン酸塩（Ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ）からなる群より選択される少なくとも一つに置換されてもよい。

【0018】

上記第１電極層または上記第２電極層は、銅、金、鉄、スズ、チタン及び亜鉛からなる群より選択される少なくとも一つを含んでもよい。

【0019】

本発明の他の実施形態によるタッチパネルは、上面及び下面を有する基板と、上記基板の上面に形成され、疎水性表面を親水性表面に改質することができる第１表面改質層と、上記基板の下面に形成され、疎水性表面を親水性表面に改質することができる第２表面改質層と、上記第１表面改質層の上面に網状に形成される第１電極層と、上記第２表面改質層の下面に網状に形成される第２電極層と、を含んでもよい。

【0020】

上記第１表面改質層または上記第２表面改質層は、少なくとも一つ以上のシラン（Ｓｉｌａｎｅ）層を含んでもよい。

【0021】

上記シラン層はＳｉＯ_２、有機シランまたは無機シランのうち少なくとも一つであってもよい。

【0022】

上記有機シランの作用基の一部は、アミン（Ａｒｍｉｎｅ）、エポキシ（Ｅｐｏｘｙ）、ハイドライド（Ｈｙｄｒｉｄｅ）、硫黄（Ｓｕｌｆｕｒ）、リン（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ）及びカルボン酸塩（Ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ）からなる群より選択される少なくとも一つに置換されてもよい。

【0023】

上記第１電極層または上記第２電極層は、銅、金、鉄、スズ、チタン及び亜鉛からなる群より選択される少なくとも一つを含んでもよい。

【発明の効果】

【0024】

本発明の一実施形態によるタッチパネルは、絶縁層と電極層の間に表面改質層が位置することにより、絶縁層と電極層の密着力を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0025】

【図1】本発明の一実施形態によるタッチパネルの概略的な断面図である。

【図2】表面改質層がＳｉＯ_２を含む場合のタッチパネルの概略的な断面図である。

【図3】表面改質層が有機シランを含む場合のタッチパネルの概略的な断面図である。

【図4】本発明の他の実施形態によるタッチパネルの概略的な断面図である。

【図5】本発明のさらに他の実施形態によるタッチパネルの概略的な断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0026】

以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。

【0027】

図１は、本発明の一実施形態によるタッチパネル１００の概略的な断面図である。

【0028】

図１を参照すると、本発明の一実施形態によるタッチパネルは、基板１０１と、絶縁層１０２、１０３と、第１及び第２電極層１１０ａ、１１０ｂと、表面改質層１２０と、を含んでもよい。

【0029】

通常、モバイル機器は、タッチパネルがディスプレイ装置に一体化されて備えられ、タッチパネルは、ディスプレイ装置が表示する画面が透過できる程度に高い光透過率を有さなければならない。

【0030】

従って、上記基板１０１は、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ＰＥＳ（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＰＭＭＡ（ＰｏｌｙｍｅｔｈｌｙｍｅｔｈＡｃｒｙｌａｔｅ）、ＣＯＰ（Ｃｙｃｌｏ−Ｏｌｅｆｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ）などのフィルム、ソーダガラス（Ｓｏｄａ ｇｌａｓｓ）、または強化ガラス（ｔｅｍｐｅｒｅｄ ｇｌａｓｓ）のような材質の透明な材料を用いて形成することができる。

【0031】

上記基板１０１は上面及び下面を有し、そのうち一面が使用者が見る方向となり、その反対方向にセンサーが形成される。

【0032】

例えば、上記基板の上面が使用者が見る面となってもよい。

【0033】

第１電極層１１０ａは、上記基板１０１の下面に形成されてもよい。上面は一方の面の一例であってよく、下面は他方の面の一例であってよい。

【0034】

上記第１電極層１１０ａは、導電性細線を利用して網状に形成されてもよい。

【0035】

上記第１電極層１１０ａは、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｕの何れか一つの金属またはこれらの合金で製造してもよく、単層または多層に形成してもよい。

【0036】

通常、導電性細線の線幅は０．５μｍ〜１０μｍであってもよい。

【0037】

線幅が０．５μｍより狭いと、断線によって不良率が増加し、抵抗値が増加することがあり、線幅が１０μｍよりも広いと、透過性が減少することがある。

【0038】

上記第１電極層１１０ａは、スパッタ（Ｓｐｕｔｔｅｒ）、Ｅ−Ｂｅａｍのような真空蒸着方式、めっきのような電解方式、印刷（ｐｒｉｎｔｉｎｇ）及びインプリンティング（ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ）などの工程により形成されてもよい。

【0039】

上記基板１０１の下面には、上記第１電極層１１０ａを覆うように第１絶縁層１０２が形成されてもよい。

【0040】

上記第１絶縁層１０２は、ＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）フィルムを用いて形成してもよいが、これに制限されない。

【0041】

上記第１絶縁層１０２の下面には第２電極層１１０ｂが形成されてもよく、上記第１絶縁層１０２の下面に上記第２電極層１１０ｂを覆うように第２絶縁層１０３が形成されてもよい。

【0042】

上記第２電極層１１０ｂは、導電性細線を利用して網状に形成されてもよい。

【0043】

上記第２電極層１１０ｂは、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｕの何れか一つの金属またはこれらの合金で製造してもよく、単層または多層に形成してもよい。

【0044】

通常、導電性細線の線幅は０．５μｍ〜１０μｍであってもよい。

【0045】

線幅が０．５μｍより狭いと、断線によって不良率が増加し、抵抗値が増加することがあり、線幅が１０μｍよりも広いと、透過性が減少することがある。

【0046】

上記第２電極層１１０ｂは、スパッタ（Ｓｐｕｔｔｅｒ）、Ｅ−Ｂｅａｍのような真空蒸着方式、めっきのような電解方式、印刷（ｐｒｉｎｔｉｎｇ）及びインプリンティング（ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ）などの工程を利用して形成してもよい。

【0047】

上記第１絶縁層１０２の下部には、上記第２金属層１１０ｂを覆うように第２絶縁層１０３が形成されてもよい。

【0048】

本発明の一実施形態によるタッチパネル１００は、上記第１及び第２電極層１１０ａ、１１０ｂとコントローラ集積回路が電気的に連結されてタッチ入力を検知することで作動する。

【0049】

上記コントローラ集積回路は、タッチ入力により上記第１及び第２電極層１１０ａ、１１０ｂで発生する静電容量の変化を検出し、それからタッチ入力を検知する。

【0050】

従って、静電容量の変化を大きくするために、上記第１絶縁層１０２及び第２絶縁層１０３は誘電率の高い物質を用いて形成することができる。

【0051】

上記第１絶縁層１０２及び上記第２絶縁層１０３は、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５、及びＴｉＯ_２の何れか一つを含む無機または有機絶縁材料で形成されてもよいが、このとき、第１及び第２絶縁層１０２、１０３は、１μｍ〜１０μｍの厚さを有するように製作されることができる。

【0052】

一般的に、上記第１絶縁層１０２に用いられる有機絶縁材は、金属材質の電極との密着力が落ちる。

【0053】

特に、網状の導電性細線を利用して電極を形成すると、第２電極層１１０ｂが第１絶縁層１０２に接着する面積が相対的に小さい。

【0054】

これにより、電極との密着力が低下すると、断線が発生することがあるため、第１絶縁層１０２と第２電極層１１０ｂの密着力を向上させる必要がある。

【0055】

従って、第１絶縁層１０２と第２電極層１１０ｂの間には、表面改質層１２０が形成されてもよい。

【0056】

上記表面改質層１２０は、第１絶縁層１０２の表面を疎水性から親水性に改質することができる。

【0057】

上記表面改質層１２０はシラン層を含んで形成されてもよい。

【0058】

上記シラン層はＳｉＯ_２、有機シランまたは無機シランであってもよい。

【0059】

上記表面改質層１２０の役割を、図２及び３を参照して説明する。

【0060】

図２は、表面改質層１２０がＳｉＯ_２を含む場合のタッチパネルの概略的な断面図である。

【0061】

図２を参照すると、第１絶縁層１０２の上部に表面改質層１２０が形成されていることが分かる。

【0062】

ＳｉＯ_２は、金属に比べて、一般的な有機絶縁材との密着力に優れるとともに金属との密着力にも優れる。

【0063】

上記表面改質層１２０がＳｉＯ_２を含むと、ＳｉＯ_２が第１絶縁層１０２の表面の性質を変えて、第１絶縁層１０２と第２電極層１１０ｂの密着力を向上させることができる。

【0064】

図３は、表面改質層が有機シランを含む場合のタッチパネルの概略的な断面図である。

【0065】

第１絶縁層１０２と第２金属層１１０ｂの密着力をさらに向上させるために、表面改質層１２０は有機シランを含んでもよい。

【0066】

図３に示されたように、表面改質層１２０が有機シランを含むと、作用基Ｘを置換して金属との接着性を向上させることができる。

【0067】

従って、上記有機シランの作用基のうち一部は、アミン（Ａｒｍｉｎｅ）、エポキシ（Ｅｐｏｘｙ）、ハイドライド（Ｈｙｄｒｉｄｅ）、硫黄（Ｓｕｌｆｕｒ）、リン（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ）及びカルボン酸塩（Ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ）からなる群より選択される少なくとも一つに置換されてもよい。

【0068】

下表１には、第２金属層１１０ｂの材質によって密着力を向上させることができる作用基を記載した。

【0069】

【表1】

【0070】

上表１のように、第２金属層１１０ｂの材質によって、第１絶縁層１０２と第２電極層１１０ｂの密着力を向上させるために、表面改質層１２０の有機シランの作用基Ｘを適切に置換することができる。

【0071】

上記表面改質層１２０が含むシランの例としては、無機系酸化物などが挙げられる。

【0072】

例えば、ケイ素酸化物であるテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシラン等のテトラアルコキシシラン類、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｉ−プロピルトリメトキシシラン、ｉ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−ペンチルトリメトキシシラン、ｎ−ペンチルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘプチルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリエトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリエトキシシラン、２−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、２−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、３−（メタ）アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシランなどのトリアルコキシシラン類、メチルトリアセチルオキシシラン、メチルトリフェノキシシラン等のオルガノアルコキシシランのアルコール、水、酸などを加水分解重合反応させて形成するゾル−ゲルコーティング膜、ケイ素酸化物のスパッタ蒸着膜などを使用することができる。

【0073】

図４は、本発明の他の実施形態によるタッチパネル２００の概略的な断面図である。

【0074】

図１で説明した構成要素に対し、ここではその説明を省略する。

【0075】

図４を参照すると、基板２０１と第１電極層２１０ａの間には、表面改質層２２０がさらに形成されてもよい。

【0076】

上述したように、上記基板２０１は、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ＰＥＳ（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＰＭＭＡ（ＰｏｌｙｍｅｔｈｌｙｍｅｔｈＡｃｒｙｌａｔｅ）、ＣＯＰ（Ｃｙｃｌｏ−Ｏｌｅｆｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ）などのフィルム、ソーダガラス（Ｓｏｄａ ｇｌａｓｓ）、または強化ガラス（ｔｅｍｐｅｒｅｄ ｇｌａｓｓ）のような材質の透明な材料を用いて形成することができる。

【0077】

上記基板２０１がＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ＰＥＳ（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＰＭＭＡ（ＰｏｌｙｍｅｔｈｌｙｍｅｔｈＡｃｒｙｌａｔｅ）、ＣＯＰ（Ｃｙｃｌｏ−Ｏｌｅｆｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ）などの高分子フィルムなどを利用して形成される場合、基板２０１と第１電極層２１０ａの密着力が減少する。

【0078】

従って、基板２０１と第１電極層２１０ａの間に表面改質層２２０を形成することで、基板２０１と第１電極層２１０ａの密着力を向上させることができる。

【0079】

図５は、本発明のさらに他の実施形態によるタッチパネル３００の概略的な断面図である。

【0080】

図５を参照すると、本発明のさらに他の実施形態によるタッチパネル３００は、上面及び下面を有する基板３０１と、上記基板３０１の上面に形成され、疎水性表面を親水性表面に改質することができる第１表面改質層３２０ａと、上記基板３０１の下面に形成され、疎水性表面を親水性表面に改質することができる第２表面改質層３２０ｂと、上記第１表面改質層３２０ａの上面に網状に形成される第１電極層３１０ａと、上記第２表面改質層３２０ｂの下面に網状に形成される第２電極層３１０ｂと、を含んでもよい。

【0081】

上記基板３０１は、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ＰＥＳ（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＰＭＭＡ（ＰｏｌｙｍｅｔｈｌｙｍｅｔｈＡｃｒｙｌａｔｅ）、ＣＯＰ（Ｃｙｃｌｏ−Ｏｌｅｆｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ）などの高分子フィルムなどを利用して形成してもよい。

【0082】

上記基板３０１がＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ＰＥＳ（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＰＭＭＡ（ＰｏｌｙｍｅｔｈｌｙｍｅｔｈＡｃｒｙｌａｔｅ）、ＣＯＰ（Ｃｙｃｌｏ−Ｏｌｅｆｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ）などの高分子フィルムなどを利用して形成される場合、基板３０１と第１及び第２電極層３１０ａ、３１０ｂの密着力が減少する。

【0083】

従って、基板３０１と第１及び第２電極層３１０ａ、３１０ｂの間に表面改質層３２０を形成することで、基板３０１と第１及び第２電極層３１０ａ、３１０ａの密着力を向上させることができる。

【0084】

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。

【符号の説明】

【0085】

１００ タッチパネル
１０１ 基板
１０２ 第１絶縁層
１０３ 第２絶縁層
１１０ａ 第１電極層
１１０ｂ 第２電極層
１２０ 表面改質層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】