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特開2015-162678配線が埋め込まれたフレキシブル基板およびその製造方法

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2015-162678(P2015-162678A)

(43)【公開日】2015年9月7日

(54)【発明の名称】配線が埋め込まれたフレキシブル基板およびその製造方法

(51)【国際特許分類】

H05K 1/02 20060101AFI20150811BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 C

H05K1/02 B

H05K1/02 J

【審査請求】有

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

【全頁数】13

(21)【出願番号】特願2015-33458(P2015-33458)

(22)【出願日】2015年2月24日

(31)【優先権主張番号】61/944,279

(32)【優先日】2014年2月25日

(33)【優先権主張国】US

(31)【優先権主張番号】103145994

(32)【優先日】2014年12月29日

(33)【優先権主張国】TW

(71)【出願人】

【識別番号】390023582

【氏名又は名称】財團法人工業技術研究院

【氏名又は名称原語表記】ＩＮＤＵＳＴＲＩＡＬＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹＲＥＳＥＡＲＣＨＩＮＳＴＩＴＵＴＥ

(74)【代理人】

【識別番号】100116872

【弁理士】

【氏名又は名称】藤田和子

(72)【発明者】

【氏名】蘇俊▲い▼

(72)【発明者】

【氏名】呂奇明

(72)【発明者】

【氏名】郭育如

(72)【発明者】

【氏名】林鴻欽

(72)【発明者】

【氏名】盧俊安

(72)【発明者】

【氏名】陳炯雄

【テーマコード（参考）】

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E338AA12

5E338AA16

5E338AA20

5E338BB02

5E338BB12

5E338BB19

5E338BB63

5E338CD25

5E338CD40

5E338EE26

5E338EE32

(57)【要約】

【課題】配線が埋め込まれたフレキシブル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】配線が埋め込まれたフレキシブル基板であって、高分子材料によって構成されたフレキシブル基板、および複数の孔を含み、前記フレキシブル基板に埋め込まれ、前記高分子材料が前記孔を充填する連続した配線パターンを含む配線が埋め込まれたフレキシブル基板。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

配線が埋め込まれたフレキシブル基板であって、
高分子材料によって構成されたフレキシブル基板、および
複数の孔を含み、前記フレキシブル基板に埋め込まれ、前記高分子材料が前記孔を充填する連続した配線パターンを含む配線が埋め込まれたフレキシブル基板。

【請求項2】

前記高分子材料は、ポリイミド（ＰＩ）またはポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）を含む請求項１に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板。

【請求項3】

前記配線パターンは、銀、銅、ニッケル、またはその合金を含む請求項１に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板。

【請求項4】

前記配線パターンは、約１．６×１０^−６Ω・ｃｍ〜約１０×１０^−６Ω・ｃｍの抵抗率を有する請求項１に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板。

【請求項5】

前記孔は、約１０ｎｍ〜約１００μｍの大きさを有する請求項１に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板。

【請求項6】

前記連続した配線パターンは、前記フレキシブル基板内の領域に埋め込まれる請求項１に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板。

【請求項7】

前記連続した配線パターンは、前記フレキシブル基板の表面近傍に埋め込まれる請求項１に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板。

【請求項8】

キャリアを提供するステップ、
前記キャリア上に、複数の孔を含む連続した配線パターンを形成するステップ、
前記連続した配線パターンとキャリア上に高分子材料をカバーし、前記孔を充填するステップ、および
前記高分子材料と前記キャリアを分割し、前記連続した配線パターンが埋め込まれたフレキシブル基板を形成するステップを含む配線が埋め込まれたフレキシブル基板を製造する方法。

【請求項9】

前記キャリアは、ガラスまたは金属を含む請求項８に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板を製造する方法。

【請求項10】

表面処理プロセスを前記連続した配線パターンが埋め込まれたフレキシブル基板に行うステップを更に含む請求項８に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板を製造する方法。

【請求項11】

前記キャリア上に連続した配線パターンを形成するステップは、
約８０％〜８５％の固形分を有する金属接着剤を提供するステップ、
前記金属接着剤の連続したパターンを前記キャリア上に形成するステップ、および
前記キャリアに対して、３００℃〜３５０℃の焼結温度と３０分〜４０分の焼結時間を有する焼結プロセスを行うステップを含む請求項８に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板を製造する方法。

【請求項12】

前記連続した配線パターンと前記キャリア上に高分子材料をカバーするステップは、
５％〜３０％の固形分を有するポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）を提供するステップ、
前記連続した配線パターンとキャリア上にポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）層を形成するステップ、および
前記キャリアに対して、約５０℃〜約１８０℃の焼結温度と約１０分〜約３０分の焼成時間を有する焼成プロセスを行うステップを含む請求項８に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板を製造する方法。

【請求項13】

前記連続した配線パターンと前記キャリア上に高分子材料をカバーするステップは、
約５％〜４０％の固形分を有するポリイミド（ＰＩ）を提供するステップ、
前記連続した配線パターンと前記キャリア上にポリイミド（ＰＩ）層を形成するステップ、および
前記キャリアに対して、約５０℃〜約２１０℃の焼結温度と約３０分〜約６０分の焼成時間を有する焼成プロセスを行うステップを含む請求項８に記載の配線が埋め込まれたフレキシブル基板を製造する方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線が埋め込まれたフレキシブル基板およびその製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

現在、フレキシブルプリント回路板は、主にフレキシブル銅張積層板（ＦＣＣＬ）に依存している。ＦＣＣＬは、層数によって無接着タイプのフレキシブル銅張積層板（２層ＦＣＣＬ）と接着タイプのフレキシブル銅張積層板（３層ＦＣＣＬ）の２種類に分けられる。これらの２種類の最も大きな違いは、銅箔とポリイミド薄膜との間に接着剤があるかどうかである。２ＬＦＣＣＬは、高い耐熱性、耐屈曲性、および寸法安定性などの利点を有する。しかしながら、そのコストは比較的高い。そのため、ほとんどのフレキシブル基板は主に３ＬＦＣＣＬを用いており、ハイレベルのフレキシブル基板のみが２ＬＦＣＣＬを用いている。

【0003】

３ＬＦＣＣＬは、フレキシブル基板と配線との間の接着剤としてエポキシ樹脂を用いる。しかしながら、一般のエポキシ樹脂の接着剤の耐熱性は、ポリイミドの接着剤の耐熱性より悪い。そのため、エポキシ樹脂の接着剤の使用において温度制限がある。また、その信頼度においても十分でない。配線パターンの要求に対処するためには、２ＬＦＣＣＬは、表面処理、膜蒸着、およびエッチングのステップも必要とするが、その製造手順は複雑で且つ時間がかかる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

配線が埋め込まれたフレキシブル基板およびその製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の１つの実施形態に従って、配線が埋め込まれたフレキシブル基板が提供される。配線が埋め込まれたフレキシブル基板は、高分子材料によって構成されたフレキシブル基板、および複数の孔を含み、フレキシブル基板に埋め込まれ、高分子材料が孔を充填する連続した配線パターンを含む。

【0006】

本発明のもう１つの実施形態に従って、配線が埋め込まれたフレキシブル基板を製造する方法が提供される。前記製造方法は、キャリアを提供するステップ、キャリア上に、複数の孔を含む連続した配線パターンを形成するステップ、連続した配線パターンとキャリア上に高分子材料をカバーし、孔を充填するステップ、および高分子材料とキャリアを分割し、連続した配線パターンが埋め込まれたフレキシブル基板を形成するステップを含む。

【0007】

詳細な説明は、添付の図面と併せて以下の実施形態に説明される。

【図面の簡単な説明】

【0008】

添付の図面とともに以下の本発明の様々な実施形態の詳細な説明を検討することで、本発明はより完全に理解できる。

【図1】本発明の１つの実施形態に係る、配線が埋め込まれたフレキシブル基板の断面図である。

【図2】本発明の１つの実施形態に係る、配線が埋め込まれたフレキシブル基板の断面図である。

【図3】図３Ａ〜図３Ｃは、本発明の１つの実施形態に係る、配線が埋め込まれたフレキシブル基板を製造する方法の断面図である。

【図4】図４Ａ〜図４Ｄは、本発明の１つの実施形態に係る、配線が埋め込まれたフレキシブル基板を製造する方法の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下の発明を実施するための形態では、説明のために、多数の特定の詳細が本実施形態の完全な理解を提供するために述べられる。しかしながら、１つ以上の実施形態では、これらの特定の詳細なしに行い得ることは明らかである。もう１つの例では、従来公知の構造および装置は、図を簡素化するために概略的に示されている。

【0010】

図１を参照に、本実施形態に係る、配線が埋め込まれたフレキシブル基板が提供される。フレキシブル基板１０は、フレキシブル基板１２と連続した配線パターン１４を含む配線が埋め込まれている。フレキシブル基板１２は、高分子材料１２’によって構成される。連続した配線パターン１４は、フレキシブル基板１２に埋め込まれた複数の孔１６を含む。高分子材料１２’は、孔１６を充填する。

【0011】

高分子材料１２’は、ポリイミド（ＰＩ）またはポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）を含むことができる。

【0012】

配線パターン１４は、銀、銅、ニッケル、またはその合金を含むことができる。配線パターン１４は、約１．６×１０^−６Ω・ｃｍ〜約１０×１０^−６Ω・ｃｍの抵抗率を有する。

【0013】

連続した配線パターン１４に含まれた孔１６は、約１０ｎｍ〜約１００μｍの大きさを有する。

【0014】

この実施形態では、連続した配線パターン１４は、図１に示されるように、フレキシブル基板１２内の領域に埋め込まれる。

【0015】

図２を参照に、本発明のもう１つの実施形態に従って配線が埋め込まれたフレキシブル基板が提供される。配線が埋め込まれたフレキシブル基板１００は、フレキシブル基板１２０と連続した配線パターン１４０を含む。フレキシブル基板１２０は、高分子材料１２０’によって構成される。連続した配線パターン１４０は、フレキシブル基板１２０に埋め込まれた複数の孔１６０を含む。高分子材料１２０’は、孔１６０を充填する。

【0016】

高分子材料１２０’は、ポリイミド（ＰＩ）またはポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）を含むことができる。

【0017】

配線パターン１４０は、銀、銅、ニッケル、またはその合金を含むことができる。配線パターン１４０は、約１．６×１０^−６Ω・ｃｍ〜約１０×１０^−６Ω・ｃｍの抵抗率を有する。

【0018】

連続した配線パターン１４０に含まれた孔１６０は、約１０ｎｍ〜約１００μｍの大きさを有する。

【0019】

この実施形態では、連続した配線パターン１４０は、図２に示されるように、フレキシブル基板１２０の表面近傍に埋め込まれる。

【0020】

図３Ａ〜図３Ｃを参照に、本実施形態に係る、配線が埋め込まれたフレキシブル基板を製造する方法が提供される。まず、図３Ａに示されるように、キャリア１８が提供される。キャリア１８は、ガラスまたは金属を含むことができる。

【0021】

次いで、連続した配線パターン１４０は、キャリア１８に形成される。連続した配線パターン１４は、複数の孔（図示されていない）を含む。この実施形態では、複数の孔を含む連続した配線パターン１４をキャリア１８上に形成するステップは、例えば、スクリーン印刷プロセスを用いて連続した配線パターン１４をキャリア１８上に形成することができる。次いで、約２５０℃〜約３００℃の焼結温度で連続した配線パターン１４に対して焼結プロセスを行い、複数の孔を含む連続した配線パターン１４を形成する。配線パターン１４は、例えば、銀、銅、ニッケル、またはその合金を含むことができる。配線パターン１４は、約１．６×１０^−６Ω・ｃｍ〜約１０×１０^−６Ω・ｃｍの抵抗率を有する。また、連続した配線パターン１４に含まれた孔は、約１０ｎｍ〜約１００μｍの大きさを有する。

【0022】

１つの実施形態では、連続した配線パターン１４をキャリア１８上に形成するステップは、約８０％〜８５％の固形分を有する金属接着剤（図示されていない）を提供するステップ、金属接着剤の連続したパターン１４をキャリア１８上に形成するステップ、およびキャリア１８に対して焼結プロセスを行うステップを含む。焼結プロセスは、約３００℃〜約３５０℃の焼結温度と約３０分〜約４０分の焼結時間を有する。

【0023】

次いで、高分子材料１２’は、例えばコーティングプロセスを用いて連続した配線パターン１４とキャリア１８をカバーし、高分子材料１２’が孔（図示されていない）に充填される。高分子材料１２’は、ポリイミド（ＰＩ）またはポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）を含むことができる。

【0024】

１つの実施形態では、連続した配線パターン１４とキャリア１８上に高分子材料１２’をカバーするステップは、約５％〜３０％の固形分を有するポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）（図示されていない）を提供するステップ、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）層１２’を連続した配線パターン１４とキャリア１８上に形成するステップ、およびキャリア１８に対して焼成プロセスを行うステップを含む。焼成プロセスは、約５０℃〜約１８０℃の焼結温度と約１０分〜約３０分の焼成時間を有する。

【0025】

もう１つの実施形態では、連続した配線パターン１４とキャリア１８上に高分子材料１２’をカバーするステップは、約５％〜４０％の固形分を有するポリイミド（ＰＩ）（図示されていない）を提供するステップ、ポリイミド（ＰＩ）層１２’を連続した配線パターン１４とキャリア１８上に形成するステップ、およびキャリア１８に対して焼成プロセスを行うステップを含む。焼成プロセスは、約５０℃〜約２１０℃の焼結温度と約３０分〜約６０分の焼成時間を有する。

【0026】

次いで、高分子材料１２’とキャリア１８は、例えば、切断プロセスを用いて分割され、連続した配線パターン１４が埋め込まれたフレキシブル基板１２を形成する。

【0027】

この実施形態では、図３Ｃに示されるように、連続した配線パターン１４は、フレキシブル基板１２内の領域に埋め込まれる。

【0028】

図４Ａ〜４Ｄを参照に、本発明の１つの実施形態に従って配線が埋め込まれたフレキシブル基板を形成する方法が提供される。まず、図４Ａに示されるように、キャリア１８０が提供される。キャリア１８０は、ガラスまたは金属を含むことができる。

【0029】

次いで、連続した配線パターン１４０は、キャリア１８０に形成される。連続した配線パターン１４０は、複数の孔（図示されていない）を含む。この実施形態では、複数の孔を含む連続した配線パターン１４０をキャリア１８０上に形成するステップは、例えば、スクリーン印刷プロセスを用いて連続した配線パターン１４０をキャリア１８０上に形成することができる。次いで、約２５０℃〜約３００℃の焼結温度で連続した配線パターン１４０に対して焼結プロセスを行い、複数の孔を含む連続した配線パターン１４０を形成する。配線パターン１４０は、例えば、銀、銅、ニッケル、またはその合金を含むことができる。配線パターン１４０は、約１．６×１０^−６Ω・ｃｍ〜約１０×１０^−６Ω・ｃｍの抵抗率を有する。連続した配線パターン１４に含まれた孔は、約１０ｎｍ〜約１００μｍの大きさを有する。

【0030】

次いで、高分子材料１２０は、例えばコーティングプロセスを用いて連続した配線パターン１４０とキャリア１８０をカバーし、高分子材料１２０’が孔（図示されていない）に充填される。高分子材料１２０’は、ポリイミド（ＰＩ）またはポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）を含むことができる。

【0031】

次いで、高分子材料１２０’とキャリア１８０は、例えば、切断プロセスを用いて分割され、連続した配線パターン１４０が埋め込まれたフレキシブル基板１２０を形成する。

【0032】

次いで、例えば、プラズマプロセスなどの表面処理プロセス２００が連続した配線パターン１４０が埋め込まれたフレキシブル基板１２０に行われ、連続した配線パターン１４０を露出する。

【0033】

この実施形態では、連続した配線パターン１４０は、図４Ｄに示されるように、フレキシブル基板１２０の表面近傍の領域に埋め込まれる。

【0034】

本発明では、フレキシブル基板に金属線を埋め込むことができるフルプリンティング（ｆｕｌｌ−ｐｒｉｎｔｉｎｇ）基板構造設計が開発されて、現在の基板と配線との信頼性と接着強度が乏しい問題を解決する。この製造手順の簡易化は、最適な利点を提供し、フレキシブル電子、フレキシブルプリント回路、ＬＥＤなどの関連産業に広く用いられている。本発明では、金属線が埋め込まれたフレキシブル基板構造は、金属線とキャリアとの接着強度が乏しいことを示しているが、用いられる高分子材料がコーティングされて成型された後、高分子材料と金属線は、キャリアから容易に取り下ろされて、金属線がはめ込まれた高分子材料を形成することができる。これは、構造の高い耐屈曲性、および基板と配線との高い接着強度を有するため、配線が基板から剥離し難くなる。

【0035】

上述のフレキシブル基板構造では、高分子材料は、配線の孔を充填して浸透するため、金属線は、高分子材料によって効果的にコーティングされ、金属線が高分子基板内に埋め込まれるか、または高分子基板の表面近傍に埋め込まれ、金属線に耐熱性、耐半田性、耐屈曲性、薄化、および高電子伝導性（ｒａｐｉｄｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ）などの特性を持たせる。また、本発明によって開発された新しいフレキシブル基板導体回路構造は、超薄型高分子基板と回路の形成に用いられることができ、全体の集積（ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）の薄化を達成し、例えば、フレキシブルＬＥＤパッケージ基板、タッチパネル、ディスプレイなどのフレキシブルディスプレイに効果的に用いられている。また、この構造は、高出力電子チップの接着、およびパッケージングと電子回路の薄化にも用いられることができる。

【0036】

実施例

【0037】

実施例１

【0038】

配線が埋め込まれたフレキシブル基板の準備（１）およびその特性の分析

【0039】

図３Ａ〜３Ｃを参照すると、まず、図３Ａに示されるように、キャリア１８が提供される。キャリア１８は、ガラスで構成される。

【0040】

次いで、連続した配線パターン１４がキャリア１８上に形成される。連続した配線パターン１４は、複数の孔（図示されていない）を含む。この実施例では、複数の孔を含む連続した配線パターン１４をキャリア１８上に形成するステップは、Ｃ_１１Ｈ_２３ＯＯＡｇ（８ｇ）をキシレン（ｘｙｌｅｎｅ）（１６ｍｌ）に溶かし、溶液を形成するステップ、その溶液を１００ｎｍ〜３００ｎｍ（４０ｇ）の大きさを有する球状金属銀粉末と混合し、８５％の固形分を有する導電銀接着剤（１００，０００ｃｐの粘度を有する）を準備するステップ、スクリーン印刷プロセス（メッシュ：３２５）を用いて、連続した配線パターン１４をキャリア１８上に形成するステップ、および約３００℃の焼結温度で連続した配線パターン１４に対して約３０分間、焼結プロセスを行い、複数の孔を含む連続した配線パターン１４を形成するステップを含む。連続した配線パターン１４に含まれた孔は、１０ｎｍ〜１００μｍの大きさを有する。

【0041】

次いで、高分子材料１２’は、コーティングプロセスを用いて連続した配線パターン１４とキャリア１８をカバーし、高分子材料１２’が孔（図示されていない）に充填される。この実施例では、連続した配線パターン１４とキャリア１８上に高分子材料１２’をカバーするステップは、３００μｍスクレーパを用いて、約２０％の固形分を有するポリイミド（ＰＩ）溶液（２４ｍｌのジメチルアセトアミドに６ｇのＰＩを溶かし、溶液を形成する）を、連続した配線パターン１４とキャリア１８にコーティングし、ポリイミド（ＰＩ）膜を形成するステップ、およびポリイミド（ＰＩ）膜に対して焼成プロセスを行い、透明なポリイミド（ＰＩ）薄膜を得る。焼成プロセスでは、ポリイミド（ＰＩ）膜は、５０℃で３０分間、１４０℃で３０分間と、２１０℃で６０分間、焼成される。

【0042】

次いで、高分子材料１２’とキャリア１８は、切断プロセスを用いて分割され、連続した配線パターン１４が埋め込まれたフレキシブル基板１２を形成する。切断プロセスは、簡単な機械の切断プロセスである。

【0043】

この実施形態では、図３Ｃに示されるように、連続した配線パターン１４は、フレキシブル基板１２内の領域に埋め込まれる。

【0044】

次いで、この実施例で準備された配線が埋め込まれたフレキシブル基板の特性（フレキシブル基板と配線との接着強度、配線の抵抗率）が分析され、その曲げ試験とはんだ耐久試験も行われる。その結果は、表１に示される。

【0045】

実施例２

【0046】

配線が埋め込まれたフレキシブル基板の準備（２）およびその特性の分析

【0047】

図３Ａ〜３Ｃを参照すると、まず、図３Ａに示されるように、キャリア１８が提供される。キャリア１８は、ステンレス鋼で構成される。

【0048】

【0049】

次いで、高分子材料１２’は、コーティングプロセスを用いて連続した配線パターン１４とキャリア１８をカバーし、高分子材料１２’が孔（図示されていない）に充填される。この実施例では、連続した配線パターン１４とキャリア１８上に高分子材料１２’をカバーするステップは、５００μｍスクレーパを用いて、約１５％の固形分を有するポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）溶液（３４ｍｌのジメチルアセトアミドに６ｇのＰＶＤＦを溶かし、溶液を形成する）を、連続した配線パターン１４とキャリア１８にコーティングし、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）膜を形成するステップ、およびポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）膜に対して焼成プロセスを行い、透明なポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）薄膜を得る。焼成プロセスでは、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）膜は、８０℃で１０分間と、１８０℃で３０分間、焼成される。

【0050】

【0051】

この実施形態では、図３Ｃに示されるように、連続した配線パターン１４は、フレキシブル基板１２内の領域に埋め込まれる。

【0052】

【0053】

実施例３

【0054】

配線が埋め込まれたフレキシブル基板の準備（３）およびその特性の分析

【0055】

図４Ａ〜４Ｄを参照すると、まず、図４Ａに示されるように、キャリア１８０が提供される。キャリア１８０は、ガラスで構成される。

【0056】

次いで、連続した配線パターン１４０がキャリア１８０上に形成される。連続した配線パターン１４０は、複数の孔（図示されていない）を含む。この実施例では、複数の孔を含む連続した配線パターン１４０をキャリア１８０上に形成するステップは、Ｃ_１１Ｈ_２３ＯＯＡｇ（８ｇ）をキシレン（ｘｙｌｅｎｅ）（１６ｍｌ）に溶かし、溶液を形成するステップ、その溶液を１００ｎｍ〜３００ｎｍ（４０ｇ）の大きさを有する球状金属銀粉末と混合し、８５％の固形分を有する導電銀接着剤（１００，０００ｃｐの粘度を有する）を準備するステップ、スクリーン印刷プロセス（メッシュ：３２５）を用いて、連続した配線パターン１４０をキャリア１８０上に形成するステップ、および約３００℃の焼結温度で連続した配線パターン１４０に対して約３０分間、焼結プロセスを行い、複数の孔を含む連続した配線パターン１４０を形成するステップを含む。連続した配線パターン１４０に含まれた孔は、１０ｎｍ〜１００μｍの大きさを有する。

【0057】

次いで、高分子材料１２０’は、コーティングプロセスを用いて連続した配線パターン１４０とキャリア１８０をカバーし、高分子材料１２０’が孔（図示されていない）に充填される。この実施例では、連続した配線パターン１４０とキャリア１８０上に高分子材料１２０’をカバーするステップは、５００μｍスクレーパを用いて、約２０％の固形分を有するポリイミド（ＰＩ）溶液（２４ｍｌのジメチルアセトアミドに６ｇのＰＩを溶かし、溶液を形成する）を、連続した配線パターン１４０とキャリア１８０にコーティングし、ポリイミド（ＰＩ）膜を形成するステップ、およびポリイミド（ＰＩ）膜に対して焼成プロセスを行い、透明なポリイミド（ＰＩ）薄膜を得る。焼成プロセスでは、ポリイミド（ＰＩ）膜は、５０℃で３０分間、１４０℃で３０分間と、２１０℃で６０分間、焼成される。

【0058】

次いで、高分子材料１２０’とキャリア１８０は、切断プロセスを用いて分割され、連続した配線パターン１４０が埋め込まれたフレキシブル基板１２０を形成する。切断プロセスは、簡単な機械の切断プロセスである。

【0059】

次いで、表面処理プロセス２００が連続した配線パターン１４０が埋め込まれたフレキシブル基板１２０に行われ、連続した配線パターン１４０を露出する。表面処理プロセス２００は、プラズマプロセスである。

【0060】

この実施形態では、図４Ｄに示されるように、連続した配線パターン１４０は、フレキシブル基板１２０の表面近傍の領域に埋め込まれる。

【0061】

【0062】

比較例１

【0063】

従来のフレキシブル基板上に配線が形成されたフレキシブル基板の準備（３）およびその特性の分析

【0064】

まず、基板が提供される。基板は、ポリイミド（ＰＩ）を含む。

【0065】

次いで、配線パターンが基板上に形成される。この実施例では、配線パターンを基板上に形成するステップは、Ｃ_１１Ｈ_２３ＯＯＡｇをキシレンに溶かし、溶液を形成するステップ、その溶液を１００ｎｍ〜３００ｎｍの大きさを有する球状金属銀粉末と混合し、８５％の固形分を有する導電銀接着剤を準備するステップ、およびスクリーン印刷プロセス（メッシュ：３２５）を用いて、配線パターンを基板上に形成するステップを含む。

【0066】

次いで、この実施例で準備された、フレキシブル基板上に配線が形成されたフレキシブル基板の特性（フレキシブル基板と配線との接着強度、配線の抵抗率）が分析され、その曲げ試験とはんだ耐久試験も行われる。その結果は、表１に示される。

【表1】