特開2015-56483(P2015-56483A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」

▶ 学校法人 名城大学の特許一覧 ▶ スタンレー電気株式会社の特許一覧

特開2015-56483窒化物半導体混晶の製造方法及びその製造方法によって作製された窒化物半導体多層構造
<>
  • 特開2015056483-窒化物半導体混晶の製造方法及びその製造方法によって作製された窒化物半導体多層構造 図000005
  • 特開2015056483-窒化物半導体混晶の製造方法及びその製造方法によって作製された窒化物半導体多層構造 図000006
  • 特開2015056483-窒化物半導体混晶の製造方法及びその製造方法によって作製された窒化物半導体多層構造 図000007
  • 特開2015056483-窒化物半導体混晶の製造方法及びその製造方法によって作製された窒化物半導体多層構造 図000008
  • 特開2015056483-窒化物半導体混晶の製造方法及びその製造方法によって作製された窒化物半導体多層構造 図000009
  • 特開2015056483-窒化物半導体混晶の製造方法及びその製造方法によって作製された窒化物半導体多層構造 図000010
< >