特開 2015-7677 液晶表示装置及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2015-7677(P2015-7677A)

(43)【公開日】2015年1月15日

(54)【発明の名称】液晶表示装置及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1368 20060101AFI20141212BHJP

   G02F 1/1343 20060101ALI20141212BHJP

【ＦＩ】

   G02F1/1368

   G02F1/1343

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】12

(21)【出願番号】特願2013-132130(P2013-132130)

(22)【出願日】2013年6月24日

(71)【出願人】

【識別番号】506087819

【氏名又は名称】パナソニック液晶ディスプレイ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】特許業務法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】高野 隆男

(72)【発明者】

【氏名】山本 睦

(72)【発明者】

【氏名】松井 謙治

(72)【発明者】

【氏名】田原 幸雄

【テーマコード（参考）】

2H092

2H192

【Ｆターム（参考）】

2H092GA14

2H092JA26

2H092JA34

2H092JA46

2H092JB05

2H092NA04

2H092NA07

2H092QA06

2H192AA24

2H192BB13

2H192BB84

2H192BB86

2H192BC31

2H192CB05

2H192CC04

2H192EA66

2H192JA33

(57)【要約】

【課題】画素の開口率を向上させるとともに、ラビング工程における配向不良を低減することができる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に第１方向に延在するゲート配線１２と、基板１１上に第２方向に延在するドレイン配線１３と、第２方向に延在するとともにコモン電極１９に電気的に接続されるコモン配線２０と、を含み、コモン配線２０は、平面視で、絶縁膜１８を介してドレイン配線１３と重畳し、ドレイン配線１３における、隣り合うゲート配線１２の間に配置される部分は、ゲート配線１２と同層に形成されている。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板上に、第１方向に延在する複数のゲート配線と、
前記基板上に、前記第１方向とは異なる第２方向に延在する複数のドレイン配線と、
前記第２方向に延在するとともに、コモン電極に電気的に接続される複数のコモン配線と、を含み、
前記複数のコモン配線のそれぞれは、平面視で、少なくとも一部が第１絶縁膜を介して前記複数のドレイン配線のうち少なくとも１本のドレイン配線と重畳し、
前記複数のドレイン配線のうち前記コモン配線と重畳するドレイン配線における、隣り合う前記ゲート配線の間に配置される部分は、前記ゲート配線と同層に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。

【請求項2】

前記複数のゲート配線を覆うように形成される第２絶縁膜をさらに含み、
前記第１絶縁膜は、前記複数のドレイン配線及び前記第２絶縁膜を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。

【請求項3】

前記第２絶縁膜には、前記ドレイン配線の幅よりも大きい刳り抜き部が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。

【請求項4】

前記複数のドレイン配線のうち前記コモン配線と重畳するドレイン配線は、前記刳り抜き部内で露出される前記基板上に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。

【請求項5】

前記コモン電極は、前記第１絶縁膜上に形成され、
前記複数のコモン配線は、前記コモン電極上に形成されていることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の液晶表示装置。

【請求項6】

前記複数のコモン配線は、前記コモン電極における前記ドレイン配線の形成領域を覆う平坦部上に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。

【請求項7】

前記ドレイン配線における、平面視で前記ゲート配線と交差する部分は、前記第２絶縁膜を介して前記ゲート配線と重畳していることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。

【請求項8】

前記コモン配線の幅は、前記ドレイン配線の幅以下であることを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の液晶表示装置。

【請求項9】

前記複数のドレイン配線は、平面視で前記コモン配線と重畳する第１ドレイン配線と、平面視で前記コモン配線と重畳しない第２ドレイン配線とに分類され、
前記第１ドレイン配線は、前記ゲート配線と同層に形成され、前記第２ドレイン配線は、前記第２絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項２から４の何れか１項に記載の液晶表示装置。

【請求項10】

隣り合う２つの画素列の間に前記ドレイン配線が２本設けられており、
平面視で、前記２つの画素列の間に配置される２本の前記ドレイン配線に、１本の前記コモン配線が重畳していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。

【請求項11】

基板上に、第１方向に延在するように複数のゲート配線を形成するゲート配線形成工程と、
前記複数のゲート配線を覆うように第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、
前記第２絶縁膜の一部を刳り抜き、ドレイン配線を前記基板上に配置するための配置領域を形成するエッチング工程と、
前記基板上の前記配置領域に、前記第１方向とは異なる第２方向に延在するように複数の前記ドレイン配線を形成するドレイン配線形成工程と、
前記第２方向に延在するとともに、コモン電極に電気的に接続するように複数のコモン配線を形成するコモン配線形成工程と、を含み、
前記コモン配線形成工程において、前記複数のコモン配線のそれぞれを、平面視で、少なくとも一部が第１絶縁膜を介して前記複数のドレイン配線のうち少なくとも１本のドレイン配線と重畳するように形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

【請求項12】

前記ドレイン配線形成工程において、前記複数のドレイン配線のうち前記コモン配線と重畳するドレイン配線における、隣り合う前記ゲート配線の間に配置される部分を、前記ゲート配線と同層に形成することを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。

【請求項13】

前記複数のゲート配線及び前記複数のドレイン配線を、互いに異なる工程において、前記基板上に形成することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の液晶表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

液晶表示装置は、各画素におけるバックライトの光の透過／非透過を制御することにより画像を表示する構成であるため、表示品位を向上させるためには、各画素において光が透過する領域（有効表示領域）を広くする、換言すると、画素の開口率を高めることが重要である。従来、液晶表示装置において、画素の開口率を向上させるための様々な技術が提案されている（例えば特許文献１参照）。

【0003】

特許文献１には、対向電極に基準信号を供給する対向電圧信号線（コモン配線ともいう。）を、ゲート信号線の走行方向に沿って、かつゲート信号線に重畳して形成する構成が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００９−１２２２９９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、ゲート信号線上には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）やスペーサの台座などが設けられるため、コモン配線をゲート信号線の走行方向に沿って重畳して形成するためには、薄膜トランジスタなどを避けてコモン配線を形成するか、又はゲート信号線の幅を広げて出来たスペースにコモン配線を形成する必要がある。前者の場合は、コモン配線の形成が複雑になり断線の可能性が増大するという問題があり、後者の場合は、画素の開口率が低下するという問題がある。

【0006】

これらの問題を解決するための構成として、例えば、コモン配線をデータ信号線（ドレイン配線）の走行方向に沿って重畳して形成する構成が考えられる。しかし、この構成では、コモン配線とドレイン配線との重畳部分がＴＦＴ基板表面で段差となって表れ、ラビング工程において配向不良が生じるという問題が生じる。

【0007】

本発明は、上記種々の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、画素の開口率を向上させるとともに、ラビング工程における配向不良を低減することができる液晶表示装置及びその製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明に係る液晶表示装置は、上記課題を解決するために、基板上に、第１方向に延在する複数のゲート配線と、前記基板上に、前記第１方向とは異なる第２方向に延在する複数のドレイン配線と、前記第２方向に延在するとともに、コモン電極に電気的に接続される複数のコモン配線と、を含み、前記複数のコモン配線のそれぞれは、平面視で、少なくとも一部が第１絶縁膜を介して前記複数のドレイン配線のうち少なくとも１本のドレイン配線と重畳し、前記複数のドレイン配線のうち前記コモン配線と重畳するドレイン配線における、隣り合う前記ゲート配線の間に配置される部分は、前記ゲート配線と同層に形成されていることを特徴とする。

【0009】

本発明に係る液晶表示装置では、前記複数の第２絶縁膜を覆うように形成されるゲート絶縁膜をさらに含み、前記第１絶縁膜は、前記複数のドレイン配線及び前記第２絶縁膜を覆うように形成されていることが好ましい。

【0010】

本発明に係る液晶表示装置では、前記第２絶縁膜には、前記ドレイン配線の幅よりも大きい刳り抜き部が形成されていることが好ましい。

【0011】

本発明に係る液晶表示装置では、前記複数のドレイン配線のうち前記コモン配線と重畳するドレイン配線は、前記刳り抜き部内で露出される前記基板上に形成されていることが好ましい。

【0012】

本発明に係る液晶表示装置では、前記コモン電極は、前記第１絶縁膜上に形成され、前記複数のコモン配線は、前記コモン電極上に形成されていることが好ましい。

【0013】

本発明に係る液晶表示装置では、前記複数のコモン配線は、前記コモン電極における前記ドレイン配線の形成領域を覆う平坦部上に形成されていることが好ましい。

【0014】

本発明に係る液晶表示装置では、前記ドレイン配線における、平面視で前記ゲート配線と交差する部分は、前記第２絶縁膜を介して前記ゲート配線と重畳していることが好ましい。

【0015】

本発明に係る液晶表示装置では、前記コモン配線の幅は、前記ドレイン配線の幅以下であることが好ましい。

【0016】

本発明に係る液晶表示装置では、前記複数のドレイン配線は、平面視で前記コモン配線と重畳する第１ドレイン配線と、平面視で前記コモン配線と重畳しない第２ドレイン配線とに分類され、前記第１ドレイン配線は、前記ゲート配線と同層に形成され、前記第２ドレイン配線は、前記第２絶縁膜上に形成されていることが好ましい。

【0017】

本発明に係る液晶表示装置では、隣り合う２つの画素列の間に前記ドレイン配線が２本設けられており、平面視で、前記２つの画素列の間に配置される２本の前記ドレイン配線に、１本の前記コモン配線が重畳していてもよい。

【0018】

本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、上記課題を解決するために、基板上に、第１方向に延在するように複数のゲート配線を形成するゲート配線形成工程と、前記複数のゲート配線を覆うように第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、前記第２絶縁膜の一部を刳り抜き、ドレイン配線を前記基板上に配置するための配置領域を形成するエッチング工程と、前記基板上の前記配置領域に、前記第１方向とは異なる第２方向に延在するように複数の前記ドレイン配線を形成するドレイン配線形成工程と、前記第２方向に延在するとともに、コモン電極に電気的に接続するように複数のコモン配線を形成するコモン配線形成工程と、を含み、前記コモン配線形成工程において、前記複数のコモン配線のそれぞれを、平面視で、少なくとも一部が第１絶縁膜を介して前記複数のドレイン配線のうち少なくとも１本のドレイン配線と重畳するように形成することを特徴とする。

【0019】

本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記ドレイン配線形成工程において、前記複数のドレイン配線のうち前記コモン配線と重畳するドレイン配線における、隣り合う前記ゲート配線の間に配置される部分を、前記ゲート配線と同層に形成することが好ましい。

【0020】

本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記複数のゲート配線及び前記複数のドレイン配線を、互いに異なる工程において、前記基板上に形成することが好ましい。

【発明の効果】

【0021】

本発明に係る液晶表示装置及びその製造方法によれば、コモン配線をドレイン配線に重畳しつつ、コモン配線上のＴＦＴ基板表面の段差を低く抑えることができる。このため、画素の開口率を向上させるとともに、ラビング工程における配向不良を低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の一例を示す斜視図である。

【図2】本実施形態に係る液晶表示装置に設けられる表示パネルの一部の概略構成を示す平面図である。

【図3】図２の表示パネルにおける線Ａ−Ｂに沿った断面の構造を示す断面図である。

【図4】ＴＦＴ基板の断面の構造を示す断面図である。

【図5】ＴＦＴ基板の断面の構造を示す断面図である。

【図6】本実施形態に係るＴＦＴ基板の製造工程を示す図である。

【図7】本実施形態に係るＴＦＴ基板の製造工程を示す図である。

【図8】本実施形態に係るＴＦＴ基板の製造工程を示す図である。

【図9】ダブルソースライン構造の表示パネルにおける断面の構造を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0023】

図１は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置１の一例を示す斜視図である。液晶表示装置１は、画像を表示する縦長形状の表示パネル２（図２参照）と、表示パネル２の背面側に設けられ、表示パネル２に光を照射するバックライト（図示せず）と、表示パネル２における画像表示を制御する各種駆動回路（図示せず）とを備えている。

【0024】

図２は、本実施形態に係る液晶表示装置１に設けられる表示パネル２の一部の概略構成を示す平面図であり、図３は、図２の表示パネル２における線Ａ−Ｂに沿った断面の構造を示す断面図である。

【0025】

図３に示すように、表示パネル２は、背面側に設けられる薄膜トランジスタ基板（以下、ＴＦＴ基板という。）１０と、前面側に設けられるカラーフィルタ基板（以下、ＣＦ基板という。）３０と、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板３０の間に挟持される液晶層４０とを含んで構成されている。なお、図２では便宜上、ＴＦＴ基板１０のみを示し、ＣＦ基板３０及び液晶層４０は省略している。

【0026】

図３に示すように、ＴＦＴ基板１０では、無アルカリガラス等からなる基板（透明基板）１１上に、Ｃｕ等の金属からなる複数のゲート配線１２（走査信号線）が、表示パネル２を平面的に視て横（左右、行）方向（第１方向；図２参照）に延在するように形成されている。また、基板１１上に、Ｃｕ等の金属からなる複数のドレイン配線１３（データ信号線）が、表示パネル２を平面的に視て縦（上下、列）方向（第２方向；図２参照）に延在するように形成されている。基板１１上には、ゲート配線１２を覆うようにＳｉＮ等の透明な絶縁材料からなる絶縁膜（ゲート絶縁膜）１４（第２絶縁膜）が形成されている。なお、ゲート絶縁膜１４は、基板１１上におけるドレイン配線１３が配置される領域（配置領域１４ｂ）が刳り抜かれている。

【0027】

ゲート絶縁膜１４上には、非晶質シリコン（ａＳｉ）からなる半導体層１５が形成されている。半導体層１５上には、ドレイン電極１６及びソース電極１７が形成されている。これら電極１６，１７及びドレイン配線１３を覆うように、ＳｉＮ等の透明な絶縁材料からなる絶縁膜（パッシベーション膜）１８（第１絶縁膜）が形成されている。なお、ドレイン電極１６は、ドレイン配線１３に電気的に接続されている。

【0028】

絶縁膜１８上には、スズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透明導電膜からなるコモン電極１９が形成されている。コモン電極１９上には、ドレイン配線１３と同一方向に延在するように、Ｃｕ等の金属からなる複数のコモン配線２０が形成されている。なお、コモン電極１９及びコモン配線２０の形成位置（積層位置）は特に限定されるものではなく、コモン電極１９及びコモン配線２０が互いに電気的に接続されていればよい。例えば、コモン配線２０を覆うようにコモン電極１９が形成されていてもよいし、コモン電極１９及びコモン配線２０が絶縁層を介して積層され、コンタクトホールを介して互いに電気的に接続されていてもよい。ここで、コモン配線２０は、表示パネル２を平面的に視て（平面視で）、少なくとも一部がドレイン配線１３と重畳して形成されている。図２及び図３では一例として、平面視で、１本のコモン配線２０の全体が１本のドレイン配線１３に重畳して形成されている。

【0029】

コモン電極１９及びコモン配線２０を覆うように、絶縁膜（パッシベーション膜）２１が形成されている。絶縁膜２１上には、スズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透明導電膜からなる画素電極２２が形成されている。画素電極２２は、コンタクトホール２３を介してソース電極１７に電気的に接続されている。なお、図２では、隣り合うゲート線１２と隣り合うドレイン線１３とで囲まれた１つの画素領域に画素電極が１つ設けられているが、これに限定されず、１つの画素領域に複数の画素電極が設けられていてもよい。

【0030】

ＣＦ基板３０には、平面視で、ゲート配線１２と、ドレイン配線１３及びコモン配線２０とに重畳するようにブラックマトリクス３１が形成されている。ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板３０の液晶層４０側の表面にはそれぞれ配向膜（図示せず）が形成されている。

【0031】

上記のように、ドレイン配線１３は、基板１１上に形成されており、ゲート配線１２と同層に配置されている。具体的には、ゲート絶縁膜１４には、ドレイン配線１３の幅よりも大きい刳り抜き部１４ａが形成されており、刳り抜き部１４ａでは基板１１表面が露出している。刳り抜き部１４ａにおいて基板１１が露出された領域がドレイン配線１３の配置領域１４ｂとなる。ドレイン配線１３は、刳り抜き部１４ａ内の配置領域１４ｂに形成されることにより、基板１１上において、ゲート配線１２と同層に配置される。ドレイン配線１３上には、絶縁膜１８を介してコモン配線２０が形成されている。これにより、ドレイン配線１３及びコモン配線２０上のＴＦＴ基板１０表面の段差を低く抑えることができる。なお、ドレイン配線１３とゲート配線１２とが交差する部分では、ドレイン配線１３は、ゲート絶縁膜１４を介してゲート配線１２に重畳して形成されている。

【0032】

ここで、本実施形態と比較するために、ドレイン配線１３０をゲート絶縁膜１４０上に形成した場合のＴＦＴ基板１００の一構成例を図４（ａ）に示す。図４（ｂ）には、本実施形態のＴＦＴ基板１０の一部を示している。図４（ａ）に示すＴＦＴ基板１００では、基板１１０上の全面にゲート絶縁膜１４０が形成され、ゲート絶縁膜１４０上にドレイン配線１３０が形成され、ドレイン配線１３０上に絶縁膜１８０を介してコモン配線２００が形成されている。この場合、ＴＦＴ基板１００の表面の段差はＨａとなる。これに対して、本実施形態のＴＦＴ基板１０では、図４（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１０の表面の段差はＨｂとなる。上記段差ＨａとＨｂを比較すると、本実施形態における段差Ｈｂは、ゲート絶縁膜１４に刳り抜き部１４ａが形成されているため、図４（ａ）の構成における段差Ｈａよりもゲート絶縁膜の膜厚分だけ低くなる。これにより、配向膜のラビング工程において、上記段差に起因する配向不良を低減することができる。

【0033】

ここで、本実施形態における、ドレイン配線１３とコモン配線２０との位置関係について説明する。上述したように、コモン配線２０は、平面視で、少なくとも一部がドレイン配線１３に重畳して形成されている。コモン配線２０がドレイン配線１３に重畳する位置は特に限定されるものではないが、画素の開口率を最大限に高めるためには、図５に示すように、コモン配線２０が、ドレイン配線１３の形成領域を覆うコモン電極１９上における、基板１１の表面と平行な領域である平坦部１４ｃに形成されていることが好ましい。すなわち、コモン配線２０は、該コモン配線２０のコモン電極１９への投影領域（コモン電極１９に接触する部分）が平坦部１４ｃの領域内に形成されていることが好ましい。また、コモン配線２０の幅は、ドレイン配線１３の幅以下であることが好ましい。

【0034】

本実施形態によれば、コモン配線２０は、液晶表示装置１の縦方向（図２の第２方向）に延在するドレイン配線１３と同一方向に延在して形成されている。このため、ＴＦＴ基板１０において、コモン電極１９の材料であるＩＴＯの導電性の低さに起因して縦方向に顕著に発生する電位変動が低減され、より良好な表示特性が得られる。また、コモン配線２０が縦方向に形成されているため、コモン配線２０の駆動回路を、表示パネル２の上側又は下側の領域に設けることが可能となる。従って、本実施形態に係る液晶表示装置１は、特に、縦方向に長い形状を有する液晶表示装置に好適である。

【0035】

［製造方法］
次に、本実施形態に係る液晶表示装置１におけるＴＦＴ基板１０の製造方法を説明する。図６から図８は、本実施形態に係るＴＦＴ基板１０の製造工程を示す図である。図６から図８では、図２における線Ａ−Ｂに沿った断面の構造を示している。

【0036】

まず図６（ａ）に示すように、基板１１上に、横方向（第１方向；図２参照）に延在するようにゲート配線１２を形成する（ゲート配線形成工程）。具体的には、基板１１上にスパッタリングによりＣｕの膜を形成した後、フォトリソ工程（フォトレジストの塗布、フォトマスクを使用した選択的な露光、および現像）、及びエッチングによりＣｕの不要な部分を除去することにより、ゲート配線１２を形成する。

【0037】

次に図６（ｂ）に示すように、基板１１上にゲート配線１２を覆うように、例えばＣＶＤ法によりゲート絶縁膜１４を形成する（ゲート絶縁膜形成工程）。次に図６（ｃ）に示すように、ドレイン配線１３を配置するための配置領域１４ｂを形成するために、ゲート絶縁膜１４をエッチングする（エッチング工程）。なお、エッチング工程では、ゲート配線１２の端子部となる端子部領域（図示せず）を露出させる処理も行う。

【0038】

次に図６（ｄ）に示すように、フォトリソ工程およびエッチングにより、配置領域１４ｂにドレイン配線１３を形成するとともに、ゲート配線１２の上方に、半導体層１５、ドレイン電極１６及びソース電極１７を形成する。次に図７（ａ）に示すように、例えばＣＶＤ法によって、基板全体を覆うようにＳｉＮ等の透明な絶縁材料からなる絶縁膜１８を形成する。

【0039】

次に図７（ｂ）に示すように、スパッタリングにより、絶縁膜１８上に、ＩＴＯ等の透明導電膜とＣｕ等の金属薄膜を形成し、フォトリソ工程およびエッチングによりコモン電極１９を形成する（コモン電極形成工程）。次に、フォトリソ工程およびエッチングにより、コモン電極１９上に、ドレイン配線１３と同一方向に延在するように、金属薄膜の一部を使ってコモン配線２０を形成する（コモン配線形成工程）。コモン配線２０は、平面視で、少なくとも一部がドレイン配線１３に重畳するように形成される。

【0040】

次に図７（ｃ）に示すように、例えばＣＶＤ法によって、基板全体を覆うようにＳｉＮ等の透明な絶縁材料からなる絶縁膜２１を形成し、その後、ソース電極１７を露出させるために、絶縁膜１８及び絶縁膜２１を刳り抜き、コンタクトホール２３を形成する。次に図８に示すように、フォトリソ工程およびエッチングにより、コンタクトホール２３内及び絶縁膜２１上に、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる金属膜を成膜して画素電極２２を形成する。

【0041】

以上の工程により、本実施形態に係るＴＦＴ基板１０が製造される。なお、本実施形態に係るＣＦ基板３０は、周知の方法により製造することができる。

【0042】

なお、本発明は上記実施形態に限定されない。上記実施形態では、１本のドレイン配線１３に対して１本のコモン配線２０が設けられているが、これに限定されず、ｎ本（ｎは２以上の整数）のドレイン配線１３に対して１本のコモン配線２０が設けられていてもよい。例えば、２本のドレイン配線１３に対して１本のコモン配線２０が設けられていてもよい。具体的には、全ドレイン配線１３のうち奇数列目（又は偶数列目）に配列されているドレイン配線１３に重畳するようにコモン配線２０が設けられている構成とすることができる。

【0043】

他の構成としては、隣り合う２つの画素列の間に２本ドレイン配線が設けられた、いわゆるダブルソースライン構造において、隣り合う２つの画素列の間に配置される２本のドレイン配線１３を１本のコモン配線２０が共有して重畳する構成とすることができる。この場合には、例えば、図９に示すように２つの画素列の間に配置された左右２本のドレイン配線１３において、１本のコモン配線２０が、左側ドレイン配線１３の右側領域に重畳するとともに、右側ドレイン配線１３の左側領域に重畳するように形成されていてもよいし、１本のコモン配線２０が、左右２本のドレイン配線１３を完全に覆うように重畳して形成されていてもよい。なお、図９では、ダブルソースライン構造の表示パネルにおける、図３に対応する断面の構造を示している。

【0044】

また、ｎ本（ｎは２以上の整数）のドレイン配線１３に対して１本のコモン配線２０が設けられる上記構成では、全ドレイン配線１３は、コモン配線２０と重畳するドレイン配線１３（第１ドレイン配線）と、コモン配線２０と重畳しないドレイン配線１３（第２ドレイン配線）とに分類される。この場合、第１ドレイン配線をゲート配線１２と同層に形成し、第２ドレイン配線をゲート絶縁膜１４上に形成することが好ましい。これにより、第１ドレイン配線の上方のＴＦＴ基板表面の段差と、第２ドレイン配線の上方のＴＦＴ基板表面の段差とを均等化することができる。

【0045】

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で上記実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでもない。

【符号の説明】

【0046】

１ 液晶表示装置、２ 表示パネル、１０ 薄膜トランジスタ基板、１１ 基板、１２ ゲート配線（走査信号線）、１３ ドレイン配線（データ信号線）、１４ ゲート絶縁膜、１４ａ 刳り抜き部、１４ｂ 配置領域、１４ｃ 平坦部、１５ 半導体層、１６ ドレイン電極、１７ ソース電極、１８ 絶縁膜（パッシベーション膜）、１９ コモン電極、２０ コモン配線、２１ 絶縁膜（パッシベーション膜）、２２ 画素電極、２３ コンタクトホール、３０ カラーフィルタ基板、３１ ブラックマトリクス、４０ 液晶層。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】