特開2016-185329(P2016-185329A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特開2016-185329マイクロ波場検出ニードルアセンブリ、その製造方法、それを用いた組織内照射焼灼領域の調節方法およびそれを含むシステム
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