特開2015-201633(P2015-201633A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特開2015-20163313族窒化物自立基板へのドーパント導入方法、13族窒化物自立基板、半導体素子の製造方法、LED素子の製造方法、およびLED素子
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  • 特開2015201633-13族窒化物自立基板へのドーパント導入方法、13族窒化物自立基板、半導体素子の製造方法、LED素子の製造方法、およびLED素子 図000005
  • 特開2015201633-13族窒化物自立基板へのドーパント導入方法、13族窒化物自立基板、半導体素子の製造方法、LED素子の製造方法、およびLED素子 図000006
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