技術分野
シリコンウェーハを加工する加工方法
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】電極パッド等を構成する金属層に切削屑を付着し難くしたシリコンウェーハの加工方法を提供する。 【解決手段】ウェーハを保持するチャックテーブル(14)と、チャックテーブルに保持されたウェーハに切削液を供給しながら切削ブレード(40)でウェーハを切削する切削手段(18)と、を備えた切削装置(2)で、表面(11a)の少なくとも一部にアルミニウムからなる金属層(19b)が形成されたシリコンウェーハ(11)を加工するシリコンウェーハの加工方法であって、切削液は、純水にアンモニア水を混入することでアルカリ性に調整されており、シリコン及び金属層のゼータ電位をともにマイナスに維持するようにした。 【選択図】図2
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、上述のような方法を採用しても、シリコンウェーハへの切削屑の付着を完全に防ぐことはできない。例えば、デバイスの電極パッドに切削屑が付着してしまうと、金属ワイヤの接続不良等が発生し易くなって、デバイスの適切な動作が困難になる。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、電極パッド等を構成する金属層に切削屑を付着し難くしたシリコンウェーハの加工方法を提供することである。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明によれば、ウェーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウェーハに切削液を供給しながら切削ブレードでウェーハを切削する切削手段と、を備えた切削装置で、表面の少なくとも一部にアルミニウムからなる金属層が形成されたシリコンウェーハを加工するシリコンウェーハの加工方法であって、該切削液は、純水にアンモニア水を混入することでアルカリ性に調整されており、シリコン及び該金属層・・・ 続きを
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【発明の効果】
本発明に係るシリコンウェーハの加工方法では、純水にアンモニア水を混入することでアルカリ性に調整された切削液を供給しながらシリコンウェーハを切削するので、シリコン及び金属層(電極パッド等)のゼータ電位はともにマイナスに維持される。
すなわち、切削屑の主成分であるシリコンと、金属層との間に斥力が発生するので、切削屑は金属層に付着し難くなる。このように、本発明に係るシリコンウェーハの加工方法によれば、シリコンウェーハの切削によって発生する切削屑を、電極パッド等を構成する金属層に付着し難くできる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】 図1(A)は、シリコンウェーハの例を模式的に示す斜視図であり、図1(B)は、シリコンウェーハに形成されたデバイスの例を模式的に示す斜視図である。
【図2】 切削装置の構成例を模式的に示す図である。
11 シリコンウェーハ
11a 表面
11b 裏面
13 デバイス領域
15 外周余剰領域
17 分割予定ライン(ストリート)
19 デバイス
19a 素子部
19b 金属層
21 ダイシングテープ
23 フレーム
2 切削装置
4 基台
4a,4b,4c 開口
6 カセット載置台
8 カセット
10 X軸移動テーブル
12 防塵・防滴カバー
14 チャックテーブル
14a 保持面
16 クランプ
18 切削ユニット(切削手段)
20 支持構造
22 切削ユニット移動機構
24 Y軸ガイドレール
26 Y軸移動テーブル
28 Y軸ボールネジ
30 Y軸パルスモータ
32 Z軸ガイドレール
34 Z軸移動テーブル
36 Z軸ボールネジ
38 Z軸パルスモータ
40 切削ブレード
42 切削液供給管
44 混合ユニット
46 バルブ
48 第1の液体供給源
50 バルブ
52 第2の液体供給源
54 洗浄ユニット
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