特開2016-117607(P2016-117607A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」

▶ 株式会社タムラ製作所の特許一覧

特開2016-117607Ga2O3系単結晶の育成方法、及び坩堝
<>
  • 特開2016117607-Ga2O3系単結晶の育成方法、及び坩堝 図000003
  • 特開2016117607-Ga2O3系単結晶の育成方法、及び坩堝 図000004
  • 特開2016117607-Ga2O3系単結晶の育成方法、及び坩堝 図000005
  • 特開2016117607-Ga2O3系単結晶の育成方法、及び坩堝 図000006
  • 特開2016117607-Ga2O3系単結晶の育成方法、及び坩堝 図000007
  • 特開2016117607-Ga2O3系単結晶の育成方法、及び坩堝 図000008
  • 特開2016117607-Ga2O3系単結晶の育成方法、及び坩堝 図000009
  • 特開2016117607-Ga2O3系単結晶の育成方法、及び坩堝 図000010
< >