特開2015-232165IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

ナノサイズ突起物を広い領域に安定的に形成できるナノ構造薄膜の製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】ナノサイズ突起物を広い領域に安定的に形成できるナノ構造薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリングにより基板上にナノサイズ突起物を形成するナノ構造薄膜の製造方法であって、前記基板とスパッタリングターゲットとを60mm以上離した状態でスパッタリングを行うことにより、ナノサイズ突起物を広い領域に安定的に形成する、ナノ構造薄膜の製造方法。
【選択図】なし

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、ナノサイズ突起物を広い領域に安定的に形成できるナノ構造薄膜の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、スパッタリングにより基板上にナノサイズ突起物を形成するナノ構造薄膜の製造方法であって、前記基板とスパッタリングターゲットとを60mm以上離した状態でスパッタリングを行うナノ構造薄膜の製造方法である。 以下、本発明を詳述する。
【発明の効果】
本発明によれば、ナノサイズ突起物を広い領域に安定的に形成できるナノ構造薄膜の製造方法を提供することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】スパッタリング方法の一例を模式的に示した図である。

【図2】基板に対して、スパッタリングターゲットを傾けて対向させた状態でスパッタリングを行うスパッタリング方法の一例を模式的に示した図である。

【図3】本発明のナノ構造薄膜の製造方法により得られたナノ構造薄膜の一例を模式的に示した断面図である。

1 基板ホルダ   2 基板   3 ターゲット電極   4 スパッタリングターゲット   4’ スパッタ原子   5 ナノ構造薄膜   6 基板   7 下地導電層   8 ナノサイズ突起物

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