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特開2015-222835電子機器用カバー、アンテナアセンブリ、電子機器、及びその製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】特開2015-222835(P2015-222835A)
(43)【公開日】2015年12月10日
(54)【発明の名称】電子機器用カバー、アンテナアセンブリ、電子機器、及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 5/02 20060101AFI20151113BHJP
H01Q 1/44 20060101ALI20151113BHJP
H05K 5/03 20060101ALI20151113BHJP
【ＦＩ】
H05K5/02 J
H01Q1/44
H05K5/03 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】46
【出願形態】ＯＬ
【全頁数】35
(21)【出願番号】特願2015-159422(P2015-159422)
(22)【出願日】2015年8月12日
(62)【分割の表示】特願2014-164715(P2014-164715)の分割
【原出願日】2014年8月13日
(31)【優先権主張番号】10-2013-0096933
(32)【優先日】2013年8月14日
(33)【優先権主張国】KR
(31)【優先権主張番号】10-2014-0011684
(32)【優先日】2014年1月29日
(33)【優先権主張国】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】100088605
【弁理士】
【氏名又は名称】加藤 公延
(74)【代理人】
【識別番号】100166420
【弁理士】
【氏名又は名称】福川 晋矢
(72)【発明者】
【氏名】ジョン・デ・ソン
(72)【発明者】
【氏名】キム・ジョン・レ
(72)【発明者】
【氏名】チェ・カン・リョン
【テーマコード（参考）】
4E360
5J046
【Ｆターム（参考）】
4E360AA02
4E360AB42
4E360BA01
4E360BD02
4E360EA18
4E360EE12
4E360GA11
4E360GA31
4E360GB26
4E360GB36
4E360GC02
4E360GC16
5J046AA03
5J046AB11
5J046AB13
5J046SA02
(57)【要約】
【課題】本発明は、電子機器用カバー、アンテナアセンブリ、電子機器、及びその製造方法に関する。【解決手段】本発明の一実施例による電子機器用カバー１００は、金属物質からなる第１金属領域１１０を有する金属プレート１０１と、金属プレート１０１の第１金属領域１１０の一部領域に形成された貫通孔１５０と、貫通孔１５０から第１金属領域１１０の一側端部まで形成された電気的なオープン経路１８０と、を含む。
【選択図】図９
【特許請求の範囲】
【請求項1】
金属物質からなる第１金属領域を有する金属プレートと、
前記金属プレートの第１金属領域の一部領域に形成された貫通孔と、
前記貫通孔から前記第１金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む電子機器用カバー。
前記金属プレートの第１金属領域の一部領域に形成された貫通孔と、
前記貫通孔から前記第１金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む電子機器用カバー。
【請求項2】
前記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成される、請求項１に記載の電子機器用カバー。
【請求項3】
前記金属物質は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、チタン、ステンレス鋼、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項１に記載の電子機器用カバー。
【請求項4】
前記電気的なオープン経路は、前記貫通孔から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、
前記金属酸化法は陽極酸化法（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）である、請求項１に記載の電子機器用カバー。
前記金属酸化法は陽極酸化法（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）である、請求項１に記載の電子機器用カバー。
【請求項5】
前記電気的なオープン経路は、
前記貫通孔から前記第１金属領域の一側端部まで凹状に形成される凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項１に記載の電子機器用カバー。
前記貫通孔から前記第１金属領域の一側端部まで凹状に形成される凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項１に記載の電子機器用カバー。
【請求項6】
少なくとも前記電気的なオープン経路を覆うように前記金属プレートに配置された非金属部材をさらに含む、請求項１に記載の電子機器用カバー。
【請求項7】
金属物質からなる第１金属領域を有する金属プレートと、
前記金属プレートの第１金属領域の一部領域に形成された電気的なオープン領域と、
前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む電子機器用カバー。
前記金属プレートの第１金属領域の一部領域に形成された電気的なオープン領域と、
前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む電子機器用カバー。
【請求項8】
前記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成される、請求項７に記載の電子機器用カバー。
【請求項9】
前記金属物質は、アルミニウム、マグネ*シウム、亜鉛、チタン、ステンレス鋼、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項７に記載の電子機器用カバー。
【請求項10】
前記電気的なオープン領域は、前記第１金属領域の一部領域が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、前記電気的なオープン経路は、前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、
前記金属酸化法は陽極酸化法（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）である、請求項７に記載の電子機器用カバー。
前記金属酸化法は陽極酸化法（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）である、請求項７に記載の電子機器用カバー。
【請求項11】
前記電気的なオープン領域は、
前記第１金属領域の一部領域に凹状に形成される凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項７に記載の電子機器用カバー。
前記第１金属領域の一部領域に凹状に形成される凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項７に記載の電子機器用カバー。
【請求項12】
前記電気的なオープン経路は、
前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質が非金属化された凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項７に記載の電子機器用カバー。
前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質が非金属化された凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項７に記載の電子機器用カバー。
【請求項13】
少なくとも前記電気的なオープン領域及び前記電気的なオープン経路を覆うように前記金属プレートに配置された非金属部材をさらに含む、請求項７に記載の電子機器用カバー。
【請求項14】
少なくとも一部が金属物質である電子機器用カバーと、
前記電子機器用カバーの内側に配置されるアンテナモジュールと、を含み、
前記電子機器用カバーは、
金属物質からなる第１金属領域を有する金属プレートと、
前記金属プレートの第１金属領域の一部領域に形成された貫通孔と、
前記貫通孔から前記第１金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む、アンテナアセンブリ。
前記電子機器用カバーの内側に配置されるアンテナモジュールと、を含み、
前記電子機器用カバーは、
金属物質からなる第１金属領域を有する金属プレートと、
前記金属プレートの第１金属領域の一部領域に形成された貫通孔と、
前記貫通孔から前記第１金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む、アンテナアセンブリ。
【請求項15】
前記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成される、請求項１４に記載のアンテナアセンブリ。
【請求項16】
前記金属物質は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、チタン、ステンレス鋼、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項１４に記載のアンテナアセンブリ。
【請求項17】
前記電気的なオープン経路は、前記貫通孔から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、
前記金属酸化法は陽極酸化法（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）である、請求項１４に記載のアンテナアセンブリ。
前記金属酸化法は陽極酸化法（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）である、請求項１４に記載のアンテナアセンブリ。
【請求項18】
前記電気的なオープン経路は、
前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質が非金属化された凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項１４に記載のアンテナアセンブリ。
前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質が非金属化された凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項１４に記載のアンテナアセンブリ。
【請求項19】
少なくとも一部が金属物質である電子機器用カバーと、
前記電子機器用カバーの内側に配置されるアンテナモジュールと、を含み、
前記電子機器用カバーは、
金属物質からなる第１金属領域を有する金属プレートと、
前記金属プレートの第１金属領域の一部領域に形成された電気的なオープン領域と、
前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む、アンテナアセンブリ。
前記電子機器用カバーの内側に配置されるアンテナモジュールと、を含み、
前記電子機器用カバーは、
金属物質からなる第１金属領域を有する金属プレートと、
前記金属プレートの第１金属領域の一部領域に形成された電気的なオープン領域と、
前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む、アンテナアセンブリ。
【請求項20】
前記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成される、請求項１９に記載のアンテナアセンブリ。
【請求項21】
前記金属物質は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、チタン、ステンレス鋼、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項１９に記載のアンテナアセンブリ。
【請求項22】
前記電気的なオープン領域は、前記第１金属領域の一部領域が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、前記電気的なオープン経路は、前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、
前記金属酸化法は陽極酸化法（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）である、請求項１９に記載のアンテナアセンブリ。
前記金属酸化法は陽極酸化法（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）である、請求項１９に記載のアンテナアセンブリ。
【請求項23】
前記電気的なオープン領域は、
前記第１金属領域の一部領域に凹状に形成される凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項１９に記載のアンテナアセンブリ。
前記第１金属領域の一部領域に凹状に形成される凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項１９に記載のアンテナアセンブリ。
【請求項24】
前記電気的なオープン経路は、
前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質が非金属化された凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項１９に記載のアンテナアセンブリ。
前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質が非金属化された凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項１９に記載のアンテナアセンブリ。
【請求項25】
少なくとも一部が金属物質である電子機器用カバーと、
前記電子機器用カバーの内側に配置されるアンテナモジュールと、
前記アンテナモジュールと電気的に連結された電気回路部を含む電子機器本体と、を含み、
前記電子機器用カバーは、
金属物質からなる第１金属領域を有する金属プレートと、
前記金属プレートの第１金属領域の一部領域に形成された貫通孔と、
前記貫通孔から前記第１金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む、電子機器。
前記電子機器用カバーの内側に配置されるアンテナモジュールと、
前記アンテナモジュールと電気的に連結された電気回路部を含む電子機器本体と、を含み、
前記電子機器用カバーは、
金属物質からなる第１金属領域を有する金属プレートと、
前記金属プレートの第１金属領域の一部領域に形成された貫通孔と、
前記貫通孔から前記第１金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む、電子機器。
【請求項26】
前記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成される、請求項２５に記載の電子機器。
【請求項27】
前記金属物質は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、チタン、ステンレス鋼、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項２５に記載の電子機器。
【請求項28】
前記電気的なオープン経路は、前記貫通孔から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、
前記金属酸化法は陽極酸化法（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）である、請求項２５に記載の電子機器。
前記金属酸化法は陽極酸化法（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）である、請求項２５に記載の電子機器。
【請求項29】
前記電気的なオープン経路は、
前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質が非金属化された凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項２５に記載の電子機器。
前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質が非金属化された凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項２５に記載の電子機器。
【請求項30】
少なくとも一部が金属物質である電子機器用カバーと、
前記電子機器用カバーの内側に配置されるアンテナモジュールと、
前記アンテナモジュールと電気的に連結された電気回路部を含む電子機器本体と、を含み、
前記電子機器用カバーは、
金属物質からなる第１金属領域を有する金属プレートと、
前記金属プレートの第１金属領域の一部領域に形成された電気的なオープン領域と、
前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む電子機器。
前記電子機器用カバーの内側に配置されるアンテナモジュールと、
前記アンテナモジュールと電気的に連結された電気回路部を含む電子機器本体と、を含み、
前記電子機器用カバーは、
金属物質からなる第１金属領域を有する金属プレートと、
前記金属プレートの第１金属領域の一部領域に形成された電気的なオープン領域と、
前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む電子機器。
【請求項31】
前記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成される、請求項３０に記載の電子機器。
【請求項32】
前記金属物質は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、チタン、ステンレス鋼、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項３０に記載の電子機器。
【請求項33】
前記電気的なオープン領域は、前記第１金属領域の一部領域が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、前記電気的なオープン経路は、前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、
前記金属酸化法は陽極酸化法（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）である、請求項３０に記載の電子機器。
前記金属酸化法は陽極酸化法（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）である、請求項３０に記載の電子機器。
【請求項34】
前記電気的なオープン領域は、
前記第１金属領域の一部領域に凹状に形成される凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項３０に記載の電子機器。
前記第１金属領域の一部領域に凹状に形成される凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項３０に記載の電子機器。
【請求項35】
前記電気的なオープン経路は、
前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質が非金属化された凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項３０に記載の電子機器。
前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質が非金属化された凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項３０に記載の電子機器。
【請求項36】
金属物質からなる第１金属領域を有する金属プレートを準備する段階と、
前記金属プレートの第１金属領域の一部領域を介して空間的な電磁波の出入りを許容するように、前記金属プレートの第１金属領域の一部領域に貫通孔を形成する段階と、
前記貫通孔から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質を金属酸化法により非金属化させることで、電気的なオープン経路を形成する段階と、を含む電子機器用カバーの製造方法。
前記金属プレートの第１金属領域の一部領域を介して空間的な電磁波の出入りを許容するように、前記金属プレートの第１金属領域の一部領域に貫通孔を形成する段階と、
前記貫通孔から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質を金属酸化法により非金属化させることで、電気的なオープン経路を形成する段階と、を含む電子機器用カバーの製造方法。
【請求項37】
前記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成される、請求項３６に記載の電子機器用カバーの製造方法。
【請求項38】
前記金属物質は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、チタン、ステンレス鋼、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項３６に記載の電子機器用カバーの製造方法。
【請求項39】
前記金属酸化法は陽極酸化法（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）である、請求項３６に記載の電子機器用カバーの製造方法。
【請求項40】
前記電気的なオープン経路を形成する段階は、
前記貫通孔から前記第１金属領域の一側端部まで凹溝を形成する段階と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属を金属酸化法により非金属化させることで、金属酸化層を形成する段階と、を含む、請求項３６に記載の電子機器用カバーの製造方法。
前記貫通孔から前記第１金属領域の一側端部まで凹溝を形成する段階と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属を金属酸化法により非金属化させることで、金属酸化層を形成する段階と、を含む、請求項３６に記載の電子機器用カバーの製造方法。
【請求項41】
金属物質からなる第１金属領域を有する金属プレートを準備する段階と、
前記金属プレートの第１金属領域の一部領域を介して空間的な電磁波の出入りを許容するように、前記第１金属領域の一部領域を金属酸化法により非金属化させることで、電気的なオープン領域を形成する段階と、
前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質を金属酸化法により非金属化させることで、電気的なオープン経路を形成する段階と、を含む電子機器用カバーの製造方法。
前記金属プレートの第１金属領域の一部領域を介して空間的な電磁波の出入りを許容するように、前記第１金属領域の一部領域を金属酸化法により非金属化させることで、電気的なオープン領域を形成する段階と、
前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質を金属酸化法により非金属化させることで、電気的なオープン経路を形成する段階と、を含む電子機器用カバーの製造方法。
【請求項42】
前記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成される、請求項４１に記載の電子機器用カバーの製造方法。
【請求項43】
前記金属物質は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、チタン、ステンレス鋼、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項４１に記載の電子機器用カバーの製造方法。
【請求項44】
前記金属酸化法は陽極酸化法（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）である、請求項４１に記載の電子機器用カバーの製造方法。
【請求項45】
前記電気的なオープン領域を形成する段階は、
前記第１金属領域の一部領域に凹溝を形成する段階と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属を金属酸化法により非金属化させることで、金属酸化層を形成する段階と、を含む、請求項４１に記載の電子機器用カバーの製造方法。
前記第１金属領域の一部領域に凹溝を形成する段階と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属を金属酸化法により非金属化させることで、金属酸化層を形成する段階と、を含む、請求項４１に記載の電子機器用カバーの製造方法。
【請求項46】
前記電気的なオープン経路を形成する段階は、
前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質が凹溝を形成する段階と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属を金属酸化法により非金属化させることで、金属酸化層を形成する段階と、を含む、請求項４１に記載の電子機器用カバーの製造方法。
前記電気的なオープン領域から前記第１金属領域の一側端部までの金属物質が凹溝を形成する段階と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属を金属酸化法により非金属化させることで、金属酸化層を形成する段階と、を含む、請求項４１に記載の電子機器用カバーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子機器用カバー、アンテナアセンブリ、電子機器、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
通常、アンテナ（Ａｎｔｅｎｎａ）は、電子機器の外部に設けられる外装アンテナと、電子機器の内部に設けられる内蔵アンテナとに大別することができる。使用上の便宜性及びデザインなどの様々な観点において有利な点を提供することができる内蔵アンテナに対する関心が増加している。
【0003】
通信技術が益々発展するに伴い、携帯電話などの携帯端末機の機能が電話、通信、決済などと益々多機能化しており、それに内蔵されるアンテナも多様化している。
【0004】
さらに、携帯端末機のデザインの高級化が進むに伴い、携帯端末機の画面が大型化しながらも、携帯端末機の厚さはさらに薄くなっている。これによる強度補強のために、電子機器の外観をなすカバー（Ｃｏｖｅｒ）（またはケース、以下、「カバー」と総称する）の素材として金属素材を採用することが増加している。
【0005】
ところが、カバーの素材として金属素材を採用することは、携帯端末機のアンテナ性能を具現するにおいて良くない影響を与えるだけでなく、携帯端末機が人体の影響に敏感に作用するという否定的な側面があり得る。
【0006】
したがって、金属素材を採用した携帯端末機は、その上端及び下端にメイン通信用アンテナ及びＧＰＳ、ＢＴ／Ｗｉｆｉなどのアンテナを配置する場合、カバーの全体を金属素材で製作することはアンテナの性能劣化をもたらすという欠点がある。このような欠点を克服するために、例えば、少なくともアンテナが配置される領域には、金属素材でなく他の素材を採用してカバーを製作する場合もある。
【0007】
また、近年、携帯端末機において採用が拡大している近距離通信用（ＮＦＣ；Ｎｅａｒ Ｆｉｅｌｄ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）アンテナの場合、上述のように、メイン通信用アンテナ及びＧＰＳ、ＢＴ／Ｗｉｆｉなどのアンテナが配置される領域を除き、その他の残りの空間に配置されることができる。例えば、電池に直接付着されるか、または電池カバーに付着されるなど、他のアンテナの配置領域を考慮すると、位置上、携帯端末機の裏面中央や中央付近に配置されることができる。このように配置される場合、金属素材のカバーを採用する時に発生し得る性能劣化現象を解決しなければならないという問題がある。
【0008】
上述のように、従来の近距離通信用（ＮＦＣ）アンテナを採用する携帯端末機において、そのカバーを金属素材で製作するには限界があるため、メイン通信用アンテナ及びＧＰＳ、ＢＴ／Ｗｉｆｉなどのアンテナが配置される上端及び下端をプラスチックなどの非金属素材で製作する場合もある。
【0009】
上記のように、携帯端末機の一つのカバーを、金属素材及び非金属素材などの異質素材で製作する場合、複雑な工程、多くの時間及びコストを要するという欠点がある。
【0010】
さらに、上記のような金属カバーが適用された携帯端末機に近距離通信用（ＮＦＣ）アンテナを採用する場合、金属カバーの内側面に近距離通信用（ＮＦＣ）アンテナパターンコイルが配置されると、レンツの法則（ｌｅｎｚ’ｓ ｌａｗ）による磁場の反発フィールドが発生する。これにより、アンテナパターンコイルに流れる電流方向と反対方向に渦電流（Ｅｄｄｙ Ｃｕｒｒｅｎｔ）が形成されて、アンテナパターンコイルの電流の流れを妨害し得る。これにより、近距離通信用アンテナの性能が低下するという問題点がある。
【0011】
そこで、従来の携帯端末機において、携帯端末機のカバーに形成された孔が上記カバーの金属材質部分の縁の端部まで連通するように物理的なスリット（ｓｌｉｔ）を形成することで、上記渦電流の発生を減少させてアンテナ性能を向上しようとする研究も行われてきた。
【0012】
しかし、上記のように金属カバーにスリットを形成する場合、外観が美麗ではないという欠点がある。この欠点のため、スリットが外部に露出されないように別の部材をさらに付着して塗装するなど、別の追加作業を行わなければならないという問題点がある。
【0013】
また、上述のように、スマートフォンなどの電子機器のカバーとして金属素材を採用する場合が増加するに伴い、金属カバーをアンテナとして活用する方法を模索することも必要である。
【0014】
下記の先行技術文献に記載の特許文献１は、アンテナ装置及び電子機器に関するものであって、物理的なスリットを用いて渦電流を減少させることを開示しているが、物理的なスリットのない金属カバーをアンテナとして活用する技術的事項は開示していない。また、金属カバーに物理的なスリットを形成せずに渦電流の経路を変更させる技術的事項も開示していない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0015】
【特許文献1】特許第４９９３０４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0016】
本発明は、上記の従来技術の問題点を解決するためのものであって、物理的なスリットがなくてもアンテナとして活用することができるとともに、金属カバーに物理的なスリットを形成しなくても、電気的なオープン領域及び／またはオープン経路を用いて渦電流の経路を変更することができる、電子機器用カバー、アンテナアセンブリ、電子機器、及びその製造方法を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0017】
本発明の第１実施例によると、金属物質からなる第１金属領域及び第２金属領域を有する金属プレートと、上記第１金属領域と上記第２金属領域を電気的に分離する電気的なオープン経路と、上記第２金属領域に形成されたアンテナ放射部と、を含む電子機器用カバーが提案される。
【0018】
本発明の第１実施例において、上記電気的なオープン経路は、上記第１金属領域と上記第２金属領域との境界に沿って凹状に形成される凹溝と、上記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含むことができる。
【0019】
また、本発明の第２実施例によると、金属物質からなる第１金属領域を有する金属プレートと、上記金属プレートの第１金属領域の一部領域に形成された貫通孔と、上記貫通孔から上記第１金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む電子機器用カバーが提案される。
【0020】
また、本発明の第３実施例によると、金属物質からなる第１金属領域を有する金属プレートと、上記金属プレートの第１金属領域の一部領域に形成された電気的なオープン領域と、上記電気的なオープン領域から上記第１金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む電子機器用カバーが提案される。
【0021】
本発明の第１、第２、及び第３実施例において、上記電子機器用カバーは、少なくとも上記電気的なオープン経路を覆うように上記金属プレートに配置された非金属部材をさらに含むことができる。
【0022】
また、本発明の第４実施例によると、少なくとも一部が金属物質である電子機器用カバーと、上記電子機器用カバーの内側に配置されるアンテナモジュールと、を含み、上記電子機器用カバーは、金属物質からなる第１金属領域を有する金属プレートと、上記金属プレートの第１金属領域の一部領域に形成された貫通孔と、上記貫通孔から上記第１金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む、アンテナアセンブリが提案される。
【0023】
また、本発明の第５実施例によると、少なくとも一部が金属物質である電子機器用カバーと、上記電子機器用カバーの内側に配置されるアンテナモジュールと、を含み、上記電子機器用カバーは、金属物質からなる第１金属領域を有する金属プレートと、上記金属プレートの第１金属領域の一部領域に形成された電気的なオープン領域と、上記電気的なオープン領域から上記第１金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む、アンテナアセンブリを提案する。
【0024】
本発明の第５実施例において、上記電子機器用カバーは、少なくとも上記電気的なオープン領域及び上記電気的なオープン経路を覆うように上記金属プレートに配置された非金属部材をさらに含むことができる。
【0025】
また、本発明の第６実施例によると、少なくとも一部が金属物質である電子機器用カバーと、上記電子機器用カバーの内側に配置されるアンテナモジュールと、上記アンテナモジュールと電気的に連結された電気回路部を含む電子機器本体と、を含み、上記電子機器用カバーは、金属物質からなる第１金属領域を有する金属プレートと、上記金属プレートの第１金属領域の一部領域に形成された貫通孔と、上記貫通孔から上記第１金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む、電子機器が提案される。
【0026】
本発明の第２、第４、及び第６実施例において、上記電気的なオープン経路は、上記電気的なオープン領域から上記第１金属領域の一側端部までの金属物質が非金属化された凹溝と、上記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含むことができる。
【0027】
また、本発明の第７実施例によると、少なくとも一部が金属物質である電子機器用カバーと、上記電子機器用カバーの内側に配置されるアンテナモジュールと、上記アンテナモジュールと電気的に連結された電気回路部を含む電子機器本体と、を含み、上記電子機器用カバーは、金属物質からなる第１金属領域を有する金属プレートと、上記金属プレートの第１金属領域の一部領域に形成された電気的なオープン領域と、上記電気的なオープン領域から上記第１金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む電子機器が提案される。
【0028】
本発明の第１〜第７実施例において、上記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成されることができる。上記電気的なオープン経路は上記第１金属領域の一部金属物質が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、上記電気的なオープン領域は上記第１金属領域の一部金属領域が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、上記金属酸化法は、陽極酸化法（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）であることができる。
【0029】
本発明の第３、第５、及び第７実施例において、上記電気的なオープン領域は、上記第１金属領域の一部領域に凹状に形成される凹溝と、上記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含むことができる。
【0030】
上記電気的なオープン経路は、上記電気的なオープン領域から上記第１金属領域の一側端部までの金属物質が非金属化された凹溝と、上記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含むことができる。
【0031】
また、本発明の第８実施例によると、金属物質からなる第１金属領域を有する金属プレートを準備する段階と、上記金属プレートの第１金属領域と電気的に分離された第２金属領域を提供するために、上記金属プレートの金属物質の一部を金属酸化法により非金属化させることで、電気的なオープン経路を形成する段階と、を含む電子機器用カバーの製造方法が提案される。
【0032】
本発明の第８実施例において、上記方法は、上記第２金属領域の一部領域を金属酸化法により非金属化させることで、非金属化された一部領域により、非酸化の金属領域からなるアンテナパターンを含むアンテナ放射部を形成する段階をさらに含むことができる。
【0033】
上記電気的なオープン経路を形成する段階は、上記第１金属領域と上記第２金属領域との境界に沿って凹溝を形成する段階と、上記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属を金属酸化法により非金属化させることで、金属酸化層を形成する段階と、を含むことができる。
【0034】
また、本発明の第９実施例によると、金属物質からなる第１金属領域を有する金属プレートを準備する段階と、上記金属プレートの第１金属領域の一部領域を介して空間的な電磁波の出入りを許容するように、上記金属プレートの第１金属領域の一部領域に貫通孔を形成する段階と、上記貫通孔から上記第１金属領域の一側端部までの金属物質を金属酸化法により非金属化させることで、電気的なオープン経路を形成する段階と、を含む電子機器用カバーの製造方法が提案される。
【0035】
また、本発明の第１０実施例によると、金属物質からなる第１金属領域を有する金属プレートを準備する段階と、上記金属プレートの第１金属領域の一部領域を介して空間的な電磁波の出入りを許容するように、上記第１金属領域の一部領域を金属酸化法により非金属化させることで、電気的なオープン領域を形成する段階と、上記電気的なオープン領域から上記第１金属領域の一側端部までの金属物質を金属酸化法により非金属化させることで、電気的なオープン経路を形成する段階と、を含む電子機器用カバーの製造方法が提案される。
【0036】
本発明の第１〜第１０実施例において、上記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成されることができる。また、上記金属物質は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、チタン、ステンレス鋼、及び鉄の少なくとも一つを含むことができる。
【発明の効果】
【0037】
本発明によると、アンテナが必要な電子機器において、物理的なスリットがなくても、電気的なオープン領域及び／またはオープン経路を用いてアンテナとして活用することができるとともに、金属カバーに物理的なスリットを形成しなくても、電気的なオープン領域及び／またはオープン経路を用いて渦電流の経路を変更することができるため、アンテナの性能を向上させることができる。
【0038】
したがって、物理的なスリットがないため、金属カバーの外部のデザインに影響を与えず、物理的なスリットによる外観上の欠点を補完するための追加作業が不要である。
【図面の簡単な説明】
【0039】
【図1】本発明の実施例による電子機器用カバーの斜視図である。
【図2】本発明の実施例による電子機器用カバーの実施形態図である。
【図3】本発明の実施例による電子機器用カバーの実施形態図である。
【図4】本発明の実施例による電子機器用カバーの実施形態図である。
【図5】本発明の実施例による電子機器用カバーの具現斜視図であって、（ａ）はアンテナパターンの一例示図であり、（ｂ）はアンテナパターンの他の例示図である。
【図6】本発明の実施例による電子機器用カバーの結合を示した例示図である。
【図7】本発明の実施例による電子機器用カバーの結合を示した例示図である。
【図8】本発明の実施例による電子機器用カバーの電気的なオープン経路の例示図である。
【図9】本発明の実施例によるアンテナアセンブリの分解斜視図である。
【図10】本発明の実施例によるアンテナアセンブリの分解斜視図である。
【図11】本発明の実施例による電気的なオープン経路の例示図である。
【図12】本発明の実施例による電気的なオープン経路の例示図である。
【図13】本発明の実施例による貫通孔及び電気的なオープン経路の例示図である。
【図14】本発明の実施例による貫通孔及び電気的なオープン経路の例示図である。
【図15】本発明の実施例による電気的なオープン領域の例示図である。
【図16】本発明の実施例による電気的なオープン領域の例示図である。
【図17】本発明の実施例による電気的なオープン経路の有無によるコイル電流及び渦電流を比較した図面である。
【図18】本発明の実施例による電気的なオープン経路の有無による電流分布を比較した図面である。
【図19】本発明の実施例による電気的なオープン経路の有無による認識距離を示したグラフである。
【図20】本発明の実施例による電子機器用カバーの製造方法を順に示した図面である。
【図21】本発明の実施例による電子機器用カバーの製造方法を順に示した図面である。
【図22】本発明の実施例による電子機器用カバーの製造方法を順に示した図面である。
【図23】本発明の実施例による電子機器用カバーの製造方法を順に示した図面である。
【図24】本発明の実施例による電気的なオープン領域または電気的なオープン経路の製作工程の例示図である。
【図25】本発明の実施例による電気的なオープン領域または電気的なオープン経路の製作工程の例示図である。
【図26】本発明の実施例による電気的なオープン領域または電気的なオープン経路の製作工程の例示図である。
【図27】本発明の実施例による電気的なオープン領域または電気的なオープン経路の製作工程の例示図である。
【図28】本発明の実施例による電気的なオープン領域または電気的なオープン経路の製作工程の例示図である。
【図29】本発明の実施例による電気的なオープン領域または電気的なオープン経路の製作工程の例示図である。
【図30】本発明の実施例による電気的なオープン領域または電気的なオープン経路の製作工程の例示図である。
【発明を実施するための形態】
【0040】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【0041】
図１は本発明の実施例による電子機器用カバーの斜視図である。
【0042】
図１を参照すると、本発明の実施例による電子機器用カバー１００は、金属プレート１０１と、電気的なオープン経路１３０と、アンテナ放射部１２５と、を含むことができる。
【0043】
上記金属プレート１０１は、金属物質からなる第１金属領域１１０及び第２金属領域１２０を含むことができる。
【0044】
例えば、上記金属プレート１０１は、全体が金属物質からなってもよく、一部が金属物質からなってもよい。
【0045】
ここで、上記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成されることができる。
【0046】
また、本発明の実施例による金属プレート１０１は、平面、曲面、一部曲面などからなることができ、その形状や表面形態が特に限定されるものではない。但し、上記金属プレート１０１を含む電子機器用カバー１００が、アンテナが必要な電子機器の金属カバーとして用いられることができ、この場合には、適用される電子機器に適した形態及び構造を有することができる。
【0047】
上記電気的なオープン経路１３０は、上記金属プレート１０１の金属物質のうち上記第１金属領域１１０と上記第２金属領域の間の金属物質が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、上記第１金属領域１１０と上記第２金属領域を互いに電気的に分離させることができる。
【0048】
上記金属酸化法は、金属物質を酸化させて非金属化させることができる酸化法であって、例えば、陽極酸化法（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）が適用されることができるが、これに限定されるものではない。
【0049】
一方、陽極酸化法について簡単に説明すると、アノダイジング（Ａｎｏｄｉｚｉｎｇ）ともいい、これは、「陽極（Ａｎｏｄｅ）＋酸化（Ｏｘｉｄｉｚｉｎｇ）」を意味する用語であって、電解液で満たされた反応槽に陰極棒及び陽極の金属製品（金属プレート）を入れると、下記の酸化反応式により金属製品の表面が酸化・腐食（以下、酸化という）することになる。
【0050】
【0051】
ここで、本発明の各実施例において、上記金属プレートの金属物質は、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、及び鉄（Ｆｅ）の少なくとも一つを含むことができるが、これに限定されず、伝導性を有する材質であれば何れであってもよい。この際、陽極の電圧が十分に大きいと、電解液の侵食作用、被膜の破壊、生成過程が繰り返されることで被膜が内部に成長し、その厚さだけセラミック化することにより、電気絶縁性、耐食性、耐磨耗性に優れた金属酸化層が形成されることができる。
【0052】
上記の陽極酸化法についての説明は、金属酸化法の一例として提示されたものに過ぎず、これに限定されるものではなく、本発明の理解のための一例として提示されたものである。
【0053】
上記アンテナ放射部１２５は、上記第２金属領域１２０に形成されることができる。
【0054】
上記第１金属領域１１０と上記第２金属領域１２０とが電気的に分離されると、上記金属プレート１０１の第１金属領域１１０が接地されても、上記第２金属領域１２０は上記第１金属領域１１０と電気的に分離されたアンテナ放射部として用いられることができる。
【0055】
例えば、上記アンテナ放射部１２５は、第２金属領域１２０自体が電子機器の内部の電気回路部または内部アンテナと電気的に連結されるかまたは電磁的にカップリングされて、アンテナとして作用することができる。
【0056】
一方、本発明の実施例による電子機器は、スマートフォン、ＴＶ放送受信用セットトップボックス、ノート型パソコン、テレビセットなどを始め、アンテナが必要な電子製品であることができる。以下で携帯端末機を中心として説明しても、これに限定されるのではなく、アンテナが必要な電子製品であることができる。これに対するいくつかの例を図２から図４を参照して説明する。
【0058】
図２を参照すると、本発明の実施例による電子機器用カバー１００は、携帯端末機の裏面カバーとして用いられることができる。上記電子機器用カバー１００は、携帯端末機本体５００と結合されることができる。
【0059】
上記電子機器用カバー１００は、電気的なオープン経路１３０により電気的に分離された第１金属領域１１０及び第２金属領域１２０を含み、上記第２金属領域１２０はアンテナ放射部１２５を含むことができる。また、上記電子機器用カバー１００は、第１カメラ用貫通孔１５０、フラッシュ用貫通孔、スピーカー用貫通孔などを含むことができる。
【0060】
上記携帯端末機本体５００は、内部カバー５１０と、カメラ部５２０と、電池５３０と、内部アンテナ５４０と、を含むことができる。
【0061】
この際、上記電子機器用カバー１００のアンテナ放射部１２５は、上記携帯端末機本体５００の内部アンテナ５４０と電気的コネクションまたは電磁気的カップリングを形成することができる。ここで、携帯端末機本体５００が内部アンテナ５４０を含んでいない場合には、内部アンテナに代えて、コネクション部やカップリング部が配置されることができる。この場合、コネクション部やカップリング部を介して電気回路部に電気的に連結されることができる。
【0062】
また、上記アンテナ放射部１２５と上記携帯端末機本体５００の内部アンテナ５４０とが電気的に連結されて、上記アンテナ放射部１２５に給電される場合、上記アンテナ放射部１２５での電流の流れによる電気的な導体の長さに該当するインダクタンス、及び上記アンテナ放射部１２５と上記携帯端末機本体５００の内部アンテナ５４０との電磁気的カップリングによるキャパシタンスにより、共振が形成されることができる。この共振周波数を用いると、利得、帯域幅及び放射特性などのアンテナの性能を向上させることができる。上記の内容は、本発明の各実施例に適用されることができる。
【0063】
図３を参照すると、本発明の実施例による電子機器用カバーは、セットトップボックスの上面カバーとして用いられることができる。
【0064】
図３を参照すると、本発明の実施例による電子機器用カバー１００は、セットトップボックスの上面カバーとして用いられることができる。上記電子機器用カバー１００は、セットトップボックス本体６００と結合されることができる。
【0065】
上記電子機器用カバー１００は、電気的なオープン経路１３０により電気的に分離された第１金属領域１１０及び第２金属領域１２０を含み、上記第２金属領域１２０はアンテナ放射部１２５を含むことができる。
【0066】
上記セットトップボックス本体６００は、内部アンテナ６４０及び電気回路部が取り付けられた電気回路ボードを含むことができる。
【0067】
この際、上記電子機器用カバー１００のアンテナ放射部１２５は、上記セットトップボックス本体６００の内部アンテナ６４０と電気的コネクションまたは電磁気的カップリングを形成することができる。ここで、セットトップボックス本体６００が内部アンテナ６４０を含んでいない場合には、内部アンテナに代えて、コネクション部やカップリング部が配置されることができる。この場合、コネクション部やカップリング部を介して電気回路部に電気的に連結されることができる。
【0068】
図４を参照すると、本発明の実施例による電子機器用カバーは、ノート型パソコンの上面カバーとして用いられることができる。
【0069】
図４を参照すると、本発明の実施例による電子機器用カバー１００は、ノート型パソコンの上面カバーとして用いられることができる。上記電子機器用カバー１００は、ノート型パソコン本体７００と結合されることができる。
【0070】
上記電子機器用カバー１００は、電気的なオープン経路１３０により電気的に分離された第１金属領域１１０及び第２金属領域１２０を含み、上記第２金属領域１２０はアンテナ放射部１２５を含むことができる。
【0071】
上記ノート型パソコン本体７００は、内部アンテナ７４０及び電気回路部が取り付けられた電気回路ボードを含むことができる。
【0072】
この際、上記電子機器用カバー１００のアンテナ放射部１２５は、上記ノート型パソコン本体７００の内部アンテナ７４０と電気的コネクションまたは電磁気的カップリングを形成することができる。ここで、ノート型パソコン本体７００が内部アンテナ７４０を含んでいない場合には、内部アンテナに代えて、コネクション部やカップリング部が配置されることができる。この場合、コネクション部やカップリング部を介して電気回路部に電気的に連結されることができる。
【0073】
図５は本発明の実施例による電子機器用カバーの具現斜視図であって、（ａ）はアンテナパターンの一例示図であり、（ｂ）はアンテナパターンの他の例示図である。
【0074】
図５を参照すると、上記アンテナ放射部１２５は、上述のように、第２金属領域１２０自体と電子機器の内部の電気回路部または内部アンテナとの電気的コネクションまたは電磁気的カップリングにより、アンテナとして作用することができる。
【0075】
一方、図５に図示したように、上記アンテナ放射部１２５は特定のアンテナパターンからなることができる。例えば、上記第２金属領域１２０の一部領域を金属酸化法により非金属化させると、酸化された一部領域１２４により、酸化されずに残っている金属領域からなるアンテナパターンが形成されることができる。
【0076】
上記アンテナパターンは、図５の（ａ）に図示したように、縁部に沿って形成されたループ（ｌｏｏｐ）状であってもよく、図５の（ｂ）に図示したように、逆Ｆ（Ｉｎｖｅｒｔｅｄ Ｆ）状であってもよく、その他にも、スパイラル（ｓｐｉｒａｌ）状であってもよい。このように、上記アンテナパターンは様々な形状からなることができ、特にこれに限定されるものではない。
【0077】
上述のように、上記アンテナ放射部１２５は、電子機器の内部の電気回路部または内部アンテナと電気的コネクションまたは電磁気的カップリングすることで、アンテナとして作用することができる。その例を、図６及び図７を参照して説明する。
【0079】
図６は、上記アンテナ放射部１２５が電子機器の内部アンテナ５４０と電気的コネクションされる例である。図６を参照すると、上記電子機器用カバー１００と電子機器の携帯端末機本体５００とが結合して締結される時に、上記アンテナ放射部１２５のアンテナパターンの接続部Ｔ１１、Ｔ１２が、携帯端末機本体５００の内部アンテナ５４０の接続部Ｔ２１、Ｔ２２に形成された弾性接続ピンＰ１１、Ｐ１２に直接接触して弾性連結されることができる。これは、電気的コネクションの一例に過ぎず、これに限定されるものではない。
【0080】
図７は、上記アンテナ放射部１２５が電子機器の内部アンテナ５４０と電磁的にカップリングされる例である。図７を参照すると、上記電子機器用カバー１００と携帯端末機本体５００とが結合して締結される時に、上記アンテナ放射部１２５が携帯端末機本体５００の内部アンテナ５４０と電磁気的カップリング（Ｃ結合）されることができる。
【0081】
この場合、上記アンテナ放射部１２５と携帯端末機本体５００の内部アンテナ５４０との間にキャパシタンス（Ｃ）が形成されることができる。
【0082】
図８は本発明の実施例による電子機器用カバーの電気的なオープン経路の例示図である。
【0083】
図８を参照すると、上記電気的なオープン経路１３０は、ケース１（Ｃ１）、ケース２（Ｃ２）、ケース３（Ｃ３）、及びケース４（Ｃ４）などの様々な構造からなることができる。
【0084】
例えば、金属プレート１０１のＡ‐Ｂ線の断面構造を参照すると、ケース１（Ｃ１）は、金属プレート１０１の下面において、金属酸化させる領域のみを残してマスキング物質でマスキングした状態で、金属酸化を行った場合に形成される電気的なオープン経路１３０の断面構造である。本発明の実施例において、マスキング物質は、金属酸化法により金属プレート１０１の表面が酸化されないように防止することができるマスキングフィルムやマスキング治具（ＪＩＧ）などであることができ、マスキング物質やマスキング方式は特に限定されるものではない。
【0085】
ケース２（Ｃ２）は、金属プレート１０１の下面及び上面のそれぞれにおいて、金属酸化させる領域のみを残してマスキング物質でマスキングした状態で、金属酸化を行った場合に形成される電気的なオープン経路１３０の断面構造である。
【0086】
ケース３（Ｃ３）は、金属プレート１０１の下面に凹溝１３１を形成した後、マスキングしていない状態で上面に金属酸化を行った場合に形成される電気的なオープン経路１３０の断面構造である。
【0087】
ケース４（Ｃ４）は、金属プレート１０１の下面に凹溝１３１を形成した後、マスキングしていない状態で下面及び上面の両方に金属酸化を行った場合に形成される電気的なオープン経路１３０の断面構造である。
【0088】
ケース５（Ｃ５）は、少なくとも上記電気的なオープン経路１３０を覆うように、上記ケース１（Ｃ１）の上記金属プレート１０１に非金属部材１３５を配置した場合の電気的なオープン経路１３０の断面構造である。
【0089】
また、ケース６（Ｃ６）は、少なくとも上記電気的なオープン経路１３０を覆うように、上記ケース３（Ｃ３）の上記金属プレート１０１に非金属部材１３５を配置した場合の電気的なオープン経路１３０の断面構造である。
【0090】
上述のように、ケース１からケース４を例に挙げて上記電気的なオープン経路１３０の構造について説明したが、これに限定されるものではない。
【0091】
上記金属プレート１０１において、上記電気的なオープン経路１３０が形成される部位は、その強度が弱くなり得る。したがって、その強度を補強するために、上記非金属部材１３５を上記金属プレート１０１に配置することができる。上述のケース１からケース４のそれぞれに非金属部材１３５を配置することができ、一例として、上記ケース５及びケース６を用いて説明した。
【0092】
また、別に製作された上記非金属部材１３５を上記金属プレート１０１に付着するか、または上記金属プレート１０１に上記非金属部材１３５をインサート（ｉｎｓｅｒｔ）射出成形またはアウトサート（ｏｕｔｓｅｒｔ）射出成形により形成することができる。ここで、上記非金属部材１３５を上記金属プレート１０１に配置する方式が上述の例に限定されない。
【0093】
例えば、電気的なオープン経路１３０は、金属プレート１０１の下面から上面まで金属成分が存在してはならない。例えば、電気的に無限大のインピーダンスを有するように非金属化されなければならない。よって、金属プレート１０１の厚さ、金属の酸化時間、金属酸化により非金属化が可能な厚さなどを考慮して、電気的なオープン経路１３０に該当する金属プレート１０１の金属領域を、下面から上面まで金属成分が全く存在せず、無限大のインピーダンスを有するように酸化できる方式であれば、何れも適用されることができる。
【0094】
ここで、上記凹溝１３１は、上記金属カバーが電子機器に締結される時に外部に露出されないように、金属カバーの内側面に形成されることができる。本発明の実施例において、図８に図示したような電気的なオープン経路１３０の断面構造や下記に説明する電気的なオープン領域の断面構造は、様々な例の一つとして提示されるものであって、そのサイズや形状を限定するためのものではない。
【0095】
一例として、採択した金属酸化法で０．７ｍｍの厚さを酸化させることができる場合、上記金属カバー１００の厚さが０．６ｍｍ程度であれば、０．７ｍｍの金属を金属酸化法により酸化させることができるため、凹溝を形成しなくても電気的なオープン経路を十分に形成することができる。
【0096】
これと異なって、採択した金属酸化法で０．３ｍｍの厚さを酸化させることができる場合、上記金属カバー１００の厚さが０．９ｍｍ程度であれば、０．７ｍｍ程度の凹溝を形成した後、残りの０．２ｍｍの金属を金属酸化法により酸化させることで、電気的なオープン経路を十分に形成することができる。
【0097】
図８を参照すると、上記電気的なオープン経路１３０は、上述のケース１（Ｃ１）及びケース２（Ｃ２）のように、金属酸化層のみを含んでいてもよい。
【0098】
または、上記電気的なオープン経路１３０は、上述のケース３（Ｃ３）及びケース４（Ｃ４）のように、凹溝１３１及び金属酸化層１３２を含んでいてもよい。
【0099】
この際、上記凹溝１３１は、上記第１金属領域１１０と上記第２金属領域１２０との境界に沿って凹状に形成されることができる。
【0100】
また、上記金属酸化層１３２は、上記凹溝１３１の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法によりセラミックに非金属化されることで形成された層である。
【0103】
上記電子機器用カバー１００は、電子機器の内面または外部に配置されることができる。例えば、上記電子機器用カバー１００は、電子機器の外部カバーまたは電子機器の内部カバーであることができる。本発明の実施例において、例えば、電子機器用カバー１００を外部カバーとして説明するが、これに限定されるものではない。
【0104】
一例として、上記アンテナモジュール２００は、アンテナシート２１０と、上記アンテナシート２１０に形成されたアンテナパターンコイル２２０と、を含むことができる。この際、上記アンテナシート２１０は、渦電流を減衰し、且つアンテナパターンコイル２２０の電流集中度を高めるために、フェライトなどの磁性体物質を含むことができる。上記アンテナパターンコイル２２０は、上記アンテナシート２１０の縁部に沿って形成されるループ（ｌｏｏｐ）状またはスパイラル（ｓｐｉｒａｌ）状からなることができるが、特にこれに限定されるものではない。
【0105】
このようなアンテナモジュール２００は、上記電子機器用カバー１００の内側に配置されることができる。例えば、上記アンテナモジュール２００は、電子機器用カバー１００の内側面に配置されるか、または電子機器の携帯端末機本体５００の内部カバー５１０に配置されるか、または電池５３０に配置されることができる。
【0106】
このようなアンテナモジュール２００は、携帯端末機本体５００の電気回路部と電気的に連結され、上記電子機器用カバー１００と電磁気的カップリングを形成することができる位置であれば、特定位置に限定されずに配置される。
【0107】
但し、一例として、アンテナモジュール２００が近距離通信用（ＮＦＣ）アンテナとして適用される場合、上記電子機器用カバー１００の一部を介して電磁波が出入りできる位置に配置されることができる。これに対しては、図９及び図１０を参照して説明する。
【0108】
先ず、図９を参照すると、上記電子機器用カバー１００は、金属プレート１０１と、貫通孔（例えば、１５０、１５５、１５８）と、電気的なオープン経路１８０と、を含むことができる。
【0109】
上記金属プレート１０１は、少なくとも一部が金属物質であり、金属物質からなる第１金属領域１１０を含むことができる。
【0110】
例えば、上記金属プレート１０１は、少なくとも一部が金属物質からなることができる。すなわち、上記金属プレート１０１は、全体が金属物質からなるか、または一部が金属物質からなることができる。
【0111】
この際、本発明の実施例による上記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成されることができる。
【0112】
上記貫通孔は、上記金属プレート１０１の第１金属領域１１０の一部領域に形成され、空間的な電磁波の出入りを許容することができる。ここで、上記貫通孔がアンテナシート２１０の中央位置に対応する場合、上記アンテナシート２１０の中央位置には、カメラ撮影経路を提供するための貫通口が形成されることができる。
【0113】
本発明の実施例において、貫通孔は、金属プレート１０１の上面から下面までの金属が除去されてなる孔であって、上記貫通孔には、プラスチックなどの非金属物質が充填されていてもよい。本発明の実施例において、少なくとも貫通孔は、電気的に無限大のインピーダンスを有するオープン領域を意味する。
【0114】
例えば、アンテナモジュール２００が近距離通信用（ＮＦＣ）アンテナのように短波の低周波（例えば、１３．５６ＭＨｚ）用として用いられる場合には、電気的なオープン領域に該当する貫通孔のような孔が必要であり、この貫通孔の付近に上記アンテナモジュール２００が配置されると、アンテナの効率が向上することができる。
【0115】
上記電気的なオープン経路１８０は、上記貫通孔１５０から上記第１金属領域１１０の一側端部までの金属物質が金属酸化法により非金属化された部分であり、上記電気的なオープン経路１８０により、上記第１金属領域１１０での電磁波の経路（例えば、渦電流）を変更させることができる。
【0116】
例えば、アンテナモジュール２００が貫通孔１５０の付近に配置されると、電磁波の出入りが許容されることができるが、上記電子機器用カバー１００が金属材質であるため、レンツの法則（ｌｅｎｚ’ｓ ｌａｗ）による反発磁場が上記電子機器用カバー１００に発生し、アンテナモジュール２００に流れる電流方向と反対方向に渦電流が電子機器用カバー１００に形成され、この渦電流がアンテナモジュール２００の電流の流れを妨害することになり、アンテナの性能が低下し得る。
【0117】
この際、上記渦電流の経路を上記電気的なオープン経路１８０が変更させることで、渦電流がアンテナモジュール２００の電流の流れに与える妨害を軽減することができるだけでなく、渦電流の分布を上記電子機器用カバー１００の全範囲に分散させることで、アンテナの認識距離を増加させることもできる。
【0118】
次に、図１０を参照すると、上記電子機器用カバー１００は、金属プレート１０１と、電気的なオープン領域１６０と、電気的なオープン経路１８０と、を含むことができる。
【0120】
上記電気的なオープン領域１６０は、上記金属プレート１０１の第１金属領域１１０の一部領域が金属酸化法により非金属化された非金属領域であり、空間的な電磁波の出入りを許容することができる。
【0121】
ここで、電気的なオープン領域１６０は、金属酸化法により金属がセラミックに酸化された領域であって、上記貫通孔１５０と同様に、空間的な電磁波の出入りを許容することができる。
【0122】
例えば、上記アンテナアセンブリが適用される携帯端末機本体５００において、アンテナモジュール２００を貫通孔１５０の付近に配置することが適さないか、困難である場合には、空間的な電磁波の出入りを許容できるように、電気的なオープン領域１６０を用いることができる。このように電気的なオープン領域１６０を用いると、アンテナモジュール２００を貫通孔にかかわらず配置できるため、その位置を自由に決定することができる。
【0123】
上記電気的なオープン経路１８０も、上述のように、上記電気的なオープン領域１６０から上記第１金属領域１１０の一側端部までの金属物質が金属酸化法により非金属化された非金属経路であって、上記アンテナモジュール２００により発生する電磁波の経路を変更させることができる。
【0124】
例えば、アンテナモジュール２００が電気的なオープン領域１６０の付近に配置されると、電磁波の出入りが許容されることができるが、上記電子機器用カバー１００が金属材質であるため、上述のようにレンツの法則（ｌｅｎｚ’ｓ ｌａｗ）による反発磁場が上記電子機器用カバー１００に発生し、アンテナモジュール２００に流れる電流方向と反対方向に渦電流が電子機器用カバー１００に形成されて、この渦電流がアンテナモジュール２００の電流の流れを妨害することになり、アンテナの性能が低下し得る。
【0125】
この際、上記渦電流の経路を上記電気的なオープン経路１８０が変更させることで、渦電流がアンテナモジュール２００の電流の流れに与える妨害を軽減することができるだけでなく、渦電流の分布を上記電子機器用カバー１００の全範囲に分散させることで、アンテナの認識距離を増加させることもできる。
【0127】
図１１に図示されたケース１からケース４（Ｃ１〜Ｃ４）を参照すると、全体が金属物質からなる電子機器用カバー１００において、上記電気的なオープン経路１８０は貫通孔１５０から様々な方向に形成されることができ、一つまたは複数個が形成されることができることが分かる。
【0128】
図１２に図示されたケース１からケース４（Ｃ１〜Ｃ４）を参照すると、両端部がプラスチックなどの非金属物質からなり、その他の一部が金属物質からなる電子機器用カバー１００において、上記電気的なオープン経路１８０は、貫通孔１５０から様々な方向に形成されることができ、一つまたは複数個が形成されることができることが分かる。
【0130】
図１１から図１４を参照すると、上記貫通孔は、上記電子機器用カバー１００に形成された孔であって、空間的な電磁波の出入りを許容することができる孔であればよい。例えば、カメラ用孔１５０、フラッシュ用孔１５５、スピーカー用孔１５８であることができ、その他にも、特別に形成された孔であってもよい。
【0131】
図１１及び図１２には、貫通孔としてカメラ用孔１５０が図示されており、図１３には、貫通孔としてフラッシュ用孔１５５が図示されており、図１４には、貫通孔としてスピーカー用孔１５８が図示されている。
【0132】
ここで、本発明の実施例において、貫通孔の例としてカメラ用孔１５０を用いて説明するが、これは一例に過ぎず、これに限定されるものではない。
【0134】
図１５を参照すると、上記電気的なオープン領域１６０は、ケース１（Ｃ１）、ケース２（Ｃ２）、ケース３（Ｃ３）、及びケース４（Ｃ４）などの様々な構造からなることができる。
【0135】
例えば、金属プレート１０１のＡ１‐Ａ２線の断面構造を参照すると、ケース１（Ｃ１）は、金属プレート１０１の下面において、金属酸化させる領域のみを残してマスキング物質でマスキングした状態で、金属酸化を行った場合に形成される電気的なオープン領域１６０の断面構造である。
【0136】
ケース２（Ｃ２）は、金属プレート１０１の下面及び上面のそれぞれにおいて、金属酸化させる領域のみを残してマスキング物質でマスキングした状態で、金属酸化を行った場合に形成される電気的なオープン領域１６０の断面構造である。
【0137】
ケース３（Ｃ３）は、金属プレート１０１の下面に凹溝１６１を形成した後、マスキングしていない状態で下面に金属酸化を行った場合に形成される電気的なオープン領域１６０の断面構造である。
【0138】
ケース４（Ｃ４）は、金属プレート１０１の下面に凹溝１６１を形成した後、マスキングしていない状態で下面及び上面の両方に金属酸化を行った場合に形成される電気的なオープン領域１６０の断面構造である。
【0139】
ケース５（Ｃ５）は、少なくとも上記電気的なオープン領域１６０を覆うように、上記ケース１（Ｃ１）の上記金属プレート１０１に非金属部材１６５を配置した場合の電気的なオープン領域１６０の断面構造である。
【0140】
また、ケース６（Ｃ６）は、少なくとも上記電気的なオープン領域１６０を覆うように、上記ケース３（Ｃ３）の上記金属プレート１０１に非金属部材１６５を配置した場合の電気的なオープン領域１６０の断面構造である。
【0141】
上述のように４つのケースを例に挙げて上記電気的なオープン領域１６０の構造について説明したが、これに限定されるものではない。
【0142】
上記金属プレート１０１において、上記電気的なオープン領域１６０が形成された部位は、その強度が弱くなり得る。したがって、その強度を補強するために、上記非金属部材１６５を上記金属プレート１０１に配置することができる。上述のケース１からケース４のそれぞれに非金属部材１６５を配置することができ、一例として、上記ケース５及びケース６を用いて説明した。
【0143】
また、別に製作された上記非金属部材１６５を上記金属プレート１０１に付着するか、または上記金属プレート１０１に上記非金属部材１６５をインサート（ｉｎｓｅｒｔ）射出成形またはアウトサート（ｏｕｔｓｅｒｔ）射出成形により形成することができる。ここで、上記非金属部材１６５を上記金属プレート１０１に配置する方式は上述の例に限定されるものではない。
【0144】
この際、凹溝１６１は、上記金属カバーが電子機器に締結される時に外部に露出されないように、金属カバーの内側面に形成されることができる。ここで、金属プレートの下面が内側面に対応し、その上面が外部露出面に対応することができる。
【0145】
また、図１５のように、上記金属プレート１０１に電気的なオープン領域１６０及び電気的なオープン経路１８０の両方が形成される場合には、電気的なオープン領域１６０または電気的なオープン経路１８０を覆うように、上記金属プレート１０１に非金属部材１６５を配置することができる。また、より高い強度補強のために、少なくとも上記電気的なオープン領域１６０及び電気的なオープン経路１８０の両方を覆うように、上記金属プレート１０１に非金属部材１６５、１８５を配置することができる。
【0146】
ここで、上記電気的なオープン領域１６０を覆うように配置された非金属部材１６５と、上記電気的なオープン経路１８０を覆うように配置された非金属部材１８５とは、別に形成されることができるが、工程の便宜性を考慮すると、一体に形成されることもできる。
【0147】
図１５を参照すると、上記電気的なオープン領域１６０は、上述のケース１（Ｃ１）及びケース２（Ｃ２）のように、金属酸化層のみを含んでいてもよい。
【0148】
または、上記電気的なオープン領域１６０は、上述のケース３（Ｃ３）及びケース４（Ｃ４）のように、凹溝１６１及び金属酸化層１６２を含んでいてもよい。
【0149】
上記凹溝１６１は、上記第１金属領域１１０と上記第２金属領域１２０との境界に沿って凹状に形成されることができる。
【0150】
また、上記金属酸化層１６２は、上記凹溝１６１の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法によりセラミックに非金属化されることで形成された層である。
【0151】
図１６を参照すると、上記電気的なオープン経路１８０は、ケース１（Ｃ１）、ケース２（Ｃ２）、ケース３（Ｃ３）、及びケース４（Ｃ４）などの様々な構造からなることができる。
【0152】
例えば、金属プレート１０１のＢ１‐Ｂ２線の断面構造を参照すると、ケース１（Ｃ１）は、金属プレート１０１の下面において、金属酸化させる領域のみを残してマスキング物質でマスキングした状態で、金属酸化を行った場合に形成される電気的なオープン経路１８０の断面構造である。
【0153】
ケース２（Ｃ２）は、金属プレート１０１の下面及び上面のそれぞれにおいて、金属酸化させる領域のみを残してマスキング物質でマスキングした状態で、金属酸化を行った場合に形成される電気的なオープン経路１８０の断面構造である。
【0154】
ケース３（Ｃ３）は、金属プレート１０１の下面に凹溝１８１を形成した後、マスキングしていない状態で下面に金属酸化を行った場合に形成される電気的なオープン経路１８０の断面構造である。
【0155】
また、ケース４（Ｃ４）は、金属プレート１０１の下面に凹溝１８１を形成した後、マスキングしていない状態で下面及び上面の両方に金属酸化を行った場合に形成される電気的なオープン経路１８０の断面構造である。
【0156】
ケース５（Ｃ５）は、少なくとも上記電気的なオープン経路１８０を覆うように、上記ケース１（Ｃ１）の上記金属プレート１０１に非金属部材１８５を配置した場合の電気的なオープン経路１８０の断面構造である。
【0157】
また、ケース６（Ｃ６）は、少なくとも上記電気的なオープン経路１８０を覆うように、上記ケース３（Ｃ３）の上記金属プレート１０１に非金属部材１８５を配置した場合の電気的なオープン経路１８０の断面構造である。
【0158】
上述のように、４つのケースを例に挙げて上記電気的なオープン経路１８０の構造について説明したが、これに限定されるものではない。
【0159】
上記金属プレート１０１において、上記電気的なオープン経路１８０が形成された部位は、その強度が弱くなり得る。したがって、その強度を補強するために、上記非金属部材１８５を上記金属プレート１０１に配置することができる。上述のケース１からケース４のそれぞれに非金属部材１８５を配置することができ、一例として、上記ケース５及びケース６を用いて説明した。
【0160】
また、本発明の各実施例において、別に製作された上記非金属部材１３５、１６５、１８５を上記金属プレート１０１に付着するか、または上記金属プレート１０１に上記非金属部材１３５、１６５、１８５をインサート（ｉｎｓｅｒｔ）射出成形またはアウトサート（ｏｕｔｓｅｒｔ）射出成形により形成することができる。
【0161】
ここで、上記非金属部材１３５、１６５、１８５を上記金属プレート１０１に配置する方式は上述の例に限定されるものではない。上述の上記非金属部材１３５、１６５、１８５は、プラスチックやフィルムなどの非伝導性材質であれば、何れであってもよい。
【0162】
この際、凹溝１８１は、上記金属カバーが電子機器に締結される時に外部に露出されないように、金属カバーの内側面に形成されることができる。金属プレートの下面が内側面に対応し、その上面が外部露出面に対応することができる。
【0163】
図１６を参照すると、上記電気的なオープン経路１８０は、上述のケース１（Ｃ１）及びケース２（Ｃ２）のように、金属酸化層のみを含んでいてもよい。
【0164】
または、上記電気的なオープン経路１８０は、上述のケース３（Ｃ３）及びケース４（Ｃ４）のように、凹溝１８１及び金属酸化層１８２を含んでいてもよい。
【0165】
この際、上記凹溝１８１は、上記第１金属領域１１０と上記第２金属領域１２０との境界に沿って凹状に形成されることができる。
【0166】
また、上記金属酸化層１８２は、上記凹溝１８１の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法によりセラミックに非金属化されることで形成された層である。
【0167】
上述のアンテナアセンブリは、携帯端末機などの電子機器に採用されることができる。本発明の実施例による電子機器は、アンテナモジュール２００と電気的に連結された電気回路部を含む電子装置本体をさらに含むことができる。ここで、電気回路部は、内部アンテナと電気的に連結され、上記アンテナモジュール２００を介して信号を送受信することができる。本発明の実施例において、上記電気回路部の連結端子と上記アンテナモジュール２００の連結端子とが互いに電気的に連結されることができる。この際、電気的な連結方式は、二つの回路モジュールの間を電気的に連結させる通常の方式が採用されることができ、特定方式に限定されるものではない。
【0168】
例えば、上記アンテナモジュール２００が近距離通信用（ＮＦＣ）アンテナである場合、上記電気回路部はＮＦＣ送受信部を含むことができる。
【0169】
図１７は本発明の実施例による電気的なオープン経路の有無によるコイル電流及び渦電流を比較した図面である。図１７の（ａ）は、電気的なオープン経路１８０がない場合に、アンテナモジュール２００により発生したコイル電流及び渦電流の流れを示した図面であり、図１７の（ｂ）は、電気的なオープン経路１８０がある場合のコイル電流及び渦電流の流れを示した図面である。
【0170】
図１７の（ａ）を参照すると、電気的なオープン経路１８０がない場合には、コイル電流の流れと渦電流の流れとが互いに反対方向であることが分かり、図１７の（ｂ）を参照すると、電気的なオープン経路１８０がある場合には、渦電流の経路が変更されることが分かる。
【0171】
図１８は本発明の実施例による電気的なオープン経路の有無による電流分布を比較した図面である。図１８の（ａ）は、電気的なオープン経路１８０がない場合の電流分布図であり、図１８の（ｂ）は、電気的なオープン経路１８０がある場合の電流分布図である。
【0172】
図１８の（ａ）を参照すると、電気的なオープン経路１８０がない場合には、電子機器用カバー１００（または裏面カバー（Ｂ／Ｃ））において、アンテナモジュール２００と隣接した部分に電流分布が集中されていることが分かり、図１８の（ｂ）を参照すると、電気的なオープン経路１８０がある場合には、電子機器用カバー１００において、アンテナモジュール２００と隣接した部分及びその周辺に、図１８の（ａ）に比べ電流分布がより広く分散されていることが分かる。
【0173】
図１９は本発明の実施例による電気的なオープン経路の有無による認識距離を示したグラフである。図１９の（ａ）は、電気的なオープン経路１８０がない場合の認識距離を示したグラフであり、図１９の（ｂ）は、電気的なオープン経路１８０がある場合の認識距離を示したグラフである。
【0174】
図１９の（ａ）において、Ｇ１１は、電気的なオープン経路１８０がない場合、５ｃｍ距離での磁場強度（Ｈ）を周波数毎に測定したグラフであり、Ｇ１２は、電気的なオープン経路１８０がない場合、１０ｃｍ距離での磁場強度（Ｈ）を周波数毎に測定したグラフである。
【0175】
図１９の（ａ）に図示されたＧ１１及びＧ１２を参照すると、電気的なオープン経路１８０がない場合には、ＮＦＣ周波数（１３．５６ＭＨｚ）に対して５ｃｍ及び１０ｃｍ距離での磁場強度（Ｈ）が０．０９５Ａ／ｍ（Ｐ１１）及び０．０２１Ａ／ｍ（Ｐ１２）であることが分かる。
【0176】
図１９の（ｂ）において、Ｇ２１は、電気的なオープン経路１８０がある場合、５ｃｍ距離での磁場強度（Ｈ）を周波数毎に測定したグラフであり、Ｇ２２は、電気的なオープン経路１８０がある場合、１０ｃｍ距離での磁場強度（Ｈ）を周波数毎に測定したグラフである。
【0177】
図１９の（ｂ）に図示されたＧ２１及びＧ２２を参照すると、電気的なオープン経路１８０がある場合には、５ｃｍ及び１０ｃｍ距離での磁場強度（Ｈ）が０．３０８Ａ／ｍ（Ｐ２１）及び０．０８８Ａ／ｍ（Ｐ２２）であることが分かる。このようなことから、電気的なオープン経路１８０がある場合に認識距離が向上されることが分かる。
【0180】
以下、本発明の実施例による電子機器用カバー１００の製造方法について説明するにあたり、図１から図８を参照して説明した内容がそのまま適用されることができる。したがって、電子機器用カバーの製造方法についての説明において、重複される詳細な説明は省略されることがある。
【0181】
先ず、Ｓ１１０段階では、少なくとも一部が金属物質であり、金属物質からなる第１金属領域１１０を有する金属プレート１０１を準備することができる。
【0182】
次に、Ｓ１２０段階では、上記金属プレート１０１の第１金属領域１１０と電気的に分離された第２金属領域１２０を提供するために、上記金属プレート１０１の金属物質の一部を金属酸化法により非金属化させることで、電気的なオープン経路１３０を形成することができる。
【0183】
図２１を参照すると、本発明の実施例による電子機器用カバー１００の製造方法は、図２０に図示の方法に加えて、Ｓ１３０段階をさらに含むことができる。上記Ｓ１３０段階では、上記第２金属領域１２０の一部領域を金属酸化法により非金属化させることで、非金属化された一部領域により、非酸化の金属領域からなるアンテナパターンを含むアンテナ放射部１２５を形成することができる。
【0184】
ここで、図２１に図示された上記Ｓ１２０段階及びＳ１３０段階の順序は一例であって、これに限定されず、同一の工程で行われることができる。
【0185】
上記電気的なオープン経路１３０を形成する段階（Ｓ１２０）の一例を説明すると、次の通りである。
【0186】
先ず、図２１及び図８を参照すると、上記第１金属領域１１０と上記第２金属領域１２０との境界に沿って凹溝１３１を形成した後、上記凹溝１３１の内部底面から反対側の他面までの金属を金属酸化法により非金属化させることで、金属酸化層１３２を形成することができる。
【0187】
または、本発明の実施例によると、上記電気的なオープン経路１３０を形成する段階は、凹溝を形成する過程なしに、金属酸化層１３２のみを形成することもできる。
【0189】
以下、本発明の実施例による電子機器用カバーの製造方法について説明するにあたり、図９から図１９を参照して説明した内容がそのまま適用されることができる。したがって、電子機器用カバーの製造方法についての説明において、重複される詳細な説明は省略されることがある。
【0190】
図２２を参照して、本発明の実施例による電子機器用カバー１００の製造方法を説明すると、先ず、Ｓ２１０段階では、少なくとも一部が金属物質であり、金属物質からなる第１金属領域１１０を有する金属プレート１０１を準備することができる。
【0191】
次に、Ｓ２２０段階では、上記金属プレート１０１の第１金属領域１１０の一部領域を介して空間的な電磁波の出入りを許容するように、上記金属プレート１０１の第１金属領域１１０の一部領域に貫通孔１５０を形成することができる。
【0192】
例えば、上記貫通孔１５０は、ダイカスト（Ｄｉｅ Ｃａｓｔｉｎｇ）やＣＮＣ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒｉｚｅｄ Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ｃｏｎｔｒｏｌ）加工などの金属加工工程により形成することができる。
【0193】
次に、Ｓ２３０段階では、上記第１金属領域１１０での電磁波の経路を変更させるために、上記貫通孔１５０から上記第１金属領域１１０の一側端部までの金属物質を金属酸化法により非金属化させることで、電気的なオープン経路１８０を形成することができる。
【0194】
例えば、上記電気的なオープン経路１８０は、金属加工の後工程である表面処理工程で形成することができる。
【0195】
上記電気的なオープン経路１８０を形成する段階（Ｓ２３０）の一例を説明すると、次の通りである。
【0196】
先ず、図２２及び図１６を参照すると、上記貫通孔１５０から上記第１金属領域１１０の一側端部まで凹溝１８１を形成した後、上記凹溝１８１の内部底面から反対側の他面までの金属を金属酸化法により非金属化させることで、金属酸化層１８２を形成することができる。
【0197】
または、本発明の実施例によると、上記電気的なオープン経路１８０を形成する段階は、凹溝を形成する過程なしに、金属酸化層１８２のみを形成することもできる。
【0198】
図２３を参照して、本発明の実施例による電子機器用カバー１００の製造方法について説明すると、先ず、Ｓ３１０段階では、少なくとも一部が金属物質であり、金属物質からなる第１金属領域１１０を有する金属プレート１０１を準備することができる。
【0199】
次に、Ｓ３２０段階では、上記金属プレート１０１の第１金属領域１１０の一部領域を介して空間的な電磁波の出入りを許容するように、上記第１金属領域１１０の一部領域を金属酸化法により非金属化させることで、電気的なオープン領域１６０を形成することができる。
【0200】
次に、Ｓ３３０段階では、上記第１金属領域１１０での電磁波の経路を変更させるために、上記電気的なオープン領域１６０から上記第１金属領域１１０の一側端部までの金属物質を金属酸化法により非金属化させることで、電気的なオープン経路１８０を形成することができる。
【0201】
ここで、図２３に図示された上記Ｓ３２０段階及びＳ３３０段階の順序は一例であって、これに限定されず、同一の工程で行われることができる。
【0202】
上記電気的なオープン領域１６０を形成する段階の一例を説明すると、次の通りである。
【0203】
先ず、図２３及び図１５を参照すると、上記第１金属領域１１０の一部領域に凹溝１６１を形成した後、上記凹溝１６１の内部底面から反対側の他面までの金属を金属酸化法により非金属化させることで、金属酸化層１６２を形成することができる。
【0204】
または、本発明の実施例によると、上記電気的なオープン領域１６０を形成する段階は、凹溝を形成する過程なしに、金属酸化層１６２のみを形成することもできる。
【0205】
また、上記電気的なオープン経路１８０を形成する段階の一例を説明すると、次のとおりである。
【0206】
先ず、上記電気的なオープン領域１６０から上記第１金属領域１１０の一側端部までの金属物質が非金属化された凹溝１８１を形成した後、上記凹溝１８１の内部底面から反対側の他面までの金属を金属酸化法により非金属化させることで、金属酸化層１８２を形成することができる。
【0207】
または、本発明の実施例によると、上記電気的なオープン経路１８０を形成する段階は、凹溝を形成する過程なしに、金属酸化層１８２のみを形成することもできる。
【0209】
図２４を参照すると、金属プレート１０１を準備した（Ｓ１）後、金属プレート１０１の下面において金属酸化させる領域のみを残して、マスキング物質でマスキング（Ｓ２）する。次に、マスキングした状態で金属プレート１０１の露出領域に金属酸化を行った（Ｓ３）後、マスキング物質を除去する（Ｓ４）ことで、最終的に金属プレート１０１に金属酸化層を形成することができる（Ｓ５）。ここで、金属酸化層は、電気的なオープン領域または電気的なオープン経路に該当する。
【0210】
図２５を参照すると、金属プレート１０１を準備した（Ｓ１）後、金属プレート１０１の下面において金属酸化させる領域のみを残して、マスキング物質でマスキングする（Ｓ２）。次に、マスキングした状態で金属プレート１０１の露出領域及びその上面のそれぞれに金属酸化を行った（Ｓ３）後、マスキング物質を除去する（Ｓ４）ことで、最終的に金属プレート１０１に金属酸化層を形成することができる（Ｓ５）。
【0211】
図２６を参照すると、金属プレート１０１を準備した（Ｓ１）後、金属プレート１０１の上面及び下面において金属酸化させる領域のみを残して、下面及び上面のそれぞれをマスキング物質でマスキングする（Ｓ２）。次に、マスキングした状態で金属プレート１０１の両面の露出領域に金属酸化を行った（Ｓ３）後、マスキング物質を除去する（Ｓ４）ことで、最終的に金属プレート１０１に金属酸化層を形成することができる（Ｓ５）。
【0212】
図２７を参照すると、金属プレート１０１を準備した（Ｓ１）後、金属プレート１０１の下面において金属酸化させる領域に凹溝を形成する（Ｓ２）。次に、凹溝が形成された金属プレート１０１の表面に金属酸化を行うことで、最終的に金属プレート１０１に凹溝及び金属酸化層を形成することができる（Ｓ３）。
【0213】
図２８を参照すると、金属プレート１０１を準備した（Ｓ１）後、金属プレート１０１の下面において金属酸化させる領域に凹溝を形成する（Ｓ２）。次に、凹溝が形成された金属プレート１０１の表面及びその上面のそれぞれに金属酸化を行うことで、最終的に金属プレート１０１に凹溝及び金属酸化層を形成することができる（Ｓ３）。
【0214】
図２９を参照すると、金属プレート１０１を準備した（Ｓ１）後、金属プレート１０１の下面において金属酸化させる領域に凹溝を形成する（Ｓ２）。次に、金属プレート１０１の凹溝を除いた残りの下面をマスキング物質でマスキングした（Ｓ３）後、マスキングした状態で下面及びその上面に金属酸化を行うことで、最終的に金属プレート１０１に凹溝及び金属酸化層を形成することができる（Ｓ４）。
【0215】
図３０を参照すると、金属プレート１０１を準備した（Ｓ１）後、金属プレート１０１の下面において金属酸化させるべき領域に凹溝を形成する（Ｓ２）。次に、金属プレート１０１の凹溝を除いた残りの下面、及び上記凹溝の反対側の上面を除いた残りの表面をマスキング物質でマスキングした（Ｓ３）後、マスキングした状態で下面及び上面に金属酸化を行うことで、最終的に金属プレート１０１に凹溝及び金属酸化層を形成することができる（Ｓ４）。
【0216】
ここで、本発明の実施例において、凹溝は、上記金属カバーが電子機器に締結される時に外部に露出されないように、金属カバーの内側面に形成されることができる。金属プレートの下面が内側面に対応し、その上面が外部露出面に対応することができる。
【0217】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【0218】
１００ 電子機器用カバー１０１ 金属プレート
１１０ 第１金属領域
１２０ 第２金属領域
１２５ アンテナ放射部
１３０ 電気的なオープン経路
１３１ 凹溝
１３２ 金属酸化層
１５０ 貫通孔
１６０ 電気的なオープン領域
１６１ 凹溝
１６２ 金属酸化層
１８０ 電気的なオープン経路
１８１ 凹溝
１８２ 金属酸化層
２００ アンテナモジュール
５００ 携帯端末機本体
６００ セットトップボックス本体
７００ ノート型パソコン本体