発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、第２〜４従来例では、ＩＣの基準定電流源とする場合、ＩＣの特性を調整するために飽和電流量（電流能力）を変更するための設計変更が必要な場合があるが、次の問題が生じる。第２従来例では、ｎ型オフセット拡散領域１１６の不純物濃度を変更して飽和電流量を調整する場合、ｎ型オフセット拡散領域１１６の、ゲート電極１０９の直下の部分（ゲート絶縁膜１０８を介してゲート電極１０９に対向する部分）の不純物濃度は最適値となるが、ｎ型オフセット拡散領域１１６の、ｎ⁺型ドレイン領域１０５付近の不純物濃度が最適な濃度からずれるため、耐圧特性を維持することができない。すなわち、耐圧特性を維持し、かつ十分な飽和電流量を確保するためのｎ型オフセット拡散領域１０６の不純物濃度調整の自由度が低い。 第３従来例では、第２従来例と同様に、ｎ型オフセット拡散領域１２６の不純物濃度を変更して飽和電流量を調整する場合、耐圧特性を維持することができない。すなわち、第３従来例においてもｎ型オフセット拡散領域１２６の不純物濃度調整の自由度が低い。また、第３従来例では、ＬＯＣＯＳ膜１１７を形成するための熱酸化処理により、シリコン部のｐ型不純物がＬＯＣＯＳ膜１１７に吸い出され、ＬＯＣＯＳ膜１１７との界面付近においてシリコン部のｐ型不純物濃度が低くなる。一方、ｎ型不純物はパイルアップにより再分布し、ＬＯＣＯＳ膜１１７との界面付近においてシリコン部のｎ型不純物濃度が高くなる。このため、ｎ型オフセット拡散領域１２６の、ＬＯＣＯＳ膜１１７の直下の部分（ＬＯＣＯＳ膜１１７に対向する部分）の正味の不純物濃度が高くなってしまう。の現象を考慮してｎ型オフセット拡散領域１２６の不純物濃度を最適化することで、耐圧特性を維持することができるが、この場合、ｎ型オフセット拡散領域１２６の、ゲート電極１０９の直下の部分の不純物濃度が低くなり、この部分の拡散深さが他の部分よりも浅くなるため、十分な飽和電流量を確保することができない。 第４従来例では、ｎ型オフセット拡散領域１０６およびｎ型拡散領域１３６によって、ＬＯＣＯＳ膜１１７およびゲート電極１０９の直下の部分におけるシリコン部のｎ型不純物濃度をそれぞれ最適化可能である。このため、十分な飽和電流量を確保することができるが、ｎ型オフセット拡散領域１０６とｎ型拡散領域１３６とが重なる部分１３６ａのｎ型不純物濃度が高くなり、耐圧が低下する虞がある。したがって、ｎ型拡散領域１３６の不純物濃度範囲の上限値が制限される。 この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、耐圧特性を維持して所定の電流能力を確保することができ、かつ微細化を図ることができる半導体装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる半導体装置によれば、耐圧特性を維持して所定の電流能力を確保することができ、かつ微細化を図ることができるという効果を奏する。