特開2015-207780IP Force 特許公報全文掲載

ホーム > 特許ランキング > 富士電機株式会社 > 特開2015-207780

技術分野

ワイドバンドギャップ半導体上に形成された金属／ワイドバンドギャップ半導体界面を有し、ワイドバンドギャップ半導体と金属膜との界面の一部がショットキー界面であるようなワイドバンドギャップ半導体装置に関するものである。

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】ワイドバンドギャップ半導体デバイスにおいて、金属／ワイドバンドギャップ半導体界面を有する装置の逆方向電圧印加時のリーク電流の増加や、オン抵抗の増加を抑制する。
【解決手段】第１導電型の高濃度ワイドバンドギャップ半導体基板１と、第１導電型の高濃度ワイドバンドギャップ半導体基板上に形成された第１導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜２と、第１導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜上に形成され、第１導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜との間でショットキー界面領域を構成する金属膜８と、第１導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜の金属膜周辺部に対応する領域に形成された第２導電型の領域１２とを含む。第１導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜におけるショットキー界面領域は、第２導電型の領域１２に囲まれて複数個の周期的な島領域を構成している。
【選択図】図１

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、ワイドバンドギャップ半導体デバイスにおいて、金属／ワイドバンドギャップ半導体界面を有する装置の逆方向電圧印加時のリーク電流の増加や、オン抵抗の増加を抑制することを課題とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

課題は、次のようなワイドバンドギャップ半導体装置により解決される。（１）第１導電型の高濃度ワイドバンドギャップ半導体基板と、該第１導電型の高濃度ワイドバンドギャップ半導体基板上に形成された第１導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜と、該第１導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜上に形成され、該第１導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜との間でショットキー界面・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明によれば、ワイドバンドギャップ半導体上に形成されたショットキー界面を有する装置において、金属堆積膜と第１導電型の界面がショットキー界面である領域の周囲を第２導電型の領域に囲まれている構造で周期的に配置されているＪＢＳ構造を持つダイオードを設計することで、第２導電型の領域によって増加するオン抵抗の増加を回避できるとともに、リーク電流の抑えられた装置を製造できる。さらに、低ショットキーバリアハイトを持つショットキー界面を形成することや第１導電型半導体の不純物濃度を上げることでオン抵抗低減の効果を増加させることができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】ＳｉＣ−ＪＢＳ構造ダイオードを説明するための断面図である。

【図2】第一実施形態として示したＳｉＣショットキーバリアダイオードのマスクレイアウト図である。

【図3】ＳｉＣ−ＪＢＳ構造ダイオードの製造工程を説明するための断面図である。

【図4】ＳｉＣ−ＪＢＳ構造ダイオードの第１導電型半導体の幅とオン抵抗の関係を表した図である。

【図5】ＳｉＣ−ＪＢＳ構造ダイオードの第１導電型半導体の幅と耐圧の関係を表した図である。

【図6】第二実施形態として示したＳｉＣショットキーバリアダイオードのマスクレイアウト図である。

【図7】第三実施形態として示したＳｉＣショットキーバリアダイオードのマスクレイアウト図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

１ 高濃度ｎ型ＳｉＣ基板　　 ２ 低濃度ｎ型ＳｉＣ堆積膜　　 ３ チャンネルストッパー　　 ４ ｐ型不純物領域（終端）　　 ５ ｐ型不純物領域（ＦＬＲ）　　 ６ オーミック電極　　 ７ 層間絶縁膜　　 ８ ショットキー電極　　 ９ 電極パッド　　 １０ パッシベーション膜　　 １１ ボンディングワイヤー　　 １２ ｐ型不純物領域（ＪＢＳ）

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

［広告欄］

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります

Copyright © Science Impact Inc. All Rights Reserved.