【解決手段】一次コイル及び二次コイルを有する少なくとも4層のコイル層が備えられており、前記コイル層のうち最下層に位置した一次コイル及び二次コイルそれぞれの開始点から、前記コイル層のうち最上層に位置した一次コイル及び二次コイルそれぞれの終了点までが、それぞれ直列に連結されるようにする不連続部を含み、小型化されながらも、インピーダンス特性が向上されることができるコモンモードフィルタを提供する。
前記コイル層それぞれに備えられた前記一次コイル及び前記二次コイルは、同一平面上で所定の間隔だけ互いに離隔して螺旋状に備えられる、請求項1に記載のコモンモードフィルタ。
2N個の前記コイル層が備えられ、前記不連続部は、3層以上の全ての奇数層の上部にそれぞれ備えられており、前記Nは3以上の自然数である、請求項1から6のいずれか1項に記載のコモンモードフィルタ。
前記第1一次外部電極、前記第2一次外部電極、前記第1二次外部電極、及び前記第2二次外部電極の少なくとも一つの外面に接触される外部めっき端子をさらに含む、請求項10に記載のコモンモードフィルタ。
第1一次外部端子に一端が連結され、第1一次内部端子に他端が連結される第1一次コイル、及び第1二次外部端子に一端が連結され、第1二次内部端子に他端が連結される第1二次コイルを含む第1コイル層を形成する段階と、
第2一次外部端子に一端が連結され、第2一次内部端子に他端が連結される第2一次コイル、及び第2二次外部端子に一端が連結され、第2二次内部端子に他端が連結される第2二次コイルを含む第2コイル層を、前記第1コイル層の上部に形成する段階と、
第3一次外部端子に一端が連結され、第3一次内部端子に他端が連結される第3一次コイル、及び第3二次外部端子に一端が連結され、第3二次内部端子に他端が連結される第3二次コイルを含む第3コイル層を、前記第2コイル層の上部に形成する段階と、
第4一次外部端子に一端が連結され、第4一次内部端子に他端が連結される第4一次コイル、及び第4二次外部端子に一端が連結され、第4二次内部端子に他端が連結される第4二次コイルを含む第4コイル層を、前記第3コイル層の上部に形成する段階と、を含み、
前記第3一次外部端子の上面と前記第4一次外部端子の下面との間には、絶縁物質からなる第1不連続部が備えられ、
前記第3二次外部端子の上面と前記第4二次外部端子の下面との間には、絶縁物質からなる第2不連続部が備えられる、コモンモードフィルタの製造方法。
前記第4一次外部端子の上面に一次外部電極を形成し、前記第4二次外部端子の上面に二次外部電極を形成する段階をさらに含む、請求項27に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
前記一次外部電極の外面の少なくとも一部に接触される一次外部めっき端子を形成し、前記二次外部電極の外面の少なくとも一部に接触される二次外部めっき端子を形成する段階をさらに含む、請求項28に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【
図1】本発明の一形態によるコモンモードフィルタを概略的に例示した斜視図である。
【
図3b】
図1のIII‐III´線の断面図である。
【
図4a】本発明の一形態によるコモンモードフィルタの第1コイル層を概略的に例示した平面図である。
【
図4b】本発明の一形態によるコモンモードフィルタの第2コイル層を概略的に例示した平面図である。
【
図4c】本発明の一形態によるコモンモードフィルタの第3コイル層を概略的に例示した平面図である。
【
図4d】本発明の一形態によるコモンモードフィルタの第4コイル層を概略的に例示した平面図である。
【
図5】本発明の一形態による一次コイルの連結関係を概略的に例示した模式図である。
【
図6】本発明の他の形態によるコモンモードフィルタを概略的に例示した斜視図である。
【
図8】本発明の一形態による信号伝達モジュールを概略的に例示したブロック図である。
【
図9】本発明の一形態によるコモンモードフィルタを概略的に例示した回路図である。
【
図10a】本発明の一形態によるコモンモードフィルタの製造方法を説明するための図面であって、第1コイル層を形成する過程を
図1のI‐I´線の断面で概略的に例示した工程断面図である。
【
図10b】本発明の一形態によるコモンモードフィルタの製造方法を説明するための図面であって、第2コイル層を形成する過程を
図1のI‐I´線の断面で概略的に例示した工程断面図である。
【
図10c】本発明の一形態によるコモンモードフィルタの製造方法を説明するための図面であって、第3コイル層を形成する過程を
図1のI‐I´線の断面で概略的に例示した工程断面図である。
【
図10d】本発明の一形態によるコモンモードフィルタの製造方法を説明するための図面であって、第4コイル層を形成する過程を
図1のI‐I´線の断面で概略的に例示した工程断面図である。
【
図10e】本発明の一形態によるコモンモードフィルタの製造方法を説明するための図面であって、第4コイル層を形成する過程を
図1のIII‐III´線の断面で概略的に例示した工程断面図である。
【
図11a】本発明の一形態によるコモンモードフィルタの製造方法で用いられるマスクの平面図であって、第1層用マスクの平面図である。
【
図11b】本発明の一形態によるコモンモードフィルタの製造方法で用いられるマスクの平面図であって、第2層用マスクの平面図である。
【
図11c】本発明の一形態によるコモンモードフィルタの製造方法で用いられるマスクの平面図であって、第3層用マスクの平面図である。
【
図11d】本発明の一形態によるコモンモードフィルタの製造方法で用いられるマスクの平面図であって、第4層用マスクの平面図である。
【
図11e】本発明の一形態によるコモンモードフィルタの製造方法で用いられるマスクの平面図であって、第1マスクの平面図である。
【
図11f】本発明の一形態によるコモンモードフィルタの製造方法で用いられるマスクの平面図であって、第2マスクの平面図である。
【
図11g】本発明の一形態によるコモンモードフィルタの製造方法で用いられるマスクの平面図であって、第3マスクの平面図である。
【
図11h】本発明の一形態によるコモンモードフィルタの製造方法で用いられるマスクの平面図であって、
図11gの第3マスクを反時計方向に90度回転した状態の平面図である。
【
図11i】本発明の一形態によるコモンモードフィルタの製造方法で用いられるマスクの平面図であって、
図11dの第4層用マスクを反時計方向に90度回転した状態の平面図である。
【
図12】本発明の他の形態によるコモンモードフィルタを
図1のI‐I´線に沿って切断した断面を概略的に例示した断面図である。
【
図13a】本発明の他の形態によるコモンモードフィルタを
図1のII‐II´線に沿って切断した断面を概略的に例示した断面図である。
【
図13b】本発明のさらに他の形態によるコモンモードフィルタを
図1のII‐II´線に沿って切断した断面を概略的に例示した断面図である。
【
図14a】本発明の他の形態によるコモンモードフィルタの第2N‐1コイル層を概略的に例示した平面図である。
【
図14b】本発明の他の形態によるコモンモードフィルタの第2Nコイル層を概略的に例示した平面図である。
【
図14c】本発明のさらに他の形態によるコモンモードフィルタの第2Nコイル層を概略的に例示した平面図である。
【
図15】本発明の他の形態による一次コイルの連結関係を概略的に例示した模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを果たす方法は、添付図面とともに詳細に後述される実施形態を参照すると明確になるであろう。しかし、本発明は以下で開示される実施形態に限定されず、相異なる多様な形態で具現されることができる。本実施形態は、本発明の開示が完全になるようにするとともに、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に伝達するために提供されることができる。明細書全体において、同一参照符号は同一構成要素を示す。
【0018】
本明細書で用いられる用語は、実施形態を説明するためのものであり、本発明を限定しようとするものではない。本明細書で、単数形は文句で特別に言及しない限り複数形も含む。明細書で用いられる「含む(comprise)」及び/または「含んでいる(comprising)」は言及された構成要素、段階、動作及び/または素子は一つ以上の他の構成要素、段階、動作及び/または素子の存在または追加を排除しない。
【0019】
図示の簡略化および明瞭化のために、図面は一般的な構成方式を図示しており、本発明の説明において実施形態の論議を不明瞭にすることを避けるために、公知の特徴および技術に関する詳細な説明を省略することができる。さらに、図面の構成要素は必ずしも縮尺によって図示されたものではない。例えば、本発明の実施形態を容易に理解するために、図面の一部の構成要素のサイズが他の構成要素より誇張されることができる。互いに異なる図面における同一の参照符号は同一の構成要素を示し、必ずしもそうではないが、類似した参照符号は類似した構成要素を示すことができる。
【0020】
明細書および請求範囲において、「第1」、「第2」、「第3」および「第4」等の用語が記載されている場合、類似した構成要素同士を区別するために用いられ、必ずしもそうではないが、特定の順次または発生順序を記述するために用いられる。そのように用いられる用語は、ここに記述された本発明の実施形態が、例えば、ここに図示または説明されたものではなく他のシーケンスで動作するように適切な環境下で互換可能であることを理解することができる。同様に、ここで、方法が一連の段階を含むと記述される場合、ここに提示されたそのような段階の順序が必ずしもそのような段階が実行される順序ではなく、任意に記述された段階は省略することができ、および/またはここに記述されていない任意の他の段階をその方法に付加することができる。
【0021】
明細書および請求範囲において、「左側」、「右側」、「前」、「後」、「上部」、「底部」、「上に」、「下に」等の用語が記載されている場合には、説明のために用いられるものであり、必ずしも不変の相対的な位置を記述するためのものではない。そのように用いられる用語は、ここに記述された本発明の実施形態が、例えば、ここに図示または説明されたものではなく他の方向に動作するように適切な環境下で互換可能であることを理解することができる。ここで用いられた用語「連結された」は、電気的または非電気的な方式で直接または間接的に接続されることで定義される。ここで、互いに「隣接する」と記述された対象は、その文章が用いられる文脈に対して適切に、互いに物理的に接触するか、互いに近接するか、互いに同一の一般的な範囲または領域に存在することができる。ここで、「一実施形態において」という文章は、必ずしもそうではないが、同一の実施形態を意味する。
【0022】
以下、添付の図面を参照して本発明の構成および作用効果についてより詳細に説明する。
【0023】
図1は本発明の一形態によるコモンモードフィルタ100を概略的に例示した斜視図であり、
図2は
図1のI‐I´線の断面図であり、
図3aは
図1のII‐II´線の断面図であり、
図3bは
図1のIII‐III´線の断面図であり、
図3cは
図1のIV‐IV´線の断面図である。
【0024】
また、
図4aは本発明の一形態によるコモンモードフィルタ100の第1コイル層L1を概略的に例示した平面図であり、
図4bは本発明の一形態によるコモンモードフィルタ100の第2コイル層L2を概略的に例示した平面図であり、
図4cは本発明の一形態によるコモンモードフィルタ100の第3コイル層L3を概略的に例示した平面図であり、
図4dは本発明の一形態によるコモンモードフィルタ100の第4コイル層L4を概略的に例示した平面図である。
【0025】
また、
図5は本発明の一形態による一次コイルPCの連結関係を概略的に例示した図面である。
【0026】
図1から
図5を参照すれば、本発明の一形態によるコモンモードフィルタ100は、一次コイルPC及び二次コイルSCが備えられた4つのコイル層L1、L2、L3、L4を含む。ここで、4つのコイル層L1、L2、L3、L4を含む構成要素をコイル部120と称することができる。
【0027】
その他にも、コモンモードフィルタ100は、フェライトなどの磁性物質からなる基板110と、磁性体部130と、絶縁部122と、外部電極141、142、143、144と、外部めっき端子150と、を含むことができる。
【0028】
ここで、一次コイルPC及び二次コイルSCがともに同一平面上に螺旋状に形成された方式を同時コイル方式と称することができる。この同時コイル方式は、一次コイルと二次コイルとが互いに異なる層に備えられてなる、いわゆる単一コイル方式と区分される。
【0029】
この際、同一の線幅を有する導電パターンを用いて、同一の面積にコイルを形成して所定のインピーダンス特性を具現する場合、同時コイル方式のコモンモードフィルタは、単一コイル方式のコモンモードフィルタに比べ、より少ない層数で具現することができる。
【0030】
例えば、横×縦0.4mm×0.3mmのコモンモードフィルタで30〜35Ωのインピーダンスを具現する際に、同時コイル方式を適用する場合には2層のコイル層が必要であり、単一コイル方式を適用する場合には4層のコイル層が必要である。
【0031】
一方、同時コイル方式の従来のコモンモードフィルタは、ほとんどの場合、2層以下のコイル層を含む形態で具現していた。
【0032】
しかし、小型化しながらもインピーダンス特性を向上させるために、本発明の一形態によるコモンモードフィルタ100は、一次コイルPC及び二次コイルSCが備えられた4層以上のコイル層を含む。
【0033】
この際、各コイル層に備えられた一次コイル及び二次コイルは、他の層に形成された一次コイル及び二次コイルと直接接触されてはならず、そのために、導電パターンの間に絶縁部122が備えられる。また、各コイル層に備えられた一次コイル及び二次コイルは、内部端子及び外部端子を介して他のコイル層に備えられた一次コイルと連結される。
【0034】
図4aから
図4dを参照すれば、第1コイル層L1〜第4コイル層L4の平面形状が理解できる。
【0035】
例えば、一形態において、第1コイル層L1には、第1一次コイルPC1と第1二次コイルSC1とが所定の間隔で離隔した状態でともに螺旋状に形成されており、第1一次コイルPC1の一端には第1一次外部端子P1が連結され、第1一次コイルPC1の他端には第1一次内部端子PI1が連結されている。同様に、第1二次コイルSC1の一端には第1二次外部端子S1が連結され、第1二次コイルSC1の他端には第1二次内部端子SI1が連結されている。
【0036】
一方、第2コイル層L2〜第4コイル層L4も、上述の形態と類似の形態で構成されることができる。
【0037】
ここで、
図5を参照すれば、一形態において、第1一次外部端子P1‐第1一次コイルPC1‐第1一次内部端子PI1‐第1一次ビアPV1‐第2一次内部端子PI2‐第2一次コイルPC2‐第2一次外部端子P2‐第3一次外部端子P3‐第3一次コイルPC3‐第3一次内部端子PI3‐第2一次ビアPV2‐第4一次内部端子PI4‐第4一次コイルPC4‐第4一次外部端子P4の順に連結されることで、一次コイルの開始点から一次コイルの終了点までが直列に連結され得ることが理解できるであろう。
【0038】
勿論、図示していないが、二次コイルの場合にも、同一の方式で直列連結されて構成されることができる。すなわち、第1二次外部端子S1‐第1二次コイルSC1‐第1二次内部端子SI1‐第1二次ビアSV1‐第2二次内部端子SI2‐第2二次コイルSC2‐第2二次外部端子S2‐第3二次外部端子S3‐第3二次コイルSC3‐第3二次内部端子SI3‐第2二次ビアSV2‐第4二次内部端子SI4‐第4二次コイルSC4‐第4二次外部端子S4の順に連結されることで、二次コイルの開始点から二次コイルの終了点までが直列に連結され得ることが理解できるであろう。
【0039】
一方、
図8は本発明の一形態による信号伝達モジュール1000を概略的に例示したブロック図であり、
図9は本発明の一形態によるコモンモードフィルタ100を概略的に例示した回路図である。
【0040】
図8を参照すれば、本発明の一形態による信号伝達モジュール1000は、第1ターミナル200と、コモンモードフィルタ100と、第2ターミナル300と、を含む。また、コモンモードフィルタ100と第2ターミナル300との間には、必要に応じて、LCフィルタなどの多様なフィルタ400がさらに備えられていてもよい。
【0041】
この信号伝達モジュール1000は第1電子装置EDに備えられて、他の外部装置、例えば、
図8に例示の第2電子装置(second device)と信号を送受信する機能をすることができる。
【0042】
ここで、第1電子装置EDと第2電子装置とが所定のデータを送受信するためにディファレンシャルモード信号を送受信すると仮定すると、この信号の送受信過程で割り込むコモンモード信号がノイズとみなされ得る。コモンモードフィルタ100は、そのコモンモードノイズを減少させる機能をすることができる。
【0043】
先ず、第1ターミナル200は、第2電子装置と選択的に連結または遮断されることができる。
【0044】
そして、第1ターミナル200には、上述または後述のコモンモードフィルタ100が連結されることができる。
【0045】
また、第2ターミナル300は、コモンモードフィルタ100に直接連結されるか、またはフィルタ400などを介して連結されて、コモンモードノイズの少なくとも一部が除去された信号を出力する機能をすることができる。
【0046】
図9を参照すれば、本発明の一形態によるコモンモードフィルタ100は、一次コイルPCの開始点が第1一次外部端子P1であり、一次コイルPCの終了点が第4一次外部端子P4であることができる。また、二次コイルSCの開始点が第1二次外部端子S1であり、二次コイルSCの終了点が第4二次外部端子S4であることができる。
【0047】
上記のように、一次コイルの両端及び二次コイルの両端それぞれに端子が備えられることで、信号送受信経路上にコモンモードフィルタ100が連結されて、コモンモードノイズを除去する機能をすることができる。
【0048】
また、
図1から
図3cなどを参照すれば、一形態において、第1一次外部端子P1は第1一次外部電極141と連結され、第4一次外部端子P4は第2一次外部電極142と連結され、第1二次外部端子S1は第1二次外部電極143と連結され、第4二次外部端子S4は第2二次外部電極144と連結されることができる。さらに、第1一次外部電極141は第1一次外部めっき端子151と連結され、第2一次外部電極142は第2一次外部めっき端子152と連結され、第1二次外部電極143は第1二次外部めっき端子153と連結され、第2二次外部電極144は第2二次外部めっき端子154と連結されることができる。結果的に、第1一次外部めっき端子151が第1一次外部端子P1と連結され、第2一次外部めっき端子152が第4一次外部端子P4と連結され、第1二次外部めっき端子153が第1二次外部端子S1と連結され、第2二次外部めっき端子154が第4二次外部端子S4と連結されることになる。
【0049】
したがって、第1一次外部電極141または第1一次外部めっき端子151が第1ターミナル200に連結され、第1二次外部電極143または第1二次外部めっき端子153が第1ターミナル200に連結されることができる。
【0050】
また、第2一次外部電極142または第2一次外部めっき端子152が第2ターミナル300に連結され、第2二次外部電極144または第2二次外部めっき端子154が第2ターミナル300に連結されることができる。
【0051】
一方、
図4aから
図5を参照すれば、本発明の一形態によるコモンモードフィルタ100は、第1一次外部端子P1と第2一次外部端子P2は、垂直投影領域で互いに重ならない位置に備えられるが、第2一次外部端子P2、第3一次外部端子P3、及び第4一次外部端子P4は、垂直投影領域で互いに重なる位置に備えられる。これにより、
図9に例示されたようなコモンモードフィルタ100が具現されることができる。
【0052】
ここで、
図5を参照すれば、第2一次外部端子P2と第3一次外部端子P3とは直接連結されるが、第3一次外部端子P3と第4一次外部端子P4とは直接連結されてはならないことが理解できるであろう。
【0053】
上述のように、第2一次外部端子P2、第3一次外部端子P3、及び第4一次外部端子P4は、垂直投影領域で互いに重なる位置に備えられるため、第2一次外部端子P2と第3一次外部端子P3とが直接連結されるには問題ない。しかし、第3一次外部端子P3と第4一次外部端子P4は、垂直投影領域で互いに重なる位置に備えられながらも、直接連結されてはならないため、別の手段が必要である。この手段として、本発明の一形態によるコモンモードフィルタ100には、絶縁物質からなる第1不連続部DC1が第3一次外部端子P3と第4一次外部端子P4との間に備えられる。
【0054】
二次コイルについては、
図5のような模式図を別に図示していないが、上述の一次コイルの第1不連続部DC1と同様の原理で第2不連続部DC2が備えられることができる。
【0055】
図1から
図4dを参照すれば、本発明の一形態によるコモンモードフィルタ100は、外部電極141、142、143、144と、外部めっき端子150と、をさらに含むことができる。
【0056】
外部電極は第4コイル層L4の上部に備えられることができる。すなわち、第4一次外部端子P4の上部面に接触される第2一次外部電極142と、第4二次外部端子S4の上部面に接触される第2二次外部電極144と、が備えられることができる。
【0057】
一方、第1一次外部電極141は第1一次外部端子P1の上部に備えられ、第1二次外部電極143は第1二次外部端子S1の上部に備えられることができる。但し、第1一次外部電極141と第1一次外部端子P1とは互いに直接接触されず、第1二次外部電極143と第1二次外部端子S1とは互いに直接接触されない。そのため、第1一次外部端子P1の垂直投影領域において、第2コイル層L2には第2ダミー一次外部端子DP2、第3コイル層L3には第3ダミー一次外部端子DP3、第4コイル層L4には第4ダミー一次外部端子DP4がさらに備えられることができる。また、第1二次外部端子S1の垂直投影領域において、第2コイル層L2には第2ダミー二次外部端子DS2、第3コイル層L3には第3ダミー二次外部端子DS3、第4コイル層L4には第4ダミー二次外部端子DS4がさらに備えられることができる。この際、「ダミー」という用語は、該当コイル層のコイルと直接的な連結関係を有しないという意味で用いられる用語である。このダミー端子を介して、第1コイル層L1に備えられた第1一次外部端子P1及び第1二次外部端子S1が、第1一次外部電極141及び第2一次外部電極142とそれぞれ連結されることができる。
【0058】
また、外部めっき端子150は、外部電極141、142、143、144の表面に備えられる。外部めっき端子150は、コモンモードフィルタ100を電子装置の回路基板(不図示)などに実装する際の作業効率性を向上させるとともに、コモンモードフィルタ100と回路基板(不図示)と間の結合力を向上させる機能をすることができる。そして、外部めっき端子150は、通常のニッケルまたはニッケル合金で形成されることができる。
【0059】
一方、外部めっき端子150は、外部電極の上面だけでなく、側面にも形成されることができる。ここで、本発明の一形態によるコモンモードフィルタ100において、第1不連続部DC1は第2一次外部電極142の垂直下方領域に備えられ、第2不連続部DC2は第2二次外部電極144の垂直下方領域に備えられることは、上述したとおりである。これら第1不連続部DC1及び第2不連続部DC2は、一次コイル及び二次コイルそれぞれが開始点から終了点まで直列に連結されるようにする機能をする。したがって、少なくとも第2一次外部電極142に接触される第2一次外部めっき端子152及び第2二次外部電極144に接触される第2二次外部めっき端子154は、少なくとも第1不連続部DC1及び第2不連続部DC2の下方に備えられる外部端子と直接接触されてはならない。すなわち、第2一次外部電極142に接触される第2一次外部めっき端子152が、第3一次外部端子P3及び第2一次外部端子P2に直接接触されてはならず、第2二次外部電極144に接触される第2二次外部めっき端子154が、第3二次外部端子S3及び第2二次外部端子S2に直接接触されてはならない。そのために、少なくとも第3一次外部端子P3及び第2一次外部端子P2と第2一次外部めっき端子152との間には、絶縁物質からなる第1絶縁壁IW1が備えられることができる。また、少なくとも第3二次外部端子S3及び第2二次外部端子S2と第2二次外部めっき端子154との間には、絶縁物質からなる第2絶縁壁IW2が備えられることができる。
【0060】
図6は本発明の他の形態によるコモンモードフィルタ100´を概略的に例示した斜視図であり、
図7は
図6のI‐I´線の断面図である。
【0061】
図6及び
図7を参照すれば、第2一次外部めっき端子152´及び第2二次外部めっき端子154´をコモンモードフィルタ100の上面にのみ備えることで、上述の第1絶縁壁IW1及び第2絶縁壁IW2がなくても、同一の目的を実現することができることが理解できるであろう。
【0062】
図10aから
図10eは本発明の一形態によるコモンモードフィルタ100の製造方法を説明するための図面であって、
図10aは第1コイル層L1を形成する過程を
図1のI‐I´線の断面で概略的に例示した工程断面図であり、
図10bは第2コイル層L2を形成する過程を
図1のI‐I´線の断面で概略的に例示した工程断面図であり、
図10cは第3コイル層L3を形成する過程を
図1のI‐I´線の断面で概略的に例示した工程断面図であり、
図10dは第4コイル層L4を形成する過程を
図1のI‐I´線の断面で概略的に例示した工程断面図であり、
図10eは第4コイル層L4を形成する過程を
図1のIII‐III´線の断面で概略的に例示した工程断面図である。
【0063】
また、
図11aから
図11iは、本発明の一形態によるコモンモードフィルタ100の製造方法で用いられるそれぞれのマスクの平面図であって、
図11aは第1層用マスクML1の平面図であり、
図11bは第2層用マスクML2の平面図であり、
図11cは第3層用マスクML3の平面図であり、
図11dは第4層用マスクML4の平面図であり、
図11eは第1マスクM1の平面図であり、
図11fは第2マスクM2の平面図であり、
図11gは第3マスクM3の平面図であり、
図11hは
図11gの第3マスクM3を反時計方向に90度回転した状態の平面図であり、
図11iは
図11dの第4層用マスクML4を反時計方向に90度回転した状態の平面図である。
【0064】
一方、本明細書では、ネガ型リソグラフィ法を基準として各工程を説明するが、ポジ型リソグラフィ法や積層法でコモンモードフィルタを製造してもよいことが理解できるであろう。
【0065】
また、
図10aから
図10dは
図1のI‐I´線の断面を示した工程断面図であり、
図10eは
図1のIII‐III´線の断面を示した工程断面図であるため、I‐I´線の断面やIII‐III´線の断面で見えない部分は表示されない。しかし、
図1から
図11iを総合的に参照すれば、本発明の一形態によるコモンモードフィルタの製造方法の進行過程が十分に理解できるであろう。
【0066】
図1から
図9とともに
図10aから
図11iを参照すれば、本発明の一形態によるコモンモードフィルタ100の製造方法は、第1コイル層L1〜第4コイル層L4を形成する段階を含むことができる。
【0067】
この際、第1コイル層L1は、フェライトなどの磁性物質からなる基板110の上部に形成することができる。
【0068】
先ず、
図10aを参照すれば、基板110の上面にシード層SEを形成した後、シード層SEの上面にフォトレジストPRを形成する。次に、第1層用マスクML1を用いて露光工程を行った後、露光された領域のフォトレジストPRを除去する。この際、第1層用マスクML1は、上述の第1コイル層L1をなす第1一次コイルPC1、第2二次コイルSC2、第1一次内部端子PI1、第1一次外部端子P1、第1二次内部端子SI1、及び第2二次外部端子S2が備えられるべき領域に対応する部分に光が透過されるように形成されたマスクであり、
図11aにその一例が例示されている。
【0069】
次に、フォトレジストPRが除去された領域にめっき工程を施した後、第1ダミー一次外部端子DP1及び第1ダミー二次外部端子DS1などが形成された領域を除いた部分のフォトレジストPR及びシード層SEを除去する。これにより、
図4aに例示されたような平面形状を有する第1コイル層L1が形成されることができる。
【0070】
図10bを参照すれば、第1コイル層L1の上面にフォトレジストPRを形成した状態で、第1マスクM1を用いて露光工程を行った後、露光された領域のフォトレジストPRを除去する。この際、第1マスクM1の一例が
図11eに例示されている。第1マスクM1は、4つの外部端子またはダミー外部端子それぞれに対応する位置及び一次ビア及び二次ビアに対応する位置に光が透過されるように形成されることができる。
【0071】
次に、第1マスクM1により露光されフォトレジストPRが除去された領域及び残留のフォトレジストPRの上部領域にシード層SEを形成する。
【0072】
次に、シード層SEの上部を覆うようにフォトレジストPRを形成した状態で、第2層用マスクML2を用いて露光工程を行った後、露光された領域のフォトレジストPRを除去する。
【0073】
次に、フォトレジストPRが除去された領域にめっき工程を施した後、第2一次外部端子P2、第2二次コイルSC2、及び第2二次外部端子S2などが形成された領域を除いた部分のフォトレジストPR及びシード層SEを除去する。これにより、
図4bに例示されたような平面形状を有する第2コイル層L2が形成されることができる。
【0074】
図10cを参照すれば、第2コイル層L2上にフォトレジストPRを形成した状態で、第2マスクM2を用いて露光工程を行った後、露光された領域のフォトレジストPRを除去する。この際、第2マスクM2は、第2コイル層L2の形成過程で用いられた第1マスクM1と同様に、4つの外部端子またはダミー外部端子それぞれに対応する位置に光が透過されるように形成されたマスクであることができる。但し、第1マスクM1は、一次ビア及び二次ビアに対応する領域に光が透過されるが、第2マスクM2は、一次ビア及び二次ビアに対応する領域に光が透過されないように形成される点で異なる。第2マスクM2の一例が
図11fに例示されている。
【0075】
次に、第2マスクM2により露光されフォトレジストPRが除去された領域及び残留のフォトレジストPRの上部領域にシード層SEを形成する。
【0076】
次に、シード層SEの上部を覆うようにフォトレジストPRを形成した状態で、第3層用マスクML3を用いて露光工程を行った後、露光された領域のフォトレジストPRを除去する。
【0077】
次に、フォトレジストPRが除去された領域にめっき工程を施した後、第3一次外部端子P3、第3一次コイルPC3、及び第3二次外部端子S3などが形成された領域を除いた部分のフォトレジストPR及びシード層SEを除去する。これにより、
図4cに例示されたような平面形状を有する第3コイル層L3が形成されることができる。
【0078】
図10d及び
図10eを参照すれば、第3コイル層L3の上面にフォトレジストPRを形成した状態で、第3マスクM3を用いて露光工程を行った後、露光された領域のフォトレジストPRを除去する。この際、第3マスクM3は、第1マスクM1と異なって、第3一次外部端子P3及び第3二次外部端子S3それぞれに対応する位置には光が透過されず、第3ダミー一次外部端子DP3及び第3ダミー二次外部端子DS3それぞれに対応する位置、一次ビア及び二次ビアそれぞれに対応する位置にのみ光が透過されるように形成されることができる。第3マスクM3の一例が
図11g及び
図11hに例示されている。
【0079】
次に、第3マスクM3により露光されフォトレジストPRが除去された領域及び残留のフォトレジストPRの上部領域にシード層SEを形成する。
【0080】
次に、シード層SEの上部を覆うようにフォトレジストPRを形成した状態で、第4層用マスクML4を用いて露光工程を行った後、露光された領域のフォトレジストPRを除去する。
【0081】
次に、フォトレジストPRが除去された領域にめっき工程を施した後、第4一次外部端子P4、第4二次コイルSC4、第4二次外部端子S4、及び第4ダミー二次外部端子DS4などが形成された領域を除いた部分のフォトレジストPR及びシード層SEを除去する。これにより、
図4dに例示されたような平面形状を有する第4コイル層L4が形成されることができる。
【0082】
ここで、
図10d及び
図10eを参照すれば、第3一次外部端子P3と第4一次外部端子P4との間及び第3二次外部端子S3と第4二次外部端子S4との間にはフォトレジストPRが残って、外部端子の間が直接接触されることを防止している。この部分が、
図1から
図4dなどを参照して上述した第1不連続部DC1及び第2不連続部DC2に該当する。すなわち、第1不連続部DC1及び第2不連続部DC2が明確に理解されるように、
図1から
図4dでは絶縁部122と異なるハッチングで示したが、第1不連続部DC1及び第2不連続部DC2は、フォトレジストPRによって絶縁部122とともに具現され得ることが理解できるであろう。一方、第1不連続部DC1及び第2不連続部DC2が備えられた層を別に機能層L4´と称することもできる。すなわち、機能層L4´は、第3コイル層L3と第4コイル層L4との間に備えられ、第3一次外部端子P3と第4一次外部端子P4との間、第3二次外部端子S3と第4二次外部端子S4との間が直接接触されないようにするとともに、第3ダミー一次外部端子DP3と第4ダミー一次外部端子DP4との間、第3ダミー二次外部端子DS3と第4ダミー二次外部端子DS4との間は直接接触されるようにする層を意味する。
【0083】
また、
図10aから
図10eでは、工程が容易に理解されるように、シード層SEを明示的に示したが、
図2から
図3cでは、図面の単純化のためにシード層SEを区分せずに示した。
【0084】
また、
図3aなどでは、各コイル層の一次コイル及び二次コイルが垂直方向に整列されて備えられていることを例示したが、上層と下層のコイルパターンが互いにずれて備えられるようにすることで、上層と下層のコイル間の寄生キャパシタンスを減少させることもできる。
【0085】
一方、図示していないが、第4コイル層L4を形成した後、第4コイル層L4の上部に外部電極を形成する工程、磁性体部130を形成する工程、外部めっき端子を形成する工程などがさらに行われることができ、このような構成要素の製造過程は、
図1から
図11iを総合的に参照すれば十分に理解できるであろう。
【0086】
図12は本発明の他の形態によるコモンモードフィルタを
図1のI‐I´線に沿って切断した断面を概略的に例示した断面図であり、
図13aは本発明の他の形態によるコモンモードフィルタを
図1のII‐II´線に沿って切断した断面を概略的に例示した断面図であり、
図13bは本発明のさらに他の形態によるコモンモードフィルタを
図1のII‐II´線に沿って切断した断面を概略的に例示した断面図であり、
図14aは本発明の他の形態によるコモンモードフィルタの第2N‐1コイル層を概略的に例示した平面図であり、
図14bは本発明の他の形態によるコモンモードフィルタの第2Nコイル層を概略的に例示した平面図であり、
図14cは本発明のさらに他の形態によるコモンモードフィルタの第2Nコイル層を概略的に例示した平面図であり、
図15は本発明の他の形態による一次コイルの連結関係を概略的に例示した模式図である。
【0087】
上述の
図1から
図11iとともに
図12から
図15を参照すれば、本発明の他の形態によるコモンモードフィルタは、コイル層が6層または8層などのさらに多くの層からなることができることが理解できるであろう。
【0088】
図12などでは、4層以上のコイル層を第2N‐1コイル層L2N‐1及び第2Nコイル層L2Nで例示しており、この際、Nは3以上の自然数である。すなわち、Nが3である場合、本発明の他の形態によるコモンモードフィルタ100´´は第1〜第6コイル層を含むことができる。また、Nが4である場合、本発明の他の形態によるコモンモードフィルタ100´´は第1〜第8コイル層を含むことができる。
【0089】
但し、図示の簡略化のために、4層以上のコイル層のうち最上部の2つの層のみを図示しており、図示していないが、Nが4以上の自然数である場合、第2N‐1コイル層L2N‐1の下部に第2N‐2コイル層、第2N‐3コイル層などがさらに備えられることできる。
【0090】
一方、第2N‐1コイル層には、第2N‐1一次コイルPC2N‐1と第2N‐1二次コイルSC2N‐1とが所定間隔で離隔した状態でともに螺旋状に形成されており、第2N‐1一次コイルPC2N‐1の一端には第2N‐1一次外部端子P2N‐1が連結され、第2N‐1一次コイルPC2N‐1の他端には第2N‐1一次内部端子PI2N‐1が連結されている。同様に、第2N‐1二次コイルSC2N‐1の一端には第2N‐1二次外部端子S2N‐1が連結され、第2N‐1二次コイルSC2N‐1の他端には第2N‐1二次内部端子SI2N‐1が連結されている。
【0091】
そして、第2Nコイル層L2Nも、上述の形態と類似の形態で構成されることができる。
【0092】
但し、第4コイル層の上部に第5コイル層〜第2Nコイル層がさらに備えられる場合には、第5コイル層と第6コイル層との間及び第2N‐1コイル層L2N‐1と第2Nコイル層L2Nとの間それぞれにも不連続部DC2N‐1、DC2Nが備えられるべきである。
【0093】
ここで、第1一次外部端子P1〜第4一次外部端子P4までが順に連結されることは、
図5を参照して説明したとおりである。さらに、
図15を参照すれば、第2N‐1一次外部端子P2N‐1‐第2N‐1一次コイルPC2N‐1‐第2N‐1一次内部端子PI2N‐1‐第N一次ビアPVN‐第2N一次内部端子PI2N‐第2N一次コイルPC2N‐第2N一次外部端子P2Nの順に連結されることで、一次コイルの開始点から一次コイルの終了点までが直列に連結され得ることが理解できるであろう。
【0094】
この際、第2N‐1不連続部は、第2N‐1一次外部端子P2N‐1と第2N一次外部端子P2Nとの間の領域に備えられることができる。
【0095】
図示していないが、二次コイルの場合も、同一の方式で直列連結されて構成されることができる。すなわち、第2N‐1二次外部端子S2N‐1‐第2N‐1二次コイルSC2N‐1‐第2N‐1二次内部端子SI2N‐1‐第N二次ビアSVN‐第2N二次内部端子SI2N‐第2N二次コイルSC2N‐第2N二次外部端子S2Nの順に連結されることで、二次コイルの開始点から二次コイルの終了点までが直列に連結され得ることが理解できるであろう。
【0096】
この際、第2N不連続部は、第2N‐1二次外部端子S2N‐1と第2N二次外部端子S2Nとの間の領域に備えられることができる。
【0097】
図14cは本発明のさらに他の形態によるコモンモードフィルタの第2Nコイル層の平面形状を例示している。
【0098】
本発明のさらに他の形態によるコモンモードフィルタにおいて、第2Nコイル層には、螺旋状に形成された一次コイルの代りに、螺旋状コイルに比べ相対的に短い一次リードパターンPLにより、第2N一次内部端子PI2Nと第2N一次外部端子P2Nとの間が連結される。また、二次コイルの代りに、螺旋状のコイルに比べ相対的に短い二次リードパターンSLにより、第2N二次内部端子SI2Nと第2N二次外部端子S2Nとの間が連結される。
【0099】
この形態では、第2Nコイル層に一次リードパターンPL及び二次リードパターンSLが備えられた場合を例示的に説明したが、必要に応じて、第2コイル層、第4コイル層などの偶数層にも、一次コイルまたは二次コイルの代わりに一次リードパターン及び二次リードパターンが備えられていてもよい。
【0100】
上述の説明と類似の事項についての重複説明は省略する。