技術分野
この発明は、パワー半導体モジュールなどの半導体装置およびその製造方法
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】安価な設備で半導体装置の樹脂の外観色を変更でき、耐熱性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】本発明の半導体装置は、AMB基板1と、AMB基板1に電気的に接続された半導体チップ11と、半導体チップ11と電気的に接続された外部端子13と、AMB基板1、半導体チップ11、外部端子13の一部を封止し、着色剤を含有しない樹脂であって、ガラス転移温度が210℃以上である第1樹脂組成物15と、第1樹脂組成物15の表面を被覆し、第1樹脂組成物15より高いガラス転移温度を有し、着色剤を含有する第2樹脂組成物16とを備える。 【選択図】図1
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
従来の半導体装置200で着色された樹脂組成物20の色を変更するには、例えば、顔料を添加した樹脂を用いて、高価なトランスファー法により樹脂組成物20を成型する方法が行われる。しかし、樹脂への顔料添加により、樹脂の不純物濃度が上がり腐食の可能性が高まり、樹脂組成物20の耐湿性が低下するという問題が発生する。また、前記したように、現状の樹脂組成物20の耐熱性は必ずしも要望を十分に満足していない。
耐湿性および耐熱性が低い樹脂組成物20で被覆された半導体装置200が、高温環境下に晒されると、樹脂組成物20に割れ、カケまたは剥離などが生じて絶縁破壊を起こす可能性がある。
また、特許文献1では、第1樹脂および第2樹脂のガラス転移温度Tgが100℃、130℃と低いために、耐熱性が低いものと推測される。
また、特許文献2では、第1の樹脂と第2の樹脂の接着強度を高めることは記載されているが、樹脂のガラス転移温度Tgが低く耐熱性が低いものと推測される。
また、特許文献3では、第2の樹脂は導電性であり、絶縁性が要求される樹脂には用いられない。
前記の特許文献1〜4では、樹脂組成物の表面に色をつけるために、樹脂組成物よりもガラス転移温度Tgが高く絶縁性の樹脂粉体と、着色剤とを含んだ混合物で樹脂組成物の表面に絶縁被膜にさらに形成することについては記載されていない。
この発明の目的は、前記の課題を解決して、安価な設備で樹脂組成物20の色の変更ができて、耐熱性の向上を図ることができる半導体装置およびその製造方法を提供することである。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
前記の目的を達成するために、本発明の第1の態様は、AMB基板と、前記AMB基板に電気的に接続された半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続された外部端子と、前記AMB基板、前記半導体チップ、前記外部端子の一部を封止し、着色剤を含有しない樹脂であって、ガラス転移温度が210℃以上である第1樹脂組成物と、前記第1樹脂組成物の表面を被覆し、前記第1樹脂組成物より高いガラス転移温度を有し、着色・・・ 続きを
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【発明の効果】
本発明によれば、簡便な設備で半導体装置の樹脂の外観色を変更でき、耐熱性の向上を図ることができ、製造コストを低減できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】 本発明に係る一実施例の半導体装置の要部断面図である。
【図2】 図1の半導体装置の製造方法を説明する工程図である。
【図3】 比較例1または2の半導体装置の要部断面図である。
1 AMB基板
2 セラミック板
3,4 厚銅板
5 絶縁回路基板
6 絶縁板
7,8 銅板
9 銅ピン
10,12,14 はんだ
11 半導体チップ
13 外部端子
15 第1樹脂組成物
16 樹脂被膜(第2樹脂組成物)
20 樹脂組成物
21 恒温槽
22 流動槽
23 着色剤を含有した樹脂粉体
24 被覆材
25 多孔質の上げ底板
26 ブロア
100,200 半導体装置
S1 第1工程
S2 第2工程
T 樹脂被膜の厚さ
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