発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

特許文献１は、ワイヤと半導体チップ上の電極パッドとを接合するために半田を用いているため、電極パッドに半田を配置させる工程が必要であるという問題があった。また、熱圧着時の温度が１７０℃であり、加熱に要するエネルギーが大きいという問題があった。 特許文献２には、所定の温度でボンディングチップが加熱されることが記載されているが、具体的な加熱温度の値は記載されていない。 特許文献３の００２１段落から００２２段落には、銅製のリードの幅が０．３５ｍｍであることが記載されている。特許文献３の方法では、本発明とは素材やリードの幅が異なり、本発明が対象としている直径５００μｍ以上６００μｍ以下のワイヤを接合できないという問題があった。 特許文献４は、加熱されて加圧成形して形成された薄肉部は、電極と接合されるワイヤの接合部ではなく、ワイヤのループ部分であり、本発明の超音波振動を加える部位の温度は記載されていない。従って、本発明のようにワイヤボンディング時のワイヤボンディングされる部位の温度が、５０℃以上１００℃以下であることは記載されていない。 特許文献５は、半導体素子上の第１電極と前記半導体素子の外部に配置された第２電極との双方に直径５０μｍ超２ｍｍ以下のワイヤをウェッジ接合により接合して前記両電極を電気的に接続する超音波ワイヤボンディング装置であって、前記ワイヤに先端を係合させる接合ツールと、前記ワイヤを前記接合ツールに供給するワイヤフィード機構と、前記接合ツールに超音波振動を加える振動伝達機構と、前記接合ツールに荷重を加え、前記電極に接合される前記ワイヤの接合部位を加圧する加圧機構とを有し、前記ワイヤの前記接合部位を加熱する加熱機構を更に有することを特徴とする超音波ワイヤボンディング装置を開示している。特許文献５は銅ワイヤを対象としており、その加熱する温度範囲も広い。しかし、本発明は、アルミニウム合金製ワイヤを対象としており、アルミニウム合金製ワイヤ特有の課題があるため、本発明の課題を解決することができない。 の課題を解決するべく、鋭意研究を行った結果、直径の太いワイヤを加熱と加圧を伴って超音波で接合させる際に、加熱温度が高すぎると接合領域内に未接合の領域が生じることを発見した。そこで、本発明は、直径５００μｍ以上６００μｍ以下のワイヤを半導体素子上の電極へワイヤボンディングできる半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、直径５００μｍ以上６００μｍ以下のワイヤを電極へワイヤボンディングできるワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法を提供できる。