特開2015-78094(P2015-78094A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特開2015-78094ＳｉＣ層の形成方法、３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法、および３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル基板
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