特開2015-230925IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

塗布法等の簡易な方法で作製でき、再結合電流及び内部抵抗が小さく、整流作用に優れたPIN型ダイオード

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】塗布法等の簡易な方法で作製でき、再結合電流及び内部抵抗が小さく、整流作用に優れたPIN型ダイオードを提供する。
【解決手段】P層、I層、N層を有するPIN型ダイオードで、P層が有機半導体、I層及びN層が無機半導体で形成されており、I層とN層との間に、下記式(1)〜(3)を満たすバッファー層であるX層を有する。L(N)+0.1eV<L(X)<L(I)+0.3eV(1)、N(N)>N(X)>N(I)(2)、Eg(X)>Eg(I)かつEg(N)>Eg(I)(3)(式(1)〜(3)中、L(I)、L(X)、L(N)は、I層、X層及びN層のLUMO準位を表し、N(I)、N(X)及びN(N)は、I層、X層及びN層のキャリア密度を表し、Eg(I)、Eg(X)、Eg(N)は、I層、X層及びN層のバンドギャップを表す。)
【選択図】図1

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、塗布法等の簡易な方法で作製でき、再結合電流及び内部抵抗が小さく、整流作用に優れたPIN型ダイオードを提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、P層、I層及びN層を有するPIN型ダイオードであって、前記P層が有機半導体、前記I層及び前記N層が無機半導体で形成されており、前記I層と前記N層との間に、更に、下記式(1)〜(3)を満たすバッファー層であるX層を有するPIN型ダイオードである。 L(N)+0.1eV<L(X)<L(I)+0.3eV (1) N(N)>N(X)>N(I) (2) Eg(X)>Eg(I)かつEg・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明によれば、塗布法等の簡易な方法で作製でき、再結合電流及び内部抵抗が小さく、整流作用に優れたPIN型ダイオードを提供することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】バッファー層であるX層を有する本発明のPIN型ダイオードの概略図を示す。

【図2】従来のPIN型ダイオードの概略図を示す。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

1 本発明のPIN型ダイオード   2 従来のPIN型ダイオード

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