特開 2015-87434 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2015-87434(P2015-87434A)

(43)【公開日】2015年5月7日

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1345 20060101AFI20150410BHJP

   G02F 1/1368 20060101ALI20150410BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20150410BHJP

【ＦＩ】

   G02F1/1345

   G02F1/1368

   G09F9/00 346A

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】14

(21)【出願番号】特願2013-223712(P2013-223712)

(22)【出願日】2013年10月28日

(71)【出願人】

【識別番号】506087819

【氏名又は名称】パナソニック液晶ディスプレイ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】特許業務法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】喜田 和夫

(72)【発明者】

【氏名】桶 隆太郎

(72)【発明者】

【氏名】河内 玄士朗

【テーマコード（参考）】

2H092

2H192

5G435

【Ｆターム（参考）】

2H092GA33

2H092GA35

2H092GA41

2H092GA43

2H092GA48

2H092GA55

2H092GA60

2H092NA25

2H192AA24

2H192EA43

2H192FA65

2H192FA73

2H192FB25

2H192FB27

5G435AA18

5G435BB05

5G435BB12

5G435EE37

5G435HH12

5G435HH14

5G435HH20

(57)【要約】

【課題】表示パネルの狭額縁化を図る。
【解決手段】ＴＦＴ基板ＳＵＢ１には、画像表示領域に配置される複数のデータ線を駆動する複数のデータドライバＩＣ−Ｄが形成されており、データドライバＩＣ−Ｄは、平面的に見てＴＦＴ基板ＳＵＢ１におけるデータドライバＩＣ−Ｄと重なる領域内において、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１に形成された金属配線ＭＴ１に電気的に接続されており、金属配線ＭＴ１は、前記領域内において、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１における金属配線ＭＴ１とは異なる層に形成された引き出し配線Ｄ１に、コンタクトホールＣＯＮＴ１を介して電気的に接続されており、引き出し配線Ｄ１は、前記領域外に延在するとともに、データ線と電気的に接続されている。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

対向配置された、背面側の第１基板と表示面側の第２基板とを備え、
前記第１基板には、画像表示領域に配置される複数の信号線と、該複数の信号線を駆動する複数の駆動回路と、が形成されており、
前記駆動回路は、平面的に見て前記第１基板における該駆動回路と重なる領域内において、前記第１基板に形成された金属配線に電気的に接続されており、
前記金属配線は、前記領域内において、前記第１基板における該金属配線とは異なる層に形成された引き出し配線に、コンタクトホールを介して電気的に接続されており、
前記引き出し配線は、前記領域外に延在するとともに、前記信号線と電気的に接続されている、
ことを特徴とする表示装置。

【請求項2】

前記金属配線は、前記領域内に形成された第１コンタクトホールを介して前記引き出し配線に電気的に接続されており、
前記駆動回路は、前記領域内に形成された第２コンタクトホールを介して前記金属配線に電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記金属配線は、前記信号線に含まれるデータ線と同一層に形成されており、
前記引き出し配線は、前記信号線に含まれるゲート線と同一層に形成されている、
ことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。

【請求項4】

前記第１基板のガラス基板上に、前記引き出し配線が形成されおり、
前記引き出し配線を覆うように、第１絶縁膜が形成されており、
前記第１絶縁膜上に、前記金属配線が形成されており、
前記金属配線を覆うように、第２絶縁膜が形成されており、
前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜には、前記第１コンタクトホールが形成されており、
前記第２絶縁膜には、前記第２コンタクトホールが形成されており、
前記金属配線と前記引き出し配線とは、前記第１コンタクトホール内に形成された第１透明電極を介して電気的に接続されており、
前記金属配線と前記駆動回路とは、前記第２コンタクトホール内に形成された第２透明電極を介して電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。

【請求項5】

前記第１透明電極及び前記第２透明電極は、前記領域内において、前記駆動回路を前記第１基板に接続するための樹脂性接着剤に覆われている、
ことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。

【請求項6】

複数の前記引き出し配線は、互いに異なる２つの層に交互に形成されており、
隣り合う前記引き出し配線の間には、絶縁膜が形成されている、
ことを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項7】

前記第２コンタクトホールは、前記第１コンタクトホールよりも前記画像表示領域に近い位置に形成されている、
ことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表示装置に関し、特には、ドライバＩＣの接続構造に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、表示装置では、装置全体の小型化及び薄型化を図るために、表示パネルを駆動する駆動回路（以下、ドライバＩＣという。）を、表示パネルのガラス基板上に直接搭載する、所謂ＣＯＧ（Chip On Glass）と呼ばれる実装方式が採用されている。

【0003】

例えば特許文献１には、データ線を駆動するドライバＩＣと、ゲート線を駆動するドライバＩＣとがＴＦＴ基板上に直接搭載された液晶表示装置が開示されている。この液晶表示装置において、各ドライバＩＣは、各ドライバＩＣの端子に接続された引き出し配線を介して、データ線又はゲート線に電気的に接続されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１２−９８４６４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

特許文献１に開示された液晶表示装置では、引き出し配線と信号線（データ線又はゲート線）とが互いに異なる層に形成される場合、引き出し配線と信号線とは、コンタクトホールを介して互いに電気的に接続されている。このコンタクトホールの領域（コンタクト領域）は、一般的に、液晶パネルにおける画像表示領域の周囲の額縁領域に形成される。そのため、従来の液晶表示装置では、ドライバＩＣの端子に接続される引き出し配線と、液晶パネルを駆動するための信号線とを電気的に接続するためのコンタクト領域が、液晶パネルの狭額縁化の妨げとなっている。

【0006】

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示パネルの狭額縁化を図ることにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明に係る表示装置は、上記課題を解決するために、対向配置された、背面側の第１基板と表示面側の第２基板とを備え、前記第１基板には、画像表示領域に配置される複数の信号線と、該複数の信号線を駆動する複数の駆動回路と、が形成されており、前記駆動回路は、平面的に見て前記第１基板における該駆動回路と重なる領域内において、前記第１基板に形成された金属配線に電気的に接続されており、前記金属配線は、前記領域内において、前記第１基板における該金属配線とは異なる層に形成された引き出し配線に、コンタクトホールを介して電気的に接続されており、前記引き出し配線は、前記領域外に延在するとともに、前記信号線と電気的に接続されている、ことを特徴とする。

【0008】

本発明に係る表示装置では、前記金属配線は、前記領域内に形成された第１コンタクトホールを介して前記引き出し配線に電気的に接続されており、前記駆動回路は、前記領域内に形成された第２コンタクトホールを介して前記金属配線に電気的に接続されていてもよい。

【0009】

本発明に係る表示装置では、前記金属配線は、前記信号線に含まれるデータ線と同一層に形成されており、前記引き出し配線は、前記信号線に含まれるゲート線と同一層に形成されていてもよい。

【0010】

本発明に係る表示装置では、前記第１基板のガラス基板上に、前記引き出し配線が形成されおり、前記引き出し配線を覆うように、第１絶縁膜が形成されており、前記第１絶縁膜上に、前記金属配線が形成されており、前記金属配線を覆うように、第２絶縁膜が形成されており、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜には、前記第１コンタクトホールが形成されており、前記第２絶縁膜には、前記第２コンタクトホールが形成されており、前記金属配線と前記引き出し配線とは、前記第１コンタクトホール内に形成された第１透明電極を介して電気的に接続されており、前記金属配線と前記駆動回路とは、前記第２コンタクトホール内に形成された第２透明電極を介して電気的に接続されていてもよい。

【0011】

本発明に係る表示装置では、前記第１透明電極及び前記第２透明電極は、前記領域内において、前記駆動回路を前記第１基板に接続するための樹脂性接着剤に覆われていてもよい。

【0012】

本発明に係る表示装置では、複数の前記引き出し配線は、互いに異なる２つの層に交互に形成されており、隣り合う前記引き出し配線の間には、絶縁膜が形成されていてもよい。

【0013】

本発明に係る表示装置では、前記第２コンタクトホールは、前記第１コンタクトホールよりも前記画像表示領域に近い位置に形成されていてもよい。

【発明の効果】

【0014】

本発明に係る表示装置の構成によれば、金属配線と引き出し配線とを接続するためのコンタクト領域が、第１基板における駆動回路と重なる領域（駆動回路の投影領域）内に設けられている。よって、表示パネルの狭額縁化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す図である。

【図2】データドライバＩＣ−Ｄの構成を示す平面図である。

【図3】図２のＡ−Ａ´断面図である。

【図4】図２のＢ−Ｂ´断面図である。

【図5】図２のＣ−Ｃ´断面図である。

【図6】図２のＸ−Ｘ´断面図である。

【図7】額縁領域を示す平面図である。

【図8】引き出し配線及び金属配線の構成を示す平面図である。

【図9】ゲートドライバＩＣ−Ｇの構成を示す平面図である。

【図10】図９のＤ−Ｄ´断面図である。

【図11】図９のＥ−Ｅ´断面図である。

【図12】引き出し配線及び金属配線の構成を示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

本発明の実施形態について、図面を用いて以下に説明する。本発明の実施形態では、液晶表示装置を例に挙げるが、本発明に係る表示装置は液晶表示装置に限定されるものではなく、例えば有機ＥＬ表示装置等であってもよい。

【0017】

図１は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す図である。液晶表示装置ＬＣＤは、機能で領域を大別すると、画像表示領域ＤＩＡと、画像表示領域ＤＩＡの周囲の額縁領域とからなる。

【0018】

画像表示領域ＤＩＡには、隣り合うゲート線ＧＬ（信号線）と隣り合うデータ線ＤＬ（信号線）とで囲まれた画素領域が、行方向及び列方向にマトリクス状に複数配列されている。なお、ゲート線ＧＬが延在する方向を列方向、データ線ＤＬが延在する方向を行方向とする。

【0019】

額縁領域には、画像表示領域ＤＩＡにおいて画像を表示させるための駆動回路である、ドライバＩＣ（ゲートドライバＩＣ−Ｇ、データドライバＩＣ−Ｄ）と、シフトレジスタＳＲとが設けられている。なお、本液晶表示装置ＬＣＤでは、ドライバＩＣがＴＦＴ基板ＳＵＢ１（第１基板）のガラス基板上に直接搭載されるＣＯＧ方式が採用されている。

【0020】

ドライバＩＣは、データ線ＤＬを駆動する複数のデータドライバＩＣ−Ｄと、ゲート線を駆動する複数のゲートドライバＩＣ−Ｇとを含んでいる。なお、図１では、データドライバＩＣ−Ｄ及びゲートドライバＩＣ−Ｇが、液晶表示装置ＬＣＤの一側面側（左側面側）において列方向に一列に並んで配置されているが、本発明はこれに限定されない。例えば、データドライバＩＣ−Ｄが、液晶表示装置ＬＣＤの左側面側において列方向に並んで配置され、ゲートドライバＩＣ−Ｇが、液晶表示装置ＬＣＤの上側面側において行方向に並んで配置されていてもよい。

【0021】

シフトレジスタＳＲは、各ゲート線ＧＬに対応する単位回路（図示せず）が複数設けられており、複数の単位回路は、ゲートバスライン（図示せず）を介して縦続接続されている。

【0022】

ＴＦＴ基板ＳＵＢ１に対向して、表示面側にＣＦ基板ＳＵＢ２（第２基板）が設けられ、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１とＣＦ基板ＳＵＢ２との間に、液晶層ＬＣが挟持されている。ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の背面側には、液晶パネル（表示パネル）に光を照射するバックライト（図示せず）が設けられている。

【0023】

各画素領域では、次のようにしてアクティブマトリクス表示が行われる。ゲートドライバＩＣ−Ｇは、ゲートバスラインに出力電圧を供給する。シフトレジスタＳＲの各単位回路は、供給された出力電圧に基づいてシフト動作を行い、各ゲート線ＧＬへ順次、ゲート電圧を供給する。データドライバＩＣ−Ｄは、出力電圧（データ電圧）をデータ線ＤＬへ供給する。ゲート電圧による薄膜トランジスタＴＦＴのオン／オフによりデータ電圧を画素電極ＰＩＴに供給する。画素電極ＰＩＴに供給されたデータ電圧と、コモンドライバ（図示せず）から共通電極ＣＩＴに供給された共通（コモン）電圧との差により生じる電界により液晶層ＬＣの液晶分子を駆動する。これにより、光の透過率を制御して画像表示を行う。カラー表示を行う場合は、縦ストライプ状のカラーフィルタで形成された赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色に対応するそれぞれの画素領域の画素電極ＰＩＴに接続されたデータ線ＤＬ（Ｒ），ＤＬ（Ｇ），ＤＬ（Ｂ）に所望のデータ電圧を供給することにより実現される。なお、共通電極ＣＩＴは、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１に形成されていてもよいし、ＣＦ基板ＳＵＢ２に形成されていてもよい。上記の表示方法は、一例であり、他の周知の方法を適用することもできる。

【0024】

ここで、ドライバＩＣをＴＦＴ基板ＳＵＢ１に搭載するための具体的な構成について説明する。

【0025】

図２は、１つのデータドライバＩＣ−Ｄの構成を示す平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ´断面図である。図４は、図２のＢ−Ｂ´断面図である。図５は、図２のＣ−Ｃ´断面図である。

【0026】

図２に示すように、データドライバＩＣ−Ｄは、入力端子部ＩＮと出力端子部ＯＵＴとを備えている。入力端子部ＩＮは、例えばＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）に接続されている。出力端子部ＯＵＴは、引き出し配線Ｄ０，Ｄ１，Ｄ２に接続されており、引き出し配線Ｄ１，Ｄ２は、データドライバＩＣ−Ｄの搭載領域（ＴＦＴ基板ＳＵＢ１への投影領域）外でデータ線ＤＬに電気的に接続されている。引き出し配線Ｄ１，Ｄ２にはそれぞれ、１本のデータ線ＤＬが電気的に接続されている。引き出し配線Ｄ１，Ｄ２とデータ線ＤＬとは、同一層で直接接続されていてもよいし、異なる層でコンタクトホール又は金属配線を介して接続されていてもよい。

【0027】

引き出し配線Ｄ０は、表示に寄与しない、例えば接地用の配線である。データ線ＤＬに電気的に接続される、引き出し配線Ｄ１と引き出し配線Ｄ２とは、互いに異なる層に形成されている。具体的には、引き出し配線Ｄ１は、ゲート線ＧＬと同一層（ゲート層）に形成されており、引き出し配線Ｄ２は、データ線ＤＬと同一層（ドレイン層）に形成されている。引き出し配線Ｄ１と引き出し配線Ｄ２との間には、絶縁膜ＧＳＮ（第１絶縁膜）が形成されている。

【0028】

引き出し配線Ｄ１と引き出し配線Ｄ２とは、同一層に形成されていてもよいが、上記のように互いに異なる層に形成されていることが好ましい。その理由は以下の通りである。すなわち、図１に示すように、引き出し配線Ｄは複数本ずつ束ねられて１つのデータドライバＩＣ−Ｄに接続される構造上、複数の引き出し配線Ｄの中には、延在方向がデータ線ＤＬの延在方向（行方向）に対して斜め方向になる引き出し配線Ｄ（斜め配線）が存在する。隣り合う複数の引き出し配線Ｄが斜め方向の場合、これら引き出し配線Ｄの間隔が狭くなり、隣り合う引き出し配線同士が互いに接触したり、この接触を防ぐために配線を細くすることによる断線が生じたりする問題がある。この点、図６の断面図に示すように、引き出し配線Ｄ１と引き出し配線Ｄ２とが絶縁膜を介して互いに異なる層に形成されていれば、異なる層に亘って隣り合う引き出し配線Ｄ１，Ｄ２同士の間には絶縁膜（ＧＳＮ）が介在しているため、これら引き出し配線Ｄ１，Ｄ２同士の接触を防ぐことができる。また、同一層において隣り合う引き出し配線Ｄ１，Ｄ１（又はＤ２とＤ２）同士の間隔が広くなるため、これら隣り合う引き出し配線Ｄ１，Ｄ１（又はＤ２とＤ２）同士の接触を防ぐことができる。よって、引き出し配線Ｄ１と引き出し配線Ｄ２とは、互いに異なる層に形成されていることが好ましい。

【0029】

次に、データドライバＩＣ−Ｄの接続構造について説明する。まず、図３を用いて、Ａ−Ａ´断面に係る出力端子部ＯＵＴの構成について説明する。ＴＦＴ基板ＳＵＢ１において、ガラス基板ＧＢ上には、ゲート線ＧＬと同一層の金属配線ＭＴ２が形成されている。金属配線ＭＴ２を覆うように、絶縁膜ＧＳＮが形成されている。ゲート絶縁膜ＧＳＮ上には、データ線ＤＬと同一層の引き出し配線Ｄ２が形成されている。引き出し配線Ｄ２を覆うように、絶縁膜ＰＡＳ（第２絶縁膜）が形成されている。図３には図示していないが、画像表示領域ＤＩＡの絶縁膜ＰＡＳ上には、画素電極ＰＩＴが形成されている。

【0030】

データドライバＩＣ−Ｄの下部、すなわち平面的に見てＴＦＴ基板ＳＵＢ１におけるデータドライバＩＣ−Ｄと重なる領域（投影領域）内において、絶縁膜ＧＳＮ及び絶縁膜ＰＡＳには、コンタクトホールＣＯＮＴ１（第１コンタクトホール）が形成されており、コンタクトホールＣＯＮＴ１内には、透明電極ＩＴＯ１（第１透明電極）が形成されている。これにより、引き出し配線Ｄ２と金属配線ＭＴ２とが互いに電気的に接続されている。

【0031】

また、絶縁膜ＰＡＳにはコンタクトホールＣＯＮＴ２（第２コンタクトホール）が形成されており、コンタクトホールＣＯＮＴ２内には、透明電極ＩＴＯ２（第２透明電極）が形成されている。透明電極ＩＴＯ２には、異方性導電膜ＡＣＦ（Anisotropy Conductive
Film)（樹脂性接着剤）に含まれる導電粒子ＤＢの一部が接触しており、導電粒子ＤＢの他の部分にデータドライバＩＣ−ＤのバンプＢＰ（例えば、金）が接触している。これにより、引き出し配線Ｄ２とデータドライバＩＣ−Ｄの出力端子部ＯＵＴとが、互いに電気的に接続されている。引き出し配線Ｄ２は、画像表示領域ＤＩＡ側へ延伸しており、上記投影領域外において、データ線ＤＬに電気的に接続されている。

【0032】

これにより、図３の出力端子部ＯＵＴでは、データドライバＩＣ−Ｄから出力された出力電圧が、引き出し配線Ｄ２を介してデータ線ＤＬに供給される。なお、データドライバＩＣ−ＤとＴＦＴ基板ＳＵＢ１とは異方性導電膜ＡＣＦにより接続されている。透明電極ＩＴＯ１，ＩＴＯ２は、上記投影領域内において、異方性導電膜ＡＣＦの樹脂材料に覆われている。このため、透明電極ＩＴＯ１，ＩＴＯ２の腐食を防ぐことができる。

【0033】

次に、図４を用いて、Ｂ−Ｂ´断面に係る出力端子部ＯＵＴの構成について説明する。図３の出力端子部ＯＵＴの構成と異なる点は、金属配線ＭＴ１がドレイン層において、透明電極ＩＴＯ１，ＩＴＯ２同士を電気的に接続するように形成されており、引き出し配線Ｄ１が、ゲート層に形成されており、画像表示領域ＤＩＡ側に延伸している点である。図４の出力端子部ＯＵＴでは、コンタクトホールＣＯＮＴ２に形成された透明電極ＩＴＯ２と、これに電気的に接続された導電粒子ＤＢとを介して、金属配線ＭＴ１とデータドライバＩＣ−Ｄの出力端子部ＯＵＴとが、電気的に接続されている。また、金属配線ＭＴ１と引き出し配線Ｄ１とが、コンタクトホールＣＯＮＴ１に形成された透明電極ＩＴＯ１を介して電気的に接続されている。これにより、引き出し配線Ｄ１とデータドライバＩＣ−Ｄの出力端子部ＯＵＴとが、電気的に接続されている。引き出し配線Ｄ１は、画像表示領域ＤＩＡ側へ延伸しており、上記投影領域外において、データ線ＤＬに電気的に接続されている。引き出し配線Ｄ１とデータ線ＤＬとは、コンタクトホールを介して接続されていてもよいし、両者の端部を覆う金属配線（ＩＴＯ）を介して接続されていてもよい。

【0034】

図４に示す構成では、金属配線ＭＴ１が形成されるドレイン層から、引き出し配線Ｄ１が形成されるゲート層への変換（層変換）を行うためのコンタクトホールＣＯＮＴ１（コンタクト領域）が、データドライバＩＣ−Ｄの下部（上記投影領域内）に設けられている。すなわち、図７（ｂ）に示すように、平面的に見て、層変換のためのコンタクト領域が、データドライバＩＣ−Ｄの上記投影領域内に設けられている。よって、本液晶表示装置ＬＣＤによれば、上記コンタクト領域がデータドライバＩＣ−Ｄの上記投影領域外に設けられている従来の液晶表示装置（例えば図７（ａ）参照）と比較して、液晶パネルの狭額縁化を図ることができる。

【0035】

なお、図３の金属配線ＭＴ２と図４の引き出し配線Ｄ１とは、同一工程において同一層かつ同一材料で形成されており、図３の引き出し配線Ｄ２と図４の金属配線ＭＴ１とは、同一工程において同一層かつ同一材料で形成されている。また、図３の金属配線ＭＴ２は、出力電圧の伝送には寄与しないが、その上方に形成される引き出し配線Ｄ２と、これに隣接する領域に形成される金属配線ＭＴ１（図４参照）との高さを均一化するために設けられている。

【0036】

図５に示すＣ−Ｃ´断面に係る出力端子部ＯＵＴでは、引き出し配線Ｄ０は、表示に寄与せず、例えば接地用の配線であるため、上記層変換を行う必要がない。そのため、図３に示す出力端子部ＯＵＴと比較して、コンタクトホールＣＯＮＴ１が省略されている。金属配線ＭＴ０は、図３の金属配線ＭＴ２と同様、引き出し配線Ｄ０，Ｄ２（図３参照）及び金属配線ＭＴ１（図４参照）の高さを均一化するために設けられている。

【0037】

なお、引き出し配線Ｄ０，Ｄ１，Ｄ２及び金属配線ＭＴ０，ＭＴ１，ＭＴ２は、同一の金属材料で形成することができる。

【0038】

ここで、引き出し配線Ｄ１，Ｄ２の幅の関係について説明する。図８（ａ）は、図３に示すＡ−Ａ´断面に係る出力端子部ＯＵＴに対応する引き出し配線Ｄ２と金属配線ＭＴ２とを示す平面図である。図８（ｂ）は、図４に示すＢ−Ｂ´断面に係る出力端子部ＯＵＴに対応する引き出し配線Ｄ１と金属配線ＭＴ１とを示す平面図である。図８（ｃ）は、図５に示すＣ−Ｃ´断面に係る出力端子部ＯＵＴに対応する引き出し配線Ｄ０と金属配線ＭＴ０とを示す平面図である。

【0039】

図８（ａ）において、データドライバＩＣ−Ｄ側（上方）から見て、手前側に配置される引き出し配線Ｄ２を実線で示し、奥側に配置される金属配線ＭＴ２を、引き出し配線Ｄ２に重なる部分は点線、引き出し配線Ｄ２に重ならない部分は実線で示している。引き出し配線Ｄ２と金属配線ＭＴ２との間に配置される絶縁膜ＧＳＮは省略している。図８（ａ）に示すように、引き出し配線Ｄ２のエッジＥ２は、金属配線ＭＴ２のエッジＥ１を覆っている。これにより、引き出し配線Ｄ２の延伸部ｄ２とエッジＥ２との接続部の断線を防ぐことができる。また、金属配線ＭＴ２の中継部ｃ１の列方向の幅は、引き出し配線Ｄ２の中継部ｃ２の列方向の幅よりも大きい。これにより、中継部ｃ１と中継部ｃ２とが適切に積層される。

【0040】

図８（ｂ）も同様に、金属配線ＭＴ１のエッジＥ２は、引き出し配線Ｄ１のエッジＥ１を覆っており、引き出し配線Ｄ１の中継部ｃ１の列方向の幅は、金属配線ＭＴ１の中継部ｃ２の列方向の幅よりも大きい。また、図８（ｃ）に示すように、引き出し配線Ｄ０は、金属配線ＭＴ０を覆うように形成されている。

【0041】

次に、ゲートドライバＩＣ−Ｇの具体的な構成について説明する。図９は、１つのゲートドライバＩＣ−Ｇの構成を示す平面図である。図１０は、図９のＤ−Ｄ´断面図である。図１１は、図９のＥ−Ｅ´断面図である。

【0042】

図９に示すように、ゲートドライバＩＣ−Ｇは、入力端子部ＩＮと出力端子部ＯＵＴとを備えている。入力端子部ＩＮは、例えばＦＰＣに接続されている。出力端子部ＯＵＴは、引き出し配線Ｇ０，Ｇ１に接続されており、引き出し配線Ｇ１は、額縁領域内で、シフトレジスタＳＲに接続されるゲートバスラインに接続されている。引き出し配線Ｇ１とゲートバスラインとは、同一層（ゲート層）に形成されており、互いに直接接続されていてもよいし、金属配線を介して接続されていてもよい。

【0043】

引き出し配線Ｇ０は、表示に寄与しない、例えば電源用の配線である。引き出し配線Ｇ０と引き出し配線Ｇ１とは、互いに異なる層に形成されている。具体的には、引き出し配線Ｇ１は、ゲートバスライン及びゲート線ＧＬと同一層（ゲート層）に形成されており、引き出し配線Ｇ０は、データ線ＤＬと同一層（ドレイン層）に形成されている。引き出し配線Ｇ１と引き出し配線Ｇ０との間には、絶縁膜ＧＳＮ（第１絶縁膜）が形成されている。

【0044】

次に、ゲートドライバＩＣ−Ｇの接続構造について説明する。まず、図１０を用いて、Ｄ−Ｄ´断面に係る出力端子部ＯＵＴの構成について説明する。ＴＦＴ基板ＳＵＢ１において、ガラス基板ＧＢ上には、ゲート線ＧＬと同一層の引き出し配線Ｇ１が形成されている。引き出し配線Ｇ１を覆うように、絶縁膜ＧＳＮが形成されている。ゲート絶縁膜ＧＳＮ上には、データ線ＤＬと同一層の金属配線ＭＴ３が形成されている。金属配線ＭＴ３を覆うように、絶縁膜ＰＡＳ（第２絶縁膜）が形成されている。図１０には図示していないが、画像表示領域ＤＩＡの絶縁膜ＰＡＳ上には、画素電極ＰＩＴが形成されている。

【0045】

ゲートドライバＩＣ−Ｇの下部、すなわち平面的に見てＴＦＴ基板ＳＵＢ１におけるゲートドライバＩＣ−Ｇと重なる領域（投影領域）内において、絶縁膜ＧＳＮ及び絶縁膜ＰＡＳには、コンタクトホールＣＯＮＴ３（第１コンタクトホール）が形成されており、コンタクトホールＣＯＮＴ３内には、透明電極ＩＴＯ３（第１透明電極）が形成されている。これにより、引き出し配線Ｇ１と金属配線ＭＴ３とが互いに電気的に接続されている。

【0046】

また、絶縁膜ＰＡＳにはコンタクトホールＣＯＮＴ４（第２コンタクトホール）が形成されており、コンタクトホールＣＯＮＴ４内には、透明電極ＩＴＯ４（第２透明電極）が形成されている。透明電極ＩＴＯ４には、異方性導電膜ＡＣＦに含まれる導電粒子ＤＢの一部が接触しており、導電粒子ＤＢの他の部分にゲートドライバＩＣ−ＧのバンプＢＰ（例えば、金）が接触している。これにより、金属配線ＭＴ３とゲートドライバＩＣ−Ｇの出力端子部ＯＵＴとが、互いに電気的に接続されている。引き出し配線Ｇ１は、画像表示領域ＤＩＡ側へ延伸しており、上記投影領域外において、ゲートバスラインに電気的に接続されている。

【0047】

上記のように、図１０の出力端子部ＯＵＴでは、引き出し配線Ｇ１とゲートドライバＩＣ−Ｇの出力端子部ＯＵＴとが、金属配線ＭＴ３を介して互いに電気的に接続されており、引き出し配線Ｇ１が、ゲートバスラインに電気的に接続されている。これにより、ゲートドライバＩＣ−Ｇから出力された出力電圧が、引き出し配線Ｇ１を介してシフトレジスタＳＲに入力される。なお、引き出し配線Ｇ１とゲートバスラインとは、コンタクトホールを介して接続されていてもよいし、両者の端部を覆う金属配線（ＩＴＯ）を介して接続されていてもよい。また、ゲートドライバＩＣ−ＧとＴＦＴ基板ＳＵＢ１とは異方性導電膜ＡＣＦ（樹脂性接着剤）により接続されている。透明電極ＩＴＯ３，ＩＴＯ４は、上記投影領域内において、異方性導電膜ＡＣＦの樹脂材料に覆われている。このため、透明電極ＩＴＯ３，ＩＴＯ４の腐食を防ぐことができる。

【0048】

図１０に示す構成では、金属配線ＭＴ３が形成されるドレイン層から、引き出し配線Ｇ１が形成されるゲート層への変換（層変換）を行うためのコンタクトホールＣＯＮＴ３（コンタクト領域）が、ゲートドライバＩＣ−Ｇの下部（上記投影領域内）に設けられている。すなわち、図７（ｂ）に示すように、平面的に見て、層変換のためのコンタクト領域が、ゲートドライバＩＣ−Ｇの上記投影領域内に設けられている。よって、本液晶表示装置ＬＣＤによれば、上記コンタクト領域がゲートドライバＩＣ−Ｇの上記投影領域外に設けられている従来の液晶表示装置（例えば図７（ａ）参照）と比較して、液晶パネルの狭額縁化を図ることができる。

【0049】

図１１に示すＥ−Ｅ´断面に係る出力端子部ＯＵＴでは、引き出し配線Ｇ０は表示に寄与しないため、層変換を行う必要がない。よって、図１１に示す構成は、図５に示す構成と同様とすることができる。また、金属配線ＭＴ４は、図５の金属配線ＭＴ０と同様、引き出し配線Ｇ０（図５参照）及び金属配線ＭＴ３（図１０参照）の高さを均一化するために設けられている。

【0050】

ここで、引き出し配線Ｇ１，Ｇ２の幅の関係について説明する。図１２（ａ）は、図１０に示すＤ−Ｄ´断面に係る出力端子部ＯＵＴに対応する引き出し配線Ｇ１と金属配線ＭＴ３とを示す平面図である。図１２（ｂ）は、図１１に示すＥ−Ｅ´断面に係る出力端子部ＯＵＴに対応する引き出し配線Ｇ０と金属配線ＭＴ４とを示す平面図である。

【0051】

図１２（ａ）において、ゲートドライバＩＣ−Ｇ側（上方）から見て、手前側に配置される金属配線ＭＴ３を実線で示し、奥側に配置される引き出し配線Ｇ１を、金属配線ＭＴ３に重なる部分は点線、金属配線ＭＴ３に重ならない部分は実線で示している。引き出し配線Ｇ１と金属配線ＭＴ３との間に配置される絶縁膜ＧＳＮは省略している。図１２（ａ）に示すように、金属配線ＭＴ３のエッジＥ２は、引き出し配線Ｇ１のエッジＥ１を覆っており、引き出し配線Ｇ１の中継部ｃ１の列方向の幅は、金属配線ＭＴ３の中継部ｃ２の列方向の幅よりも大きい。これにより、中継部ｃ１と中継部ｃ２とが適切に積層される。また、図１２（ｂ）に示すように、引き出し配線Ｇ０は、金属配線ＭＴ４を覆うように形成されている。

【0052】

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で上記各実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでもない。例えば、本発明に係る表示装置は、冒頭に示したように、有機ＥＬ表示装置であってもよい。また、ＴＦＴ基板（第１基板）に用いる半導体層は、アモルファスシリコン、低温ポリシリコン、又は酸化物半導体等であってもよい。

【符号の説明】

【0053】

ＬＣＤ 液晶表示装置、ＤＩＡ 画像表示領域、ＳＵＢ１ ＴＦＴ基板、ＳＵＢ２ ＣＦ基板、ＩＣ−Ｄ データドライバ、ＩＣ−Ｇ ゲートドライバ、ＳＲ シフトレジスタ、ＬＣ 液晶層、ＧＬ ゲート線、ＤＬ データ線、ＧＢ ガラス基板、ＧＳＮ 絶縁膜、ＰＡＳ 絶縁膜、ＰＩＴ 画素電極、ＣＩＴ 共通電極、ＣＯＮＴ コンタクトホール、Ｄ 引き出し配線、Ｇ 引き出し配線、ＭＴ 金属配線、ＩＴＯ 透明電極、ＢＰ バンプ、ＤＢ 導電粒子、ＡＣＦ 異方性導電膜。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】