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特開2016-163041積層セラミックキャパシタ及びその実装基板
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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】特開2016-163041(P2016-163041A)
(43)【公開日】2016年9月5日
(54)【発明の名称】積層セラミックキャパシタ及びその実装基板
(51)【国際特許分類】
   H01G 4/30 20060101AFI20160808BHJP
   H01G 4/232 20060101ALI20160808BHJP
【FI】
   H01G4/30 301B
   H01G4/12 352
   H01G4/12 361
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】OL
【全頁数】11
(21)【出願番号】特願2015-229396(P2015-229396)
(22)【出願日】2015年11月25日
(31)【優先権主張番号】10-2015-0031177
(32)【優先日】2015年3月5日
(33)【優先権主張国】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド.
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】龍華国際特許業務法人
(72)【発明者】
【氏名】パーク、ヒュン キル
(72)【発明者】
【氏名】キム、チャン ス
【テーマコード(参考)】
5E001
5E082
【Fターム(参考)】
5E001AB03
5E001AF06
5E001AG01
5E082EE04
5E082FF05
5E082FG04
5E082FG26
5E082GG10
5E082GG11
5E082GG12
(57)【要約】
【課題】本発明は、積層セラミックキャパシタ及びその実装基板に関する。
【解決手段】本発明は、複数の誘電体層を有し、上記誘電体層を介して長さ方向に交互に露出するように配置された第1及び第2内部電極を含むセラミック本体と、上記セラミック本体の長さ方向の対向する端部に配置され、上記第1及び第2内部電極とそれぞれ接続される第1及び第2外部電極と、上記第1及び第2外部電極のボディ部の中心部に上記セラミック本体の実装面と垂直に配置される第1及び第2絶縁層と、を含む積層セラミックキャパシタを提供する。
【選択図】図1
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の誘電体層を有し、前記誘電体層を介して長さ方向に交互に露出するように配置された第1内部電極及び第2内部電極を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体の長さ方向の対向する端部に配置され、前記第1内部電極及び前記第2内部電極とそれぞれ接続される第1外部電極及び第2外部電極と、
前記第1外部電極及び前記第2外部電極のボディ部の中心部に前記セラミック本体の実装面と垂直に配置される第1絶縁層及び第2絶縁層と、を含む、積層セラミックキャパシタ。
【請求項2】
前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層が、前記セラミック本体の実装面に配置された前記第1外部電極及び前記第2外部電極のバンド部の中心部まで延長される、請求項1に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項3】
前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層が、前記セラミック本体の実装面に対向する一面に配置された前記第1外部電極及び前記第2外部電極のバンド部の中心部まで延長される、請求項2に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項4】
前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層が、前記第1外部電極及び前記第2外部電極のボディ部及びバンド部と同一の幅を有する、請求項2または3に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項5】
前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層が、前記第1外部電極及び前記第2外部電極のボディ部及びバンド部と異なる幅を有する、請求項2または3に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項6】
前記セラミック本体の幅をW1と、前記第1外部電極及び前記第2外部電極のボディ部に配置された前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層の幅をXと、前記第1外部電極及び前記第2外部電極のバンド部に配置された前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層の幅をXとそれぞれ規定するとき、W1>X>Xを満たす、請求項5に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項7】
前記絶縁層がエポキシ樹脂で形成される、請求項1から6のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項8】
前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層により、前記第1外部電極及び前記第2外部電極の露出部分が前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層の互いに対向する両側に位置する、請求項1から7のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項9】
前記第1外部電極及び前記第2外部電極上に配置される第1めっき層及び第2めっき層をさらに含み、
前記第1めっき層及び前記第2めっき層が前記第1外部電極及び前記第2外部電極と前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層の間にそれぞれ介在される、請求項1から8のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項10】
前記第1めっき層及び前記第2めっき層のそれぞれはニッケル層とすず層を含む、請求項9に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項11】
上部に複数の電極パッドを有する基板と、
前記第1外部電極及び前記第2外部電極と前記電極パッドがそれぞれ連結されて、前記基板上に実装される請求項1から10のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタと、を含む、積層セラミックキャパシタの実装基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層セラミックキャパシタ及びその実装基板に関する。
【背景技術】
【0002】
積層電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ(MLCC、Multi−Layered Ceramic Capacitor)は、小型でありながら高容量が保証され、実装が容易であるという長所によって多様な電子装置に用いられることができる。
【0003】
例えば、上記積層セラミックキャパシタは、液晶表示装置(LCD、Liquid Crystal Display)及びプラズマ表示装置パネル(PDP、Plasma Display Panel)などの映像機器、コンピュータ、個人携帯用端末(PDA、Personal Digital Assistants)、及び携帯電話などの多様な製品の基板に装着されて電気を充電または放電させる役割をする。
【0004】
このような積層セラミックキャパシタは、複数の誘電体層を有し、上記誘電体層の間に異なる極性の内部電極が交互に配置された構造を有することができる。
【0005】
このとき、上記誘電体層は、圧電性を有するため、上記積層セラミックキャパシタに直流または交流電圧が印加されると、内部電極の間で圧電現象が生じて周波数によってセラミック本体の体積を膨張及び収縮させながら周期的な振動を発生させる可能性がある。
【0006】
このような振動は、上記積層セラミックキャパシタの外部電極、及び上記外部電極と基板を連結する半田を通じて基板に伝達され、上記基板全体が音響反射面となり、雑音となる振動音を発生させる可能性がある。
【0007】
上記振動音は、人に不快感を与える20〜20,000Hz領域の可聴周波数に該当し、このように人に不快感を与える振動音をアコースティックノイズ(acoustic noise)という。
【0008】
さらに、最近の電子機器では、器具部品の静音化が進むにつれて、積層セラミックキャパシタが発生させるアコースティックノイズがより顕著に現れる可能性がある。
【0009】
このようなアコースティックノイズは、機器の動作環境が静かである場合、使用者が機器の故障としてみなすおそれがある。
【0010】
また、音声回路を有する機器では、音声出力にアコースティックノイズが重なるようになって機器の品質が低下するという問題が発生しかねない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0011】
【特許文献1】特開2013−26392号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0012】
本発明の目的は、アコースティックノイズが低減した積層セラミック電子部品及びその実装基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本発明の一側面によると、セラミック本体の実装面に対して内部電極が垂直に積層され、外部電極のボディ部の中心部に上記セラミック本体の実装面と垂直に絶縁層が配置される積層セラミックキャパシタを提供する。
【0014】
本発明の他の側面によると、複数の誘電体層を有し、上記誘電体層を介して長さ方向に交互に露出するように配置された第1及び第2内部電極を含むセラミック本体と、上記セラミック本体の長さ方向の対向する端部に配置され、上記第1及び第2内部電極とそれぞれ接続される第1及び第2外部電極と、上記第1及び第2外部電極のボディ部の中心部に上記セラミック本体の実装面と垂直に配置される第1及び第2絶縁層と、を含む積層セラミックキャパシタを提供する。
【発明の効果】
【0015】
本発明の一実施形態によると、外部電極のボディ部の中心部に垂直に絶縁層を形成して、基板への実装時に、半田が絶縁層を基準に外部電極の両側に分離されて形成されるようにして外部電極のボディ部の中心部に半田が垂直に形成されるのを防止するとともに、外部電極に形成される半田の高さ及び量を減少させることにより、積層セラミックキャパシタの変位が半田を通じて基板に伝達されるのを低減させてアコースティックノイズを低減させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【0016】
図1】本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図である。
図2図1のI−I'線に沿った断面図である。
図3図1の内部電極の配列状態の一例を示す分離図である。
図4図1の内部電極の配列状態の他の一例を示す分離図である。
図5】本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタを示す斜視図である。
図6】本発明のさらに他の実施形態による積層セラミックキャパシタを示す斜視図である。
図7図1の積層セラミックキャパシタが基板に実装された形状を概略的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【0018】
なお、各実施形態の図面に示された同一の思想の範囲内において機能が同一である構成要素に対しては同一の参照符号を用いて説明する。
【0019】
図1は本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図であり、図2図1のI−I'線に沿った断面図である。
【0020】
図1及び図2を参照すると、本実施形態による積層セラミックキャパシタ100は、セラミック本体110と、第1及び第2外部電極131、132と、第1及び第2絶縁層141、142と、を含む。
【0021】
本実施形態において、セラミック本体110は、複数の誘電体層111を厚さ方向に積層してから焼成したものである。
【0022】
このとき、セラミック本体110において互いに隣接するそれぞれの誘電体層111同士はその境界が確認できないほど一体化されることができる。
【0023】
また、セラミック本体110は、六面体形状であることができるが、本発明はこれに限定されない。
【0024】
本実施形態では、説明の便宜のために、図1に示された厚さ方向Tの対向する方向を上下方向と定義する。このとき、セラミック本体110の下面を実装面と、上面を実装反対面と定義する。
【0025】
また、セラミック本体110の最上部の内部電極の上部及び最下部の内部電極の下部に、必要に応じて、所定の厚さのカバー層112、113が配置されることができる。
【0026】
このとき、カバー層112、113は、誘電体層111と同一の組成からなることができ、内部電極を含まない誘電体層をセラミック本体110の上下面に少なくとも一つ以上積層して形成されることができる。
【0027】
誘電体層111は、1層の厚さを積層セラミックキャパシタ100の容量設計に応じて任意に変更することができる。
【0028】
また、誘電体層111は、高誘電率のセラミック材料を含むことができ、例えば、BaTiO系セラミック粉末などを含むことができるが、本発明はこれに限定されない。
【0029】
上記BaTiO系セラミック粉末は、例えば、BaTiOにCa、Zrなどが一部固溶された(Ba1−xCa)TiO、Ba(Ti1−yCa)O、(Ba1−xCa)(Ti1−yZr)OまたはBa(Ti1−yZr)Oなどがあるが、本発明はこれに限定されない。
【0030】
一方、誘電体層111には、上記セラミック粉末とともに、セラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤、及び分散剤などがさらに添加されることができる。
【0031】
上記セラミック添加剤は、例えば、遷移金属酸化物または炭化物、希土類元素、マグネシウム(Mg)またはアルミニウム(Al)などを用いることができる。
【0032】
図3に示されているように、第1及び第2内部電極121、122は、誘電体層111を形成するセラミックシート上に形成されて厚さ方向に積層された後、焼成によって一つの誘電体層111を介してセラミック本体110の内部に交互に配置される。
【0033】
このような第1及び第2内部電極121、122は、互いに異なる極性を有する電極であり、誘電体層111の積層方向に沿って対向するように配置され、その間に配置された誘電体層111によって互いに電気的に絶縁されることができる。
【0034】
第1及び第2内部電極121、122は、その一端がセラミック本体110の長さ方向の両側面にそれぞれ露出する。
【0035】
このように、セラミック本体110の長さ方向の両側面に交互に露出する第1及び第2内部電極121、122の端部は、セラミック本体110の長さ方向の両側面において第1及び第2外部電極131、132とそれぞれ接続されて電気的に連結されることができる。
【0036】
このとき、第1及び第2内部電極121、122は、導電性金属で形成され、例えば、ニッケル(Ni)またはニッケル(Ni)合金などの材料を用いることができるが、本発明はこれに限定されない。
【0037】
上記のような構成により、第1及び第2外部電極131、132に所定の電圧が印加されると、互いに対向する第1及び第2内部電極121、122の間に電荷が蓄積される。
【0038】
このとき、積層セラミックキャパシタ100の静電容量は、誘電体層111の積層方向に沿って重なる第1及び第2内部電極121、122の面積と比例するようになる。
【0039】
一方、本実施形態では、第1及び第2内部電極121、122を実装方向に対して水平なセラミック本体110の厚さ方向に積層した水平積層型で示して説明するが、本発明はこれに限定されない。
【0040】
例えば、図4に示されているように、本発明の積層セラミック電子部品は、誘電体層111と第1及び第2内部電極121'、122'を実装方向に対して垂直なセラミック本体110の幅方向に積層した垂直積層型で構成することもできる。
【0041】
第1及び第2外部電極131、132は、良好な電気特性を有し、且つ優れた耐ヒートサイクル性や耐湿性などの高信頼性を提供するために、例えば、銅(Cu)を含む外部電極用導電性ペーストの焼成によって形成されることができるが、本発明はこれに限定されない。
【0042】
このような第1及び第2外部電極131、132は、第1及び第2ボディ部131a、132aと、第1及び第2バンド部131b、132bと、をそれぞれ含む。
【0043】
第1及び第2ボディ部131a、132aは、セラミック本体110の長さ方向の両側面をそれぞれ覆い、第1及び第2内部電極121、122の露出した端部とそれぞれ接続されて電気的に連結される部分である。
【0044】
第1及び第2バンド部131b、132bは、第1及び第2ボディ部131a、132aからセラミック本体110の実装面の一部、またはセラミック本体110の実装反対面及び両側面の一部を覆うようにそれぞれ延長されて形成される部分である。
【0045】
一方、第1及び第2外部電極131、132上には、めっき層(図示せず)が形成されることができる。
【0046】
上記めっき層は、一例として、第1及び第2外部電極131、132上にそれぞれ形成された第1及び第2ニッケル(Ni)めっき層と、上記第1及び第2ニッケルめっき層上にそれぞれ形成された第1及び第2すず(Sn)めっき層と、を含むことができる。
【0047】
第1及び第2絶縁層141、142は、第1及び第2外部電極131、132の第1及び第2ボディ部131a、132aの中心部に垂直に形成される第1及び第2垂直部141a、142aを含む。
【0048】
また、第1及び第2絶縁層141、142は、必要に応じて、第1及び第2外部電極131、132の第1及び第2バンド部131b、132bの上面または下面の中心部に形成される第1及び第2水平部141b、142bをさらに含むことができる。
【0049】
第1及び第2水平部141b、142bは、積層セラミックキャパシタ100を基板に実装するとき、第1及び第2外部電極131、132の第1及び第2バンド部131b、132bの中心部に半田が形成されることを抑制する役割をすることができる。
【0050】
このとき、第1及び第2垂直部141a、142aと第1及び第2水平部141b、142bは同一の幅で形成されることができる。
【0051】
このような第1及び第2絶縁層141、142は、第1及び第2外部電極131、132の第1及び第2ボディ部131a、132a、及び第1及び第2バンド部131b、132bの上面または下面の中心部の少なくとも一つ以上の選択領域上に、例えば、エポキシ樹脂のような絶縁性物質を塗布して形成することができるが、本発明はこれに限定されない。
【0052】
一方、図5に示されているように、第1及び第2絶縁層141'、142'は、必要に応じて、第1及び第2外部電極131、132の第1及び第2ボディ部131a、132aの中心部上にのみ形成され、第1及び第2バンド部131b、132bには省略されることができる。
【0053】
図6は本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタを示す斜視図である。
【0054】
ここで、セラミック本体110、第1及び第2内部電極121、122、及び第1及び第2外部電極131、132の構造は、上述の実施形態と類似するため、これに対する詳細な説明を省略し、第1及び第2絶縁層141"、142"を中心に説明する。
【0055】
図6を参照すると、第1及び第2絶縁層141"、142"の第1及び第2垂直部141a'、142a'と第1及び第2水平部141b'、142b'は異なる幅で形成されることができる。
【0056】
また、第1及び第2絶縁層141"、142"は、第1及び第2垂直部141a'、142a'の幅が第1及び第2水平部141b'、142b'の幅より大きいことができる。
【0057】
即ち、セラミック本体110の幅をW1と、第1及び第2外部電極131、132の第1及び第2ボディ部131a、132aに形成された第1または第2絶縁層141"、142"の幅をXと、第1及び第2外部電極131、132の第1及び第2バンド部131b、132bの下面に形成された第1及び第2絶縁層141"、142"の幅をXとそれぞれ規定するとき、W1>X>Xを満たすことができる。
【0058】
この場合、基板に実装するとき、第1及び第2外部電極131、132の第1及び第2バンド部131b、132bの下面において半田との接合面積が第1及び第2絶縁層141"、142"の第1及び第2水平部141b'、142b'が減少した分だけ増加するため、半田を媒介とする基板と積層セラミックキャパシタとの固着強度を改善させることができる。
【0059】
図7は本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタの実装基板を示す斜視図である。
【0060】
図7を参照すると、本実施形態による積層セラミックキャパシタ100の実装基板200は、積層セラミックキャパシタ100が実装される基板210と、基板210の上面にセラミック本体110の長さ方向に互いに離れて配置された一対の第1及び第2電極パッド211、212と、を含む。
【0061】
このとき、積層セラミックキャパシタ100は、セラミック本体110の第1及び第2外部電極131、132の第1及び第2バンド部131b、132bの下面が第1及び第2絶縁層141、142を基準にセラミック本体110の幅方向に二つでそれぞれ区分されて、セラミック本体110の幅方向に離れるように配置された一対の第1及び第2電極パッド211、212上にそれぞれ接続されるように位置した状態で、半田221、222によって接合されて互いに電気的に連結されることができる。
【0062】
上記のように、積層セラミックキャパシタ100が基板210に実装された状態で、積層セラミックキャパシタ100の両端部に形成された第1及び第2外部電極131、132に極性が異なる電圧が印加されると、誘電体層111の逆圧電効果(Inverse piezoelectric effect)によってセラミック本体110は厚さ方向に膨張及び収縮するようになり、第1及び第2外部電極131、132の両端部はポアソン効果(Poisson effect)によってセラミック本体110の厚さ方向の膨張/収縮とは逆に収縮/膨張するようになる。
【0063】
このようなセラミック本体110の膨張及び収縮は振動を発生させるようになり、上記振動は外部電極及び半田を通じて基板210に伝達されて基板210から音響が放射されてアコースティックノイズとなる。
【0064】
また、半田221、222は、リフロー(reflow)時に、第1及び第2外部電極131、132を伝って這い上がるという上がり現象が発生しかねない。
【0065】
本実施形態によると、第1及び第2絶縁層141、142の導入により、半田221、222が塗布される部位を第1及び第2外部電極131、132のボディ部の外側に分散させることにより、半田221、222の高さと接触する面積を減らして積層セラミックキャパシタ100の変位が基板210に伝播されるのを低減させてアコースティックノイズを減少させることができる。
【0066】
特に、誘電体層と内部電極が実装面に対して垂直に積層される構造の積層セラミックキャパシタの場合、外部電極のボディ部の中心部に垂直方向に最大変位が集中する。
【0067】
本実施形態の場合、第1及び第2絶縁層141、142によって上記最大変位が集中する部分に半田が塗布されるという現象が防止されるため、積層セラミックキャパシタ100の変位が基板200に伝播されるのをより効果的に低減させてアコースティックノイズの低減効果をさらに向上させることができる。
【0068】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有するものには明らかである。
【符号の説明】
【0069】
100 積層セラミックキャパシタ
110 セラミック本体
111 誘電体層
112、113 カバー層
121、122 第1及び第2内部電極
131、132 第1及び第2外部電極
141、142 第1及び第2絶縁層
200 実装基板
210 基板
211、212 第1及び第2電極パッド
221、222 半田
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7