発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明はこのような事情においてなされたものであり、その目的は、複数の基板を処理容器内に棚状に配置して一括して処理を行うにあたり、基板の面内に均一性高く処理を行うと共に、プラズマによる基板のダメージが抑えられる技術を提供することである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、処理容器の外方へ向けて膨らみ、処理容器の周方向に互いに離れて設けられる第１のプラズマ形成室及び第２のプラズマ形成室と、第１のプラズマ形成室と第２のプラズマ形成室との間に縦方向に沿って設けられ、第１のプラズマ形成室及び第２のプラズマ形成室内にプラズマを発生させるために両プラズマ形成室に対して共用化された導電体と、が設けられている。このような構成によれば、第１のプラズマ形成室、第２のプラズマ形成室で夫々処理ガスの活性種を生成することができるので、基板に供給される活性種の量が不足することを防ぐことができる。その結果として、基板の面内における処理の均一性が低下することを防ぐことができる。また、各プラズマ形成室に対して個別に導電体を設ける場合に比べて、当該導電体の長さを抑えることができるので、導電体の各部の電位差によって異常放電が発生することが抑えられる。その結果として、基板がダメージを受けることを抑えることができる。