特開 2015-87652 液晶表示装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2015-87652(P2015-87652A)

(43)【公開日】2015年5月7日

(54)【発明の名称】液晶表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1337 20060101AFI20150410BHJP

   G02F 1/1343 20060101ALI20150410BHJP

【ＦＩ】

   G02F1/1337 520

   G02F1/1343

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】14

(21)【出願番号】特願2013-227582(P2013-227582)

(22)【出願日】2013年10月31日

(71)【出願人】

【識別番号】506087819

【氏名又は名称】パナソニック液晶ディスプレイ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】特許業務法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】日下部 道規

(72)【発明者】

【氏名】堤 弘史

【テーマコード（参考）】

2H092

2H290

【Ｆターム（参考）】

2H092GA29

2H092JA24

2H092JA34

2H092JA41

2H092JA46

2H092JB22

2H092JB31

2H092JB57

2H092PA02

2H290BE03

2H290BE08

2H290BF23

2H290CA42

2H290CA46

(57)【要約】

【課題】配向膜の形成不良に起因する表示ムラを低減する。
【解決手段】液晶表示装置ＬＣＤの製造方法は、インクジェット装置１０に設けられる配向膜材料を吐出するヘッド１２に対して、基板２０をデータ線ＤＬの延在する列方向に移動させるとともに、ヘッド１２から配向膜材料を基板２０上に滴下する工程を含む。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板上に、第１方向に延在する複数のデータ線と、該第１方向とは異なる第２方向に延在する複数のゲート線と、前記データ線及び前記ゲート線に接続される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの導通電極にコンタクトホールを介して電気的に接続される画素電極と、前記画素電極を覆う配向膜と、が形成される液晶表示装置の製造方法であって、
前記基板と、インクジェット方式により前記基板上に前記配向膜の材料を滴下する滴下装置とを、相対的に前記第１方向に移動させるとともに、前記配向膜の材料を前記基板上に滴下する工程を含む、
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

【請求項2】

前記工程を複数回繰り返し行う、ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。

【請求項3】

隣り合う２本の前記データ線と、隣り合う２本の前記ゲート線とにより規定される１つの画素がマトリクス状に配列された複数の画素における前記第１方向の配列ピッチと略同じピッチ、又は、該配列ピッチよりも小さいピッチで、前記配向膜の材料を前記基板上に滴下する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置の製造方法。

【請求項4】

前記基板上における、前記配向膜の材料の滴下位置の前記第２方向のピッチは、前記複数の画素における前記第１方向の配列ピッチよりも大きい、
ことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法。

【請求項5】

前記基板上に、前記ゲート線を形成する工程と、
前記ゲート線を覆うように、第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜上に、前記データ線及び前記薄膜トランジスタの導通電極を形成する工程と、
前記データ線及び前記薄膜トランジスタの導通電極を覆うように、第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第２絶縁膜に、前記コンタクトホールを形成する工程と、
前記第２絶縁膜上及び前記コンタクトホール内に、前記画素電極を形成する工程と、をさらに含む、
ことを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。

【請求項6】

前記第２絶縁膜は、有機材料からなる、ことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。

【請求項7】

前記基板上に前記配向膜の材料を滴下した後、該基板を前記第２方向に搖動させる工程をさらに含む、
ことを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。

【請求項8】

前記配向膜を光配向処理する工程をさらに含む、
ことを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、液晶表示装置の製造方法に関し、特に、配向膜の形成方法に関する。

【背景技術】

【0002】

液晶表示装置には、液晶層を介して対向配置される一対の基板それぞれにおける、液晶層に対向する側に、液晶分子を配向させるための配向膜が形成されている。従来、配向膜の膜厚にばらつきが生じると、表示品位の低下（例えば、表示ムラ）を招くことが知られている。また、配向膜の膜厚のばらつきに起因して生じる表示ムラを低減するための配向膜の形成方法が、種々提案されている。

【0003】

例えば、特許文献１には、インクジェット方式を用いた配向膜の形成方法が開示されている。インクジェット方式は、配向膜材料をインクジェットノズルから基板表面全体に滴下することにより配向膜を形成する方式である。特許文献１に開示されている方法では、配向膜材料を滴下するインクジェットノズルの移動方向を調整することにより、上記表示ムラを低減している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】ＷＯ２０１０／０５８７１８号公報

【特許文献2】特開２０１０−１０２２８６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、特許文献１に開示された方法では、インクジェットノズルから滴下された配向膜材料が、基板上に形成されたコンタクトホール内に流れ込む現象が生じる。この現象は、特に、特許文献２に開示されているような、画素領域に対してコンタクトホールの領域が比較的大きい場合に顕著となる。そして、配向膜材料がコンタクトホール内に流れ込むと、配向膜が適切に形成されない領域が生じ、表示ムラが生じるという問題がある。

【0006】

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、配向膜の形成不良に起因する表示ムラを低減することができる液晶表示装置の製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、上記課題を解決するために、基板上に、第１方向に延在する複数のデータ線と、該第１方向とは異なる第２方向に延在する複数のゲート線と、前記データ線及び前記ゲート線に接続される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの導通電極にコンタクトホールを介して電気的に接続される画素電極と、前記画素電極を覆う配向膜と、が形成される液晶表示装置の製造方法であって、前記基板と、インクジェット方式により前記基板上に前記配向膜の材料を滴下する滴下装置とを、相対的に前記第１方向に移動させるとともに、前記配向膜の材料を前記基板上に滴下する工程を含む、ことを特徴とする。

【0008】

本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記工程を複数回繰り返し行ってもよい。

【0009】

本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、隣り合う２本の前記データ線と、隣り合う２本の前記ゲート線とにより規定される１つの画素がマトリクス状に配列された複数の画素における前記第１方向の配列ピッチと略同じピッチ、又は、該配列ピッチよりも小さいピッチで、前記配向膜の材料を前記基板上に滴下してもよい。

【0010】

本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記基板上における、前記配向膜の材料の滴下位置の前記第２方向のピッチは、前記複数の画素における前記第１方向の配列ピッチよりも大きくてもよい。

【0011】

本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、前記基板上に、前記ゲート線を形成する工程と、前記ゲート線を覆うように、第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜上に、前記データ線及び前記薄膜トランジスタの導通電極を形成する工程と、前記データ線及び前記薄膜トランジスタの導通電極を覆うように、第２絶縁膜を形成する工程と、前記第２絶縁膜に、前記コンタクトホールを形成する工程と、前記第２絶縁膜上及び前記コンタクトホール内に、前記画素電極を形成する工程と、をさらに含んでもよい。

【0012】

本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記第２絶縁膜は、有機材料からなっていてもよい。

【0013】

本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、前記基板上に前記配向膜の材料を滴下した後、該基板を前記第２方向に搖動させる工程をさらに含んでもよい。

【0014】

本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、前記配向膜を光配向処理する工程をさらに含んでもよい。

【発明の効果】

【0015】

本発明に係る液晶表示装置の製造方法によれば、画像表示領域全体に配向膜が形成される。よって、配向膜の形成不良に起因する表示ムラを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す図である。

【図2】図１に示す液晶表示装置における画素の平面図である。

【図3】図２のＡ−Ａ´断面図である。

【図4】インクジェット装置の構成を示す模式図である。

【図5】本実施形態に係る配向膜の形成方法を示す平面図である。

【図6】本実施形態に係る配向膜の形成方法を示す平面図である。

【図7】本実施形態に係る配向膜の形成方法を示す平面図である。

【図8】本実施形態に係る配向膜の形成方法を示す平面図である。

【図9】本実施形態に係る配向膜の形成方法を示す平面図である。

【図10】比較例に係る配向膜の形成方法を示す平面図である。

【図11】比較例に係る配向膜の形成方法を示す平面図である。

【図12】比較例に係る配向膜の形成方法を示す平面図である。

【図13】比較例に係る配向膜の形成方法を示す平面図である。

【図14】比較例に係る配向膜の形成方法を示す平面図である。

【図15】本実施形態に係る配向膜の形成方法を示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0017】

本発明の実施形態について、図面を用いて以下に説明する。

【0018】

図１は、本実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す平面図である。液晶表示装置ＬＣＤは、領域に大別すると、画像表示領域ＤＩＡと、画像表示領域ＤＩＡの周囲の領域である額縁領域ＦＲＡとにより構成されている。画像表示領域ＤＩＡには、隣り合う２本のゲート線ＧＬと、隣り合う２本のデータ線ＤＬとで囲まれた画素Ｐが、行方向及び列方向にマトリクス状に複数配列されている。すなわち、画像表示領域ＤＩＡは、複数の画素Ｐの集合領域（有効画素領域）として規定される。なお、データ線ＤＬが延在する方向を列方向（図中の上下方向）（第１方向）とし、ゲート線ＧＬが延在する方向を行方向（図中の左右方向）（第２方向）とする。額縁領域ＦＲＡには、ゲート線ＧＬを駆動するゲート線駆動回路と、データ線ＤＬを駆動するデータ線駆動回路とが形成されている。

【0019】

図２は、画像表示領域ＤＩＡの一部の構成を示す平面図であり、図３は、図２のＡ−Ａ´断面図である。図３に示すように、液晶表示装置ＬＣＤは、背面側に配置される薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１（以下、ＴＦＴ基板という。）（第１基板）と、表示面側に配置され、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１に対向するカラーフィルタ基板ＳＵＢ２（以下、ＣＦ基板という。）（第２基板）と、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１及びＣＦ基板ＳＵＢ２の間に挟持される液晶層ＬＣと、を含んで構成されている。なお、図２では、便宜上、表示面側から、ＣＦ基板ＳＵＢ２を透視し、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１を見た状態を示している。

【0020】

ＴＦＴ基板ＳＵＢ１には、列方向に延在する複数のデータ線ＤＬと、行方向に延在する複数のゲート線ＧＬとが形成され、複数のデータ線ＤＬと複数のゲート線ＧＬとのそれぞれの交差部近傍に、薄膜トランジスタＴＦＴが形成されている。

【0021】

画素Ｐには、スズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透明導電膜からなる画素電極ＰＩＴが形成されている。図２に示すように、画素電極ＰＩＴは、開口部（例えばスリット）を有し、ストライプ状に形成されている。薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート絶縁膜ＧＳＮ（図３参照）上に、非晶質シリコン（ａＳｉ）からなる半導体層ＳＥＭが形成され、半導体層ＳＥＭ上に、ドレイン電極ＤＭ及びソース電極ＳＭが形成されている。ドレイン電極ＤＭは、データ線ＤＬに電気的に接続され、ソース電極ＳＭは、コンタクトホールＣＯＮＴを介して、画素電極ＰＩＴに電気的に接続されている。

【0022】

画素Ｐを構成する各部の積層構造は、図３の構成に限定されるものではなく、周知の構成を適用することができる。図３に示す構成では、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１において、ガラス基板ＧＢ１上にゲート線ＧＬが形成され、ゲート線ＧＬを覆うようにゲート絶縁膜ＧＳＮ（第１絶縁膜）が形成されている。ゲート絶縁膜ＧＳＮ上には、半導体層ＳＥＭが形成され、半導体層ＳＥＭ上に、データ線ＤＬと、薄膜トランジスタＴＦＴを構成する導通電極（ドレイン電極ＤＭ、ソース電極ＳＭ）とが形成されている。データ線ＤＬ、ドレイン電極ＤＭ及びソース電極ＳＭを覆うように、保護絶縁膜ＰＡＳが形成され、保護絶縁膜ＰＡＳ上に、膜厚の大きい有機絶縁膜ＯＰＡＳ（第２絶縁膜）が形成されている。有機絶縁膜ＯＰＡＳ上には共通電極ＣＩＴが形成され、共通電極ＣＩＴを覆うように上層絶縁膜ＵＰＡＳが形成されている。保護絶縁膜ＰＡＳ、有機絶縁膜ＯＰＡＳ及び上層絶縁膜ＵＰＡＳには、ソース電極ＳＭに達するコンタクトホールＣＯＮＴが形成されている。上層絶縁膜ＵＰＡＳ上及びコンタクトホールＣＯＮＴ内に、画素電極ＰＩＴが形成され、これにより、画素電極ＰＩＴとソース電極ＳＭ（一方の導通電極）とが電気的に接続されている。画素電極ＰＩＴを覆うように、配向膜ＡＦが形成されている。その他、図示はしていないが、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１には、偏光板等が形成されている。

【0023】

ＣＦ基板ＳＵＢ２では、ガラス基板ＧＢ２上にブラックマトリクスＢＭ及び着色部ＣＦ（例えば、赤色部、緑色部、青色部）が形成され、これらを覆うようにオーバコート層ＯＣが形成されている。その他、図示はしていないが、ＣＦ基板ＳＵＢ２には、配向膜、偏光板等が形成されている。

【0024】

図３に示す構成によれば、液晶表示装置ＬＣＤは、いわゆるＩＰＳ（In Plane Switching）方式の構成を有しているが、本発明に係る液晶表示装置はこれに限定されない。例えば、共通電極ＣＩＴがＣＦ基板ＳＵＢ２に形成されていてもよい。具体的には、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１では、ガラス基板ＧＢ１上にゲート線ＧＬが形成され、ゲート線ＧＬを覆うようにゲート絶縁膜ＧＳＮ（第１絶縁膜）が形成され、ゲート絶縁膜ＧＳＮ上にデータ線ＤＬ及び薄膜トランジスタＴＦＴ（ドレイン電極ＤＭ、ソース電極ＳＭ）が形成され、データ線ＤＬ及び薄膜トランジスタＴＦＴ上に保護絶縁膜ＰＡＳが形成され、保護絶縁膜ＰＡＳ上に有機絶縁膜ＯＰＡＳ（第２絶縁膜）が形成され、保護絶縁膜ＰＡＳ及び有機絶縁膜ＯＰＡＳにコンタクトホールＣＯＮＴが形成され、有機絶縁膜ＯＰＡＳ上及びコンタクトホールＣＯＮＴ内に画素電極ＰＩＴが形成され、画素電極ＰＩＴを覆うように配向膜ＡＦが形成されていてもよい。

【0025】

次に、液晶表示装置ＬＣＤの駆動方法を簡単に説明する。ゲート線駆動回路から出力された走査用のゲート電圧がゲート線ＧＬに供給され、データ線駆動回路から出力された映像用のデータ電圧がデータ線ＤＬに供給される。ゲート線ＧＬにゲートオン電圧が供給されると、薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層ＳＥＭが低抵抗となり、データ線ＤＬに供給されたデータ電圧が、ソース電極ＳＭを介して、ソース電極ＳＭに電気的に接続された画素電極ＰＩＴに供給される。また、共通電極駆動回路（図示せず）から出力された共通電圧が、共通電極ＣＩＴに供給される。これにより、画素電極ＰＩＴと共通電極ＣＩＴとの間に電界（駆動用電界）が発生し、該電界により液晶層ＬＣが駆動され、画像が表示される。

【0026】

次に、上記構成を有するＴＦＴ基板ＳＵＢ１の製造方法の一例を説明する。

【0027】

先ず、ガラス基板ＧＢ１上にゲート線ＧＬとなる金属材料をスパッタにより成膜し、ホトエッチング工程でハーフトーン露光を用いてパターン化する。これにより、ゲート線ＧＬが形成される。金属配線材料は、銅Ｃｕ、ＭｏとアルミニウムＡｌの積層膜、チタンＴｉとＡｌの積層膜、あるいはＭｏとタングステンＷのＭｏＷ合金などを用いることができる。

【0028】

次に、化学気層成長法ＣＶＤにより、ゲート線ＧＬを覆うように、シリコンナイトライドからなるゲート絶縁膜ＧＳＮを成膜し、ゲート絶縁膜ＧＳＮ上にアモルファスシリコンや酸化物ＩＧＺＯ等の半導体層ＳＥＭを積層する。

【0029】

次に、半導体層ＳＥＭ上に、モリブデンＭｏと銅Ｃｕの積層膜をスパッタで成膜する。データ線ＤＬ、ドレイン電極ＤＭ及びソース電極ＳＭは、同時に形成される。

【0030】

次に、データ線ＤＬ、ドレイン電極ＤＭ及びソース電極ＳＭを覆うように、保護絶縁膜ＰＡＳを成膜し、保護絶縁膜ＰＡＳ上に、有機絶縁膜ＯＰＡＳを成膜する。有機絶縁膜ＯＰＡＳは、アクリルを主成分とする感光性の有機材料が用いられる。

【0031】

次に、有機絶縁膜ＯＰＡＳ上に、ＩＴＯからなる共通電極ＣＩＴを形成し、共通電極ＣＩＴを覆うように、シリコンナイトライドからなる上層絶縁膜ＵＰＡＳを成膜する。

【0032】

次に、ソース電極ＳＭが露出するように、保護絶縁膜ＰＡＳ、有機絶縁膜ＯＰＡＳ及び上層絶縁膜ＵＰＡＳに開口部（コンタクトホールＣＯＮＴ）を形成する。次に、上層絶縁膜ＵＰＡＳ上及びコンタクトホールＣＯＮＴ内に、透明電極材料であるインジウム、錫、酸化物ＩＴＯを成膜し、ホトエッチング工程を経て、画素電極ＰＩＴを形成する。

【0033】

次に、画素電極ＰＩＴを覆うように、配向膜ＡＦの材料（例えば、ポリイミド樹脂）をインクジェット方式により塗布する。塗布後、配向膜材料を乾燥させて、配向膜ＡＦを形成する。配向膜ＡＦの具体的な形成方法は後述する。次に、配向膜ＡＦに、ラビング処理を施す。なお、光配向膜を形成する場合は、配向膜ＡＦに、所定の偏光紫外線を照射（光配向処理）する。特に、光配向膜を用いた場合には、配向膜の膜厚のばらつきに起因する表示ムラが視認し易くなるため、本発明の効果が顕著となる。以上の工程を経て、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１が製造される。

【0034】

ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の製造方法は、上記方法に限定されない。ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の製造方法は、ガラス基板ＧＢ１上にゲート線ＧＬを形成する工程と、ゲート線ＧＬを覆うように第１絶縁膜を形成する工程と、第１絶縁膜上にデータ線ＤＬ及び薄膜トランジスタＴＦＴ（ドレイン電極ＤＭ、ソース電極ＳＭ）を形成する工程と、データ線ＤＬ及び薄膜トランジスタＴＦＴを覆うように第２絶縁膜を形成する工程と、第２絶縁膜にコンタクトホールＣＯＮＴを形成する工程と、第２絶縁膜上及びコンタクトホールＣＯＮＴ内に画素電極ＰＩＴを形成する工程と、画素電極ＰＩＴを覆うように配向膜ＡＦを形成する工程と、を含んでいることが好ましい。また、上記第１絶縁膜は、ゲート絶縁膜ＧＳＮであり、上記第２絶縁膜は、有機絶縁膜ＯＰＡＳであることが好ましい。また、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の製造方法は、共通電極ＣＩＴを形成する工程を含んでいてもよい。なお、ＣＦ基板ＳＵＢ２は周知の製造方法により製造することができる。

【0035】

［配向膜の形成方法］
次に、配向膜ＡＦの具体的な形成方法について説明する。配向膜ＡＦは、インクジェット方式により配向膜材料を基板上に滴下することにより形成される。図４は、配向膜材料を基板上に滴下するインクジェット装置（滴下装置）の構成を示す模式図である。インクジェット装置１０は、基板２０を移動可能に載置するステージ１１と、配向膜材料を吐出（滴下）する複数のノズル１２を備えるヘッド１３と、ヘッド１３を移動可能に支持するフレーム１４と、基板２０及びヘッド１３の移動速度、配向膜材料の吐出量（滴下量）、塗布周波数などを制御する制御部１５と、を備えている。なお、ここでは、便宜上、基板２０は、額縁領域ＦＲＡを省略し、画像表示領域ＤＩＡのみを示している。

【0036】

基板２０の移動方向及びインクジェット装置１０の塗布方向（Ｘ方向）は、データ線ＤＬが延在する列方向（第１方向）に設定されており、ヘッド１３の移動方向（Ｙ方向）は、ゲート線ＧＬが延在する行方向（第２方向）に設定されている。なお、基板２０はステージ１１上で列方向（Ｘ方向）に移動してもよいし、基板２０を固定したステージ１１が列方向（Ｘ方向）に移動してもよい。また、基板２０及びステージ１１が固定され、フレーム１４が列方向（Ｘ方向）に移動してもよい。すなわち、ステージ１１に載置される基板２０と、配向膜材料を吐出するヘッド１３とが、相対的にＸ方向に移動可能に構成されていればよい。また、ステージ１１に載置される基板２０は、配向膜形成前のＴＦＴ基板ＳＵＢ１である。

【0037】

図５は、ヘッド１３及び基板２０の一部の構成を示す平面図である。図５では、ヘッド１３に設けられた３個のノズル１２を示している。ノズル１２は、等間隔でヘッド１３に固定されている。ここでは、隣り合うノズル１２の間隔（ノズルピッチ）をＰ１とする。複数の画素における列方向のピッチ（画素列ピッチ）をＰ２、行方向のピッチ（画素行ピッチ）をＰ３とすると、ノズルピッチＰ１は、以下の関係式（１）を満たしている。
Ｐ１＞Ｐ２＞Ｐ３・・・（１）

【0038】

インクジェット装置１０による塗布工程が開始されると、基板２０が列方向（図５中の上矢印方向）に所定の速度で移動しつつ、ノズル１２から配向膜材料が所定の周波数で吐出され、基板２０上に列方向に連続的に滴下される。図５の画像表示領域ＤＩＡには、配向膜材料の最初の滴下位置（丸点線）を示している。図５に示す基板２０の上矢印方向の移動と、画像表示領域ＤＩＡの列方向への滴下処理とを含む第１塗布工程が完了すると、基板２０の移動と、配向膜材料の吐出動作が停止する。図６には、第１塗布工程が完了した後の画像表示領域ＤＩＡにおける配向膜材料の滴下位置（丸実線）を示している。ここで、基板２０の移動方向における配向膜材料の滴下位置のピッチ（第１滴下ピッチ）をＰ４とすると、基板２０の移動速度と、配向膜材料の吐出周波数とは、以下の関係式（２）を満たすように設定される。なお、以下の関係式（２）には、第１滴下ピッチＰ４と画素列ピッチＰ２とが略同じ場合も含まれる。
Ｐ４≦Ｐ２ ・・・（２）

【0039】

第１塗布工程に続いて、以下の第２塗布工程が実行される。先ず、ヘッド１３が行方向（図７中の右矢印方向）に距離Ｐ５だけ移動する。距離Ｐ５は、以下の関係式（３）を満たしている。なお、距離Ｐ５は、配向膜材料の滴下位置におけるヘッド１３の移動方向のピッチ（第２滴下ピッチ）を表している。
Ｐ５＝Ｐ１÷２ ・・・（３）

【0040】

また、ヘッド１３の行方向の移動距離Ｐ５は、以下の関係式（４）に示すように、画素列ピッチＰ２よりも大きく設定されている。
Ｐ５＞Ｐ２ ・・・（４）

【0041】

ヘッド１３が移動した後、基板２０が列方向（図７中の下矢印方向）に所定の速度で移動しつつ、ノズル１２から配向膜材料が所定の周波数で吐出され、基板２０上に列方向に連続的に滴下される。図７の画像表示領域ＤＩＡには、第２塗布工程における配向膜材料の最初の滴下位置（丸点線）を示している。図７に示す基板２０の下矢印方向の移動と、画像表示領域ＤＩＡの列方向への滴下処理とを含む第２塗布工程が完了すると、基板２０の移動と、配向膜材料の吐出動作が停止する。図８には、第２塗布工程が完了した後の画像表示領域ＤＩＡにおける配向膜材料の滴下位置（丸実線）を示している。第２塗布工程において、基板２０の移動方向における配向膜材料の滴下位置のピッチは、第１塗布工程における第１滴下ピッチＰ４と同一である。本実施形態においては、第２塗布工程における配向膜材料の列方向の滴下位置を、第１塗布工程における配向膜材料の列方向の滴下位置と同じにしているが、これに限られない。第２塗布工程における配向膜材料の列方向の滴下位置を、第１塗布工程における列方向の滴下位置の間に設定してもよい。この場合、好適な液滴の濡れ広がりを実現できる。

【0042】

図９には、第１塗布工程及び第２塗布工程により基板２０上に滴下された配向膜材料が濡れ広がり、配向膜ＡＦが形成された状態を示している。同図に示すように、配向膜材料は画像表示領域ＤＩＡ全体に濡れ広がり、画像表示領域ＤＩＡ全体に配向膜ＡＦが形成されていることが分かる。なお、図９には、コンタクトホールＣＯＮＴの位置（図中の黒丸）を示している。

【0043】

ここで、本実施形態に係る配向膜ＡＦに対する比較例について以下に示す。図１０は、比較例における、ヘッド１３及び基板２０の一部の構成を示す平面図である。比較例に係る配向膜ＡＦの形成方法では、ステージ１１に載置される基板２０の向きが、本実施形態に係る配向膜ＡＦの形成方法（図５参照）と比較して、９０度回転した状態に設定されている。すなわち、比較例に係る配向膜ＡＦの形成方法では、基板２０の移動方向及びインクジェット装置１０の塗布方向（図４のＸ方向）が、ゲート線ＧＬが延在する行方向（第２方向）に設定されており、ヘッド１３の移動方向（図４のＹ方向）が、データ線ＤＬが延在する列方向（第１方向）に設定されている。

【0044】

比較例に係る配向膜ＡＦの形成方法では、上記第１塗布工程及び第２塗布工程と同じ塗布工程が実行される。図１０及び図１１は、比較例における第１塗布工程を示し、図１２及び図１３は、比較例における第２塗布工程を示している。各ピッチＰ１〜Ｐ５は、上記（１）〜（４）式の関係を満たしている。

【0045】

図１４には、比較例における第１塗布工程及び第２塗布工程により基板２０上に滴下された配向膜材料が濡れ広がり、配向膜ＡＦが形成された状態を示している。同図に示すように、配向膜材料は画像表示領域ＤＩＡに濡れ広がるが、一部の画素行Ｐａの領域では、配向膜材料が濡れ広がらず、配向膜ＡＦが形成されていないことが分かる。これは、図１３に示すように、第２滴下ピッチＰ５が画素列ピッチＰ２よりも大きいために（上記（４）式参照）、配向膜材料が滴下されない画素行（ここでは、画素行Ｐａ（図１４参照））が生じ、かつ、この画素行Ｐａに隣り合う左右の画素行Ｐｂ，Ｐｃの領域に滴下され濡れ広がった配向膜材料が、画素行Ｐａと画素行Ｐｂ，Ｐｃとの境界近傍に形成されるコンタクトホールＣＯＮＴ内（図３参照）に流れ込み、画素行Ｐａの領域まで到達しないためである。このような現象は、特に、有機絶縁膜のような厚い層を含み、画素領域に対してコンタクトホールＣＯＮＴの領域が大きい場合に顕著となる。そして、配向膜ＡＦが形成されない領域（配向膜非形成領域）が生じると、表示輝度がばらつき、表示ムラが生じてしまう。

【0046】

上記比較例に対して、本実施形態に係る配向膜ＡＦの形成方法によれば、基板２０の移動方向及びインクジェット装置１０の塗布方向（図４のＸ方向）が、データ線ＤＬの延在方向（列方向：第１方向）に設定されている。また、上記（２）式に示したように、基板２０の移動方向における配向膜材料の滴下位置のピッチ（滴下ピッチＰ４）は、画素列ピッチＰ２と略同じ、又は画素列ピッチＰ２よりも小さく設定することが可能である。そのため、図８に示すように、複数の画素行において、配向膜材料が滴下されない画素行の領域は生じない。各画素行の領域に配向膜材料が滴下されれば、配向膜材料は、コンタクトホールＣＯＮＴ内に流れ込んでも、各画素行において列方向に濡れ広がるため、配向膜非形成領域が生じることはない。なお、行方向に濡れ広がる配向膜材料は、コンタクトホールＣＯＮＴの影響を受けにくいため、行方向においても配向膜非形成領域が生じることはない。このため、図１４に示すような配向膜ＡＦが形成されない領域（配向膜非形成領域）は生じず、画像表示領域ＤＩＡ全体に配向膜ＡＦが形成される（図９参照）。よって、本実施形態に係る液晶表示装置ＬＣＤの製造方法によれば、配向膜ＡＦの形成不良に起因する表示ムラを低減することができる。

【0047】

上述した本実施形態に係る配向膜ＡＦの形成方法では、第１塗布工程及び第２塗布工程の２回の塗布工程により配向膜ＡＦを形成しているが、本発明に係る液晶表示装置ＬＣＤの製造方法はこれに限定されない。例えば、塗布工程が、３回あるいはそれ以上であってもよい。例えば、第１塗布工程及び第２塗布工程を、複数回繰り返し行ってもよい。

【0048】

また、上述した本実施形態に係る配向膜ＡＦの形成方法は、基板２０上に配向膜材料を滴下した後（図８参照）、基板２０を搖動させる搖動工程を含んでいてもよい。ここで、図１５に示すように、第１滴下ピッチＰ４と第２滴下ピッチＰ５とを比較した場合、Ｐ５＞Ｐ４の関係を満たす。そのため、基板２０を搖動させる方向は、滴下ピッチが大きい行方向（第２方向）とすることが好ましい。これにより、基板２０上に滴下された配向膜材料を、大きく濡れ広がらせることができる。

【0049】

以上の説明では、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１における配向膜ＡＦの形成方法について示したが、ＣＦ基板ＳＵＢ２における配向膜ＡＦについても同様の方法により形成することができる。

【0050】

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で上記実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでもない。

【符号の説明】

【0051】

ＬＣＤ 液晶表示装置、ＤＩＡ 画像表示領域、ＦＲＡ 額縁領域、ＳＵＢ１ ＴＦＴ基板、ＳＵＢ２ ＣＦ基板、ＬＣ 液晶層、ＧＢ１，ＧＢ２ ガラス基板、ＧＬ ゲート線、ＧＳＮ ゲート絶縁膜、ＰＡＳ 保護絶縁膜、ＯＰＡＳ 有機絶縁膜、ＵＰＡＳ 上層絶縁膜、ＤＬ データ線、ＤＭ ドレイン電極、ＳＭ ソース電極、ＳＥＭ 半導体層、ＴＦＴ 薄膜トランジスタ、ＣＩＴ 共通電極、ＰＩＴ 画素電極、ＡＦ 配向膜、ＢＭ ブラックマトリクス、ＣＦ 着色部、ＯＣ オーバコート層、ＣＯＮＴ コンタクトホール、１０ インクジェット装置、１１ ステージ、１２ ノズル、１３ ヘッド、１４ フレーム、１５ 制御部、２０ 基板。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】