特開 2015-37178 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2015-37178(P2015-37178A)

(43)【公開日】2015年2月23日

(54)【発明の名称】積層セラミックキャパシタ及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20150127BHJP

   H01G 4/232 20060101ALI20150127BHJP

   H01G 4/12 20060101ALI20150127BHJP

【ＦＩ】

   H01G4/30 311D

   H01G4/12 352

   H01G4/12 364

   H01G4/30 301C

【審査請求】有

【請求項の数】19

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】17

(21)【出願番号】特願2013-261346(P2013-261346)

(22)【出願日】2013年12月18日

(31)【優先権主張番号】10-2013-0094837

(32)【優先日】2013年8月9日

(33)【優先権主張国】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】龍華国際特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】キム、ヒュン テ

(72)【発明者】

【氏名】キム、キュ リー

(72)【発明者】

【氏名】チャン、ミ ジョン

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AF02

5E001AF03

5E001AH01

5E082AA01

5E082AB03

5E082GG10

5E082GG28

5E082KK01

5E082PP09

5E082PP10

(57)【要約】      （修正有）

【課題】外部電極の厚さを減少させながらもめっき液が内部に浸透する現象を防止し、信頼性を向上した積層セラミックキャパシタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック本体１１０と、第１及び第２外部電極と、を含み、第１、第２外部電極は、セラミック本体の厚さ−長さ断面において、セラミック本体の両端面にそれぞれ形成され、第１、第２内部電極１２１、１２２の露出部分と電気的に連結された第１、第２内部頭部１３１ａ、１３２ａ及びセラミック本体の両主面に形成された第１、第２内部バンド１３１ｂ、１３２ｂを含む第１、第２内部層１３１、１３２と、第１、第２内部頭部上にそれぞれ形成された第１、第２外部頭部１４１ａ、１４２ａと、第１、第２内部バンドが形成された長さより短い第１、第２外部バンド１４１ｂ、１４２ｂを含む第１、第２外部層１４１、１４２と、を含み、第１、第２外部層の粘度が第１、第２内部層の粘度より高い。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の誘電体層が積層されたセラミック本体と、
前記セラミック本体内で前記誘電体層を介して前記セラミック本体の両端面を通じて交互に露出するように配置された複数の第１及び第２内部電極と、
前記第１及び第２内部電極とそれぞれ電気的に連結された第１及び第２外部電極と、を含み、
前記第１及び第２外部電極は、
前記セラミック本体の厚さ−長さ断面において、
前記セラミック本体の両端面にそれぞれ形成され、前記第１及び第２内部電極の露出した部分とそれぞれ電気的に連結された第１及び第２内部頭部及び前記セラミック本体の両主面に形成された第１及び第２内部バンドを含む第１及び第２内部層と、
前記第１及び第２内部頭部上にそれぞれ形成された第１及び第２外部頭部と、前記第１及び第２内部バンド上に形成され、前記第１及び第２内部バンドが前記第１及び第２主面に形成された長さより短い第１及び第２外部バンドを含む第１及び第２外部層と、を含み、
前記第１及び第２外部層の粘度が前記第１及び第２内部層の粘度より高い積層セラミックキャパシタ。

【請求項2】

前記第１及び第２内部層の粘度は５，０００〜３０，０００ｃｐｓであることを特徴とする、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項3】

前記第１及び第２外部層の粘度は７，５００〜６２，５００ｃｐｓであることを特徴とする、請求項１または２に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項4】

前記第１及び第２外部層の粘度は前記第１及び第２内部層の粘度の１．５〜２．５倍であることを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項5】

前記セラミック本体は長さ、幅及び厚さがそれぞれ１．０ｍｍ以下、０．５ｍｍ以下及び０．２ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項6】

前記セラミック本体は長さ及び幅がそれぞれ１．０ｍｍ以下及び０．５ｍｍ以下であり、前記セラミック本体の厚さ／幅が０．５以下であることを特徴とする、請求項１から５のいずれか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項7】

前記第１または第２内部バンドと前記第１または第２外部バンドの厚さを足した厚さをＴ１と規定するとき、Ｔ１は３０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１から６のいずれか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項8】

前記第１または第２内部頭部と前記第１または第２外部頭部の厚さを足した厚さをＨＴと規定するとき、ＨＴは１０μｍ以上であることを特徴とする、請求項１から７のいずれか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項9】

前記第１または第２外部バンドの長さをＤ１と規定するとき、Ｄ１は３５０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１から８のいずれか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項10】

前記第１または第２内部バンドと前記第１または第２外部バンドの厚さを足した厚さをＴ１、前記第１及び第２内部バンドの厚さをＴ２と規定するとき、１．２≧Ｔ２／Ｔ１≧０．１５の範囲を満たすことを特徴とする、請求項１から９のいずれか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項11】

前記第１または第２外部電極のバンドの長さをＤ２、前記第１または第２外部バンドの長さをＤ１と規定するとき、０．９≧Ｄ１／Ｄ２≧０．０２の範囲を満たすことを特徴とする、請求項１から１０のいずれか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項12】

前記第１または第２外部電極のバンドの長さをＤ２、前記第１または第２内部バンド及び前記第１または第２外部バンドの間の塗布された境界面の長さをＣと規定するとき、１０．０≧Ｃ／Ｄ２≧０．０２の範囲を満たすことを特徴とする、請求項１から１１のいずれか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項13】

前記セラミック本体の厚さをＣＴ、前記複数の第１及び第２内部電極を含むアクティブ領域の厚さをＡＴと規定するとき、０．９≧ＡＴ／ＣＴ≧０．２８の範囲を満たすことを特徴とする、請求項１から１２のいずれか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項14】

前記第１及び第２内部層は導電性金属の含量が７９重量％以下であることを特徴とする、請求項１から１３のいずれか１項に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項15】

第１及び第２内部電極が形成された複数のセラミックシートを、前記セラミックシートを介して前記第１及び第２内部電極が対向配置されるように厚さ方向に積層し加圧して積層体を設ける段階と、
前記積層体を１個のキャパシタに対応する領域ごとに切断し焼成して、前記第１及び第２内部電極が両端面を通じて交互に露出するようにセラミック本体を設ける段階と、
前記セラミック本体に前記第１及び第２内部電極とそれぞれ電気的に連結されるように第１及び第２外部電極を形成する段階と、を含み、
前記第１及び第２外部電極を形成する段階は、前記セラミック本体の厚さ−長さ断面において、
第１導電性ペーストを使用し、前記セラミック本体の両端面から前記セラミック本体の両主面まで第１及び第２内部層を形成する段階と、
第２導電性ペーストを使用し、前記第１及び第２内部層上に前記第１及び第２内部層のバンドが一部露出するように第１及び第２外部層を形成する段階と、を含み、
前記第２導電性ペーストの粘度は前記第１導電性ペーストの粘度より高い積層セラミックキャパシタの製造方法。

【請求項16】

前記第１及び第２内部層を形成する段階において、前記第１及び第２内部層は５，０００〜３０，０００ｃｐｓの粘度を有する第１導電性ペーストを使用して形成することを特徴とする、請求項１５に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。

【請求項17】

前記第１及び第２外部層を形成する段階において、前記第１及び第２外部層は７，５００〜６２，５００ｃｐｓの粘度を有する第２導電性ペーストを使用して形成することを特徴とする、請求項１５または１６に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。

【請求項18】

前記第１及び第２外部層を形成する段階において、前記第１及び第２外部層は前記第１導電性ペーストの粘度の１．５〜２．５倍の粘度を有する第２導電性ペーストを使用して形成することを特徴とする、請求項１５から１７のいずれか１項に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。

【請求項19】

前記第１及び第２内部層を形成する段階において、前記第１及び第２内部層は導電性金属の含量が７９重量％以下の第１導電性ペーストを使用して形成することを特徴とする、請求項１５から１８のいずれか１項に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層セラミックキャパシタ及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

積層チップ電子部品の１つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：ｍｕｌｔｉ−ｌａｙｅｒｅｄ ｃｅｒａｍｉｃ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は小型、且つ高容量が保障され、実装が容易であるという長所により、多様な電子装置に用いることができる。

【0003】

例えば、上記積層セラミックキャパシタは、液晶表示装置（ＬＣＤ：ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピューター、個人携帯用端末機（ＰＤＡ：ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）及び携帯電話など様々な電子製品の印刷回路基板に装着されて、電気を充電または放電させる役割をするチップ形態のコンデンサである。

【0004】

最近では、電子製品が小型化するにつれ、このような電子製品に用いられる積層セラミックキャパシタにも超小型化及び超高容量化が要求されている。

【0005】

よって、製品の超小型化のために誘電体層及び内部電極の厚さを薄くし、超高容量化のために多数の誘電体層を積層した積層セラミックキャパシタが製造されている。

【0006】

特に、長さ及び幅のサイズに比べて厚さが相対的に薄い、いわゆる、ロープロファイル（ｌｏｗ ｐｒｏｆｉｌｅ）または埋め込み（ｅｍｂｅｄｄｅｄ）製品の場合、高容量化のために外部電極バンドの厚さの薄層化が求められる。

【0007】

しかし、高容量化のために外部電極バンドの厚さを過度に減少させると、めっき過程でめっき液がチップの内部に浸透して内部電極と接触する現象が発生し、製品の信頼性が低下する恐れがある。

【0008】

下記特許文献１及び２は、２重層構造の外部電極を有する積層セラミックキャパシタについて開示しているが、外部電極の内部層の端部が外部に露出した構造及び外部電極の外部層が内部層より高粘度のペーストを使用して形成されたことは開示していない。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0009】

【特許文献1】韓国公開特許第２０１１−０１３３４３１号公報

【特許文献2】特開平９−２０５００５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0010】

当技術分野では、積層セラミックキャパシタにおいて、外部電極バンドの厚さを薄くしながらも、めっき過程でめっき液がチップの内部に浸透して内部電極と接触する現象を防止し、製品の信頼性を向上させることができる新しい方案が要求されてきた。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本発明の一側面は、複数の誘電体層が積層されたセラミック本体と、上記セラミック本体内で上記誘電体層を介して上記セラミック本体の両端面を通じて交互に露出するように配置された複数の第１及び第２内部電極と、上記第１及び第２内部電極とそれぞれ電気的に連結された第１及び第２外部電極と、を含み、上記第１及び第２外部電極は、上記セラミック本体の厚さ−長さ断面において、上記セラミック本体の両端面にそれぞれ形成され、上記第１及び第２内部電極の露出した部分とそれぞれ電気的に連結された第１及び第２内部頭部及び上記セラミック本体の両主面に形成された第１及び第２内部バンドを含む第１及び第２内部層と、上記第１第２内部頭部上にそれぞれ形成された第１及び第２外部頭部と、上記第１及び第２内部バンド上に形成され、上記第１及び第２内部バンドが上記第１及び第２主面に形成された長さより短い第１及び第２外部バンドを含む第１及び第２外部層と、を含み、上記第１及び第２外部層の粘度が上記第１及び第２内部層の粘度より高い積層セラミックキャパシタを提供する。

【0012】

本発明の一実施形態において、上記第１及び第２内部層の粘度は５，０００〜３０，０００ｃｐｓであってもよい。

【0013】

本発明の一実施形態において、上記第１及び第２外部層の粘度は７，５００〜６２，５００ｃｐｓであってもよい。

【0014】

本発明の一実施形態において、上記第１及び第２外部層の粘度は上記第１及び第２内部層の粘度の１．５〜２．５倍であってもよい。

【0015】

本発明の一実施形態において、上記セラミック本体は長さ、幅及び厚さがそれぞれ１．０ｍｍ、０．５ｍｍ及び０．２ｍｍ以下であってもよい。

【0016】

本発明の一実施形態において、上記セラミック本体は長さ及び幅がそれぞれ１．０ｍｍ及び０．５ｍｍ以下であり、上記セラミック本体の厚さ／幅が０．５以下であってもよい。

【0017】

本発明の一実施形態において、上記第１または第２内部バンドと上記第１または第２外部バンドの厚さを足した厚さをＴ１と規定するとき、Ｔ１は３０μｍ以下であってもよい。

【0018】

本発明の一実施形態において、上記第１または第２内部頭部と上記第１または第２外部頭部の厚さを足した厚さをＨＴと規定するとき、ＨＴは１０μｍ以上であってもよい。

【0019】

本発明の一実施形態において、上記第１または第２外部バンドの長さをＤ１と規定するとき、Ｄ１は３５０μｍ以下であってもよい。

【0020】

本発明の一実施形態において、上記第１または第２内部バンドと上記第１または第２外部バンドの厚さを足した厚さをＴ１、上記第１及び第２内部バンドの厚さをＴ２と規定するとき、１．２≧Ｔ２／Ｔ１≧０．１５の範囲を満たすことができる。

【0021】

本発明の一実施形態において、上記第１または第２外部電極のバンドの長さをＤ２、上記第１または第２外部バンドの長さをＤ１と規定するとき、０．９≧Ｄ１／Ｄ２≧０．０２の範囲を満たすことができる。

【0022】

本発明の一実施形態において、上記第１または第２外部電極のバンドの長さをＤ２、上記第１または第２内部バンド及び上記第１または第２外部バンドの間の塗布された境界面の長さをＣと規定するとき、１０．０≧Ｃ／Ｄ２≧０．０２の範囲を満たすことができる。

【0023】

本発明の一実施形態において、上記セラミック本体の厚さをＣＴ、上記複数の第１及び第２内部電極を含むアクティブ領域の厚さをＡＴと規定するとき、０．９≧ＡＴ／ＣＴ≧０．２８の範囲を満たすことができる。

【0024】

本発明の一実施形態において、上記第１及び第２内部層は導電性金属の含量が７９重量％以下であってもよい。

【0025】

本発明の他の側面は、第１及び第２内部電極が形成された複数のセラミックシートを、上記セラミックシートを介して上記第１及び第２内部電極が対向配置されるように厚さ方向に積層し加圧して積層体を設ける段階と、上記積層体を１個のキャパシタに対応する領域ごとに切断し焼成して、上記第１及び第２内部電極が両端面を通じて交互に露出するようにセラミック本体を設ける段階と、上記セラミック本体に上記第１及び第２内部電極とそれぞれ電気的に連結されるように第１及び第２外部電極を形成する段階と、を含み、上記第１及び第２外部電極を形成する段階は、上記セラミック本体の厚さ−長さ断面において、第１導電性ペーストを使用し、上記セラミック本体の両端面から上記セラミック本体の両主面まで第１及び第２内部層を形成する段階と、第２導電性ペーストを使用し、上記第１及び第２内部層上に上記第１及び第２内部層のバンドが一部露出するように第１及び第２外部層を形成する段階と、を含み、上記第２導電性ペーストの粘度は上記第１導電性ペーストの粘度より高い積層セラミックキャパシタの製造方法を提供する。

【発明の効果】

【0026】

本発明の一実施形態によると、外部電極の内部層は、外部層を形成する導電性ペーストより低粘度の導電性ペーストで形成してバンドの全体厚さを薄くし、外部層は、内部層を形成する導電性ペーストより高粘度の導電性ペーストを使用して頭部の全体厚さを均一にすることで、外部電極の厚さは減少させながらもめっき過程でめっき液がチップの内部に浸透して内部電極と接触する現象を防止し、製品の信頼性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1】本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示した斜視図である。

【図2】図１の正面図である。

【図3】図１のＡ−Ａ'線の断面図である。

【図4】図１のＡ−Ａ'線の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。

【0029】

図１は本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示した斜視図であり、図２は図１の正面図であり、図３及び図４は図１のＡ−Ａ'線の断面図である。

【0030】

図１〜図４を参照すると、本実施形態による積層セラミックキャパシタ１００は、複数の誘電体層１１１が厚さ方向に積層されたセラミック本体１１０と、複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２と、第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ電気的に連結された第１及び第２外部電極と、を含む。

【0031】

セラミック本体１１０は複数の誘電体層１１１を積層した後焼成したものであって、隣接する誘電体層１１１同士は境界を確認することができない程度に一体化されていてもよい。

【0032】

また、セラミック本体１１０は六面体であってもよい。本実施形態では、セラミック本体１１０の誘電体層１１１の積層方向に対向する厚さ方向の端面を第１及び第２主面、上記第１及び第２主面を連結して対向する長さ方向の端面を第３及び第４端面、対向する幅方向の端面を第５及び第６側面と定義する。

【0033】

このとき、セラミック本体１１０は長さ、幅及び厚さがそれぞれ１．０ｍｍ以下、０．５ｍｍ以下及び０．２ｍ以下であるか、長さ及び幅がそれぞれ１．０ｍｍ以下及び０．５ｍｍ以下で、セラミック本体１１０の厚さ／幅が０．５以下である、いわゆる、ロープロファイル（ｌｏｗ ｐｒｏｆｉｌｅ）または埋め込み（ｅｍｂｅｄｄｅｄ）形態であってもよい。

【0034】

一方、セラミック本体１１０は、内部電極を含むアクティブ領域の上下面にそれぞれ内部電極を持たない少なくとも一つ以上の誘電体層が積層されてなる上部及び下部カバー層１１２、１１３を有してもよい。

【0035】

誘電体層１１１は高い誘電率のセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック粉末などを含んでもよく、十分な静電容量が得られるものであればよい。

【0036】

また、誘電体層１１１には、上記セラミック粉末と共に、必要に応じて、遷移金属酸化物または炭化物、希土類元素、マグネシウム（Ｍｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）などのような多様な種類のセラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤及び分散剤などがさらに添加されてもよい。

【0037】

第１及び第２内部電極１２１、１２２は異なる極性を有する電極であって、誘電体層１１１を形成するセラミックシート上の少なくとも一面に形成されて積層され、セラミック本体１００内でそれぞれの誘電体層１１１を介して上記第３及び第４端面を通じて交互に露出するように配置されてもよい。

【0038】

このとき、第１及び第２内部電極１２１、１２２は中間に配置された誘電体層１１１により互いに電気的に絶縁され、積層セラミックキャパシタ１００の静電容量は誘電体層１１１の積層方向に沿って重畳する第１及び第２内部電極１２１、１２２の面積に比例する。

【0039】

また、第１及び第２内部電極１２１、１２２は導電性金属で形成され、例えば、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）のうち一つまたはこれらの合金などからなるものを用いてもよく、本発明はこれに限定されない。

【0040】

上記第１及び第２外部電極は、相対的に低粘度の第１及び第２内部層１３１、１３２と、第１及び第２内部層１３１、１３２より相対的に高粘度の第１及び第２外部層１４１、１４２と、を含む。

【0041】

このとき、第１及び第２外部層１４１、１４２の粘度は、第１及び第２内部層１３１、１３２の粘度の１．５〜２．５倍であることが好ましいが、本発明はこれに限定されない。

【0042】

本実施形態において、第１及び第２内部層１３１、１３２は、セラミック本体１１０の厚さ−長さ断面において、上記第３及び第４端面を通じて交互に露出した複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２を覆って電気的に連結されるようにセラミック本体１１０の上記第３及び第４端面にそれぞれ形成された第１及び第２内部頭部１３１ａ、１３２ａと、第１及び第２内部頭部１３１ａ、１３２ａの上下端部から延長されてセラミック本体１１０の上記第１及び第２主面に形成された第１及び第２内部バンド１３１ｂ、１３２ｂと、を含む。

【0043】

このとき、第１及び第２内部層１３１、１３２は、良好な電気的特性を有し、且つ優れた耐ヒートサイクル性及び耐湿性などの高信頼性のために、例えば、銅ガラス（Ｃｕ−Ｇｌａｓｓ）ペーストを使用して形成されてもよいが、本発明はこれに限定されない。

【0044】

また、第１及び第２内部層１３１、１３２は、導電性金属の含量が全体含量の７９重量％以下であってもよい。下記表１を参照すると、第１及び第２内部層１３１、１３２は、導電性金属の含量に応じて緻密度と厚さが変化し、導電性金属の含量が全体含量の８０重量％を超えると、破れる不良が生じることが分かる。しかし、導電性金属の含量が全体含量の８０重量％の場合は、緻密度が良好で、破れる不良は生じないが、厚さが基準値の１０５％となり、厚さに対する不良が生じることが分かる。

【0045】

【表1】

【0046】

このとき、第１及び第２内部層１３１、１３２の導電性金属を除いた成分は、バインダー及びソルベントなどである。

【0047】

また、第１及び第２内部層１３１、１３２の粘度は５，０００〜２５，０００ｃｐｓであってもよく、本発明はこれに限定されない。

【0048】

下記表２を参照すると、第１及び第２内部層１３１、１３２は粘度に応じて緻密度と厚さが変化し、粘度が５，０００ｃｐｓ未満では、破れる不良が生じ、粘度が３０，０００ｃｐｓを超えると、例えば、４０，０００ｃｐｓの場合、厚さが１２０％と厚すぎて、サイズ要件を満たさないことが分かる。

【0049】

【表2】

【0050】

第１及び第２外部層１４１、１４２は第１及び第２内部層１３１、１３２上に形成され、後述する第１及び第２めっき層を形成する際、めっき液が内部電極に浸透することを抑制する役割をすることができる。

【0051】

第１及び第２外部層１４１、１４２は、第１及び第２内部頭部１３１ａ、１３２ａ上にそれぞれ形成された第１及び第２外部頭部１４１ａ、１４２ａと、第１及び第２内部バンド１３１ｂ、１３２ｂ上に形成され、第１及び第２内部バンド１３１ｂ、１３２ｂが上記第１及び第２主面に形成された長さより短く、第１及び第２内部バンド１３１ｂ、１３２ｂの一部が外部に露出するように形成された第１及び第２外部バンド１４１ｂ、１４２ｂと、を含む。

【0052】

また、第１及び第２外部層１４１、１４２の粘度は、第１及び第２内部層１３１、１３２の粘度の１．５〜２．５倍であってもよい。

【0053】

下記表３を参照すると、第１及び第２外部層１４１、１４２の粘度が第１及び第２内部層１３１、１３２の粘度の１．５倍未満では、緻密度が十分でないため、信頼性不良が発生することがあり、第１及び第２外部層１４１、１４２の粘度が第１及び第２内部層１３１、１３２の粘度の２．５倍を超えると、第１及び第２外部層１４１、１４２の厚さが過度に厚くなるという問題点があることが分かる。

【0054】

【表3】

【0055】

本実施形態では、第１及び第２外部層１４１、１４２の粘度は７，５００〜６２，５００ｃｐｓであってもよいが、本発明はこれに限定されない。

【0056】

一方、上記第１及び第２外部電極は、その外表面に第１及び第２めっき層（不図示）がさらに形成されてもよい。

【0057】

また、上記第１及び第２めっき層は、上記第１及び第２外部電極の表面に形成されたニッケル（Ｎｉ）めっき層と、上記ニッケルめっき層上に形成されたすず（Ｓｎ）めっき層と、を含んでもよい。

【0058】

このような第１及び第２めっき層は、積層セラミックキャパシタ１００を印刷回路基板などに半田付けにより実装する時、相互の接着強度を上げるためのもので、めっき処理は公知の方法により行ってもよく、環境を考慮して鉛フリーめっきを施すことが好ましいが、本発明はこれに限定されない。

【0059】

以下では、図３及び図４を参照し、本実施形態に含まれる構成要素の寸法関係を具体的に説明する。

【0060】

本実施形態では、第１または第２内部バンド１３１ｂ、１３２ｂと第１または第２外部バンド１４１ｂ、１４２ｂの厚さを足した厚さをＴ１、第１及び第２内部バンド１３１ｂ、１３２ｂの厚さをＴ２、第１または第２内部頭部１３１ａ、１３２ａと第１または第２外部頭部１４１ａ、１４２ａの厚さを足した厚さをＨＴ、上記第１または第２外部電極のバンドの長さをＤ２、第１または第２外部バンド１４１ｂ、１４２ｂの長さをＤ１、第１または第２内部バンド１３１ｂ、１３２ｂ及び第１または第２外部バンド１４１ｂ、１４２ｂの間の塗布された境界面の間の長さをＣ、セラミック本体１１０の厚さをＣＴ、複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２を含む部分であるアクティブ領域の厚さをＡＴと規定する。

【0061】

例えば、長さと幅が１０×５ｍｍである小型サイズの製品において、積層セラミックキャパシタの厚さが０．２ｍｍ以下または積層セラミックキャパシタの厚さ／幅が０．５以下である、いわゆる、ロープロファイル（ｌｏｗ ｐｒｏｆｉｌｅ）または埋め込み（ｅｍｂｅｄｄｅｄ）製品の場合、高容量化のためには上記第１及び第２外部電極の全体バンドの厚さを最小に設定し、めっき液浸透による信頼性低下を防止するために第１及び第２内部電極１２１、１２２と接触する上記第１及び第２外部電極の全体頭部の厚さ、即ち、第１または第２内部頭部１３１ａ、１３２ａと第１または第２外部頭部１４１ａ、１４２ａの厚さを足した厚さＨＴは少なくとも１０μｍ以上になるようにし、その厚さが全般的に均一でなければならない。

【0062】

本実施形態では、粘度の異なる２重積層構造、特に、第１及び第２外部層１４１、１４２の粘度が内側に形成された第１及び第２内部層１３１、１３２より高い２重積層構造に上記第１及び第２外部電極を形成することで、セラミック本体１１０の長さ、幅及び厚さがそれぞれ１．０ｍｍ、０．５ｍｍ及び０．２ｍｍ以下であるか、またはセラミック本体１００の長さ及び幅がそれぞれ１．０ｍｍ及び０．５ｍｍ以下であり、セラミック本体１００の厚さ／幅が０．５以下である、いわゆる、ロープロファイル（ｌｏｗ ｐｒｏｆｉｌｅ）または埋め込み（ｅｍｂｅｄｄｅｄ）製品を製作しても、上記第１及び第２外部電極の厚さを全般的に均一にしながら、めっき液浸透による信頼性低下を防止する効果が期待できる。

【0063】

即ち、低粘度の第１及び第２内部層１３１、１３２により薄層化が可能で、第１及び第２内部層１３１、１３２より相対的に高い粘度を有する第１及び第２外部層１４１、１４２により第１及び第２外部電極の頭部の厚さが均一になることができる。

【0064】

特に、セラミック本体１１０の厚さに対するアクティブ領域の厚さの比が０．２８以上の製品は、外部電極の頭部の厚さを均一に保持することがさらに困難である。

【0065】

本実施形態において、セラミック本体１１０の厚さをＣＴ、複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２を含むアクティブ領域の厚さをＡＴと規定するとき、０．９≧ＡＴ／ＣＴ≧０．２８の範囲を満たすことができる。

【0066】

特に、本実施形態によると、セラミック本体１１０の厚さに対するアクティブ領域の厚さの比が０．２８以上でも、第１及び第２外部電極の全体頭部の厚さを均一に保持することができる。

【0067】

一方、本実施形態において、一定水準の容量を満たし、且つめっき液の浸透を防止して信頼性を保持するために、第１または第２内部バンド１３１ｂ、１３２ｂと第１または第２外部バンド１４１ｂ、１４２ｂの厚さを足した厚さをＴ１と規定するとき、Ｔ１は３０μｍ以下であってもよい。

【0068】

若し、上記Ｔ１が３０μｍ未満になると、めっき液が内部に浸透して信頼性に問題が発生する恐れがある。

【0069】

また、第１または第２外部バンド１４１ｂ、１４２ｂの長さをＤ１と規定するとき、Ｄ１は３５０μｍ以下であってもよい。

【0070】

また、第１または第２内部バンド１３１ｂ、１３２ｂと第１または第２外部バンド１４１ｂ、１４２ｂの厚さを足した厚さをＴ１、第１または第２内部バンド１３１ｂ、１３２ｂの厚さをＴ２と規定するとき、１．２≧Ｔ２／Ｔ１≧０．１５の範囲を満たすことができる。

【0071】

このとき、Ｔ２／Ｔ１が１．２を超えると、信頼性は満たすことができるが、厚すぎて基準サイズの要件を満たすことができず、Ｔ２／Ｔ１が０．１５未満では、信頼性不良が発生する恐れがある。

【0072】

また、上記第１または第２外部電極のバンドの長さをＤ２、第１または第２外部バンド１４１ｂ、１４２ｂの長さをＤ１と規定するとき、０．９≧Ｄ１／Ｄ２≧０．０２の範囲を満たすことができる。

【0073】

下記表４を参照すると、Ｄ１／Ｄ２が０．０２未満では、信頼性不良が発生する恐れがあり、Ｄ１／Ｄ２が０．９を超えると、基準サイズの要件を満たすことができないという問題があることが分かる。

【0074】

【表4】

【0075】

上記Ｔ２／Ｔ１及びＤ１／Ｄ２は、第１または第２内部層１３１、１３２と第１または第２外部層１４１、１４２間の段差の比率を示すもので、上記Ｔ２／Ｔ１及びＤ１／Ｄ２が上記範囲から外れると、本実施形態の積層セラミックキャパシタを埋め込み型に適用する場合、信頼性の確保が困難であるとともに、基板にレーザービア加工をするとき、レーザー乱反射によるビア不良が発生して基板不良率が増加する恐れがある。

【0076】

また、上記第１または第２外部電極のバンドの長さをＤ２、第１または第２内部バンド１３１ｂ、１３２ｂ及び第１または第２外部バンド１４１ｂ、１４２ｂの間の塗布された境界面の長さをＣと規定するとき、１０．０≧Ｃ／Ｄ２≧０．０２の範囲を満たすことができる。

【0077】

下記表５を参照すると、Ｃ／Ｄ２が１０を超えると、工程収率が低下し、信頼性不良が発生する恐れがあり、Ｃ／Ｄ２が０．０２未満では、基準サイズの要件を満たすことができなくなるという問題があることが分かる。

【0078】

【表5】

【0079】

以下、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を説明する。

【0080】

まず、複数のセラミックシートを用意する。

【0081】

上記セラミックシートはセラミック本体１１０の誘電体層１１１を形成するためのもので、セラミック粉末、ポリマー及び溶剤などを混合してスラリーを製造し、上記スラリーをドクターブレードなどの工法によりキャリアフィルム上に塗布及び乾燥して数μｍ厚さのシート（ｓｈｅｅｔ）状に製作する。

【0082】

次に、上記それぞれのセラミックシートの少なくとも一面に導電性ペーストを所定の厚さに印刷して第１及び第２内部電極１２１、１２２を形成する。

【0083】

このとき、第１及び第２内部電極１２１、１２２はセラミックシートの長さ方向の両端面を通じてそれぞれ露出するように形成する。

【0084】

また、上記導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを用いることができるが、本発明はこれに限定されない。

【0085】

次に、第１及び第２内部電極１２１、１２２が形成された複数のセラミックシートを上記セラミックシートを介して第１及び第２内部電極１２１、１２２が対向配置されるように厚さ方向に積層し加圧して積層体を用意する。

【0086】

次に、上記積層体を１個のキャパシタに対応する領域ごとに切断してチップ化し、高温で焼成して、対向する厚さ方向の第１及び第２主面、第１及び第２内部電極１２１、１２２が交互に露出した長さ方向の第３及び第４端面、及び幅方向の第５及び第６側面を有するセラミック本体１１０を用意する。

【0087】

次に、セラミック本体１１０の端面に、第１及び第２内部電極１２１、１２２の露出した部分と電気的に連結されるように第１及び第２外部電極を形成する。

【0088】

以下、上記第１及び第２外部電極を形成する方法について具体的に説明する。

【0089】

まず、低粘度の第１導電性ペーストを使用し、セラミック本体１１０の上記第３及び第４端面を通じて露出した複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２のそれぞれが全て覆われるようにセラミック本体１１０の上記第３及び第４端面から上記第１及び第２主面まで延長されるように第１及び第２内部層１３１、１３２を形成する。

【0090】

上記第１導電性ペーストはディッピングまたは多様な印刷方法を用いて塗布してもよいが、本発明はこれに限定されない。

【0091】

また、上記第１導電性ペーストは５，０００〜２５，０００ｃｐｓの粘度を有することができるが、本発明はこれに限定されない。

【0092】

また、上記第１導電性ペーストは全体含量に対し、導電性金属の含量が７９重量以下であることができる。

【0093】

また、塗布過程後に熱処理工程を施し、塗布された第１導電性ペーストが固まるようにする。

【0094】

次に、上記第１導電性ペーストより高粘度の第２導電性ペーストを使用して第１及び第２外部層１４１、１４２を形成する。このとき、第１及び第２内部層１３１、１３２上に上記第３及び第４端面から上記第１及び第２主面まで形成するが、第１及び第２内部層１３１、１３２の第１及び第２内部バンド１３１ｂ、１３２ｂのうち一部が露出するように第１及び第２内部バンド１３１ｂ、１３２ｂが上記第１及び第２主面に形成された長さより短い長さを有するように形成する。

【0095】

上記第２導電性ペーストはディッピングまたは多様な印刷方法を用いて塗布してもよいが、本発明はこれに限定されない。

【0096】

また、上記第２導電性ペーストは上記第１導電性ペーストの粘度の１．５〜２．５倍の粘度を有することができ、本実施形態では７，５００〜６２，５００ｃｐｓの粘度を有することができるが、本発明はこれに限定されない。

【0097】

また、塗布過程後に熱処理工程を施し、塗布された第２導電性ペーストが固まるようにする。

【0098】

また、必要に応じて、第１及び第２外部層１４１、１４２を形成する段階後に、上記第１及び第２外部電極の表面を電気めっきなどの方法によりめっき処理し、第１及び第２めっき層（不図示）を形成してもよい。

【0099】

上記めっきに用いられる物質としては、ニッケルまたはすず、ニッケルすず合金などを使用してもよく、本発明はこれに限定されない。

【0100】

また、必要に応じて、上記第１及び第２めっき層はニッケルめっき層とすずめっき層を上記第１及び第２外部電極の表面に順に積層して構成することができる。

【0101】

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。

【符号の説明】

【0102】

１００ 積層セラミックキャパシタ
１１０ セラミック本体
１１１ 誘電体層
１２１、１２２ 第１及び第２内部電極
１３１、１３２ 第１及び第２内部層
１４１、１４２ 第１及び第２外部層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】