特開2015-2207ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法

発明の名称　ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法

出願人　昭和電工株式会社　（識別番号 2004）

　　　　特許公開件数ランキング 13870 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 11686 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2015-2207

公報発行日　2015年1月5

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-A-2015-2207

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