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特開 2016-207840出願番号 特願 2015-87900
エッチング処理方法
出願人 東京エレクトロン株式会社（識別番号 219967）
2026年 特許公開件数ランキング 36位 458件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 25位 495件（※）
公報発行日 2016年12月8
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2016-207840 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】異なる種類のエッチング対象膜をエッチングする際の加工時間を短縮し、生産性を向上させることを目的とする。【解決手段】プラズマ生成用の高周波電力により水素含有ガス及びフッ素含有ガスからプラズマを生成し、−３０℃以下の極低温環境において、生成されたプラズマによりシリコン酸化膜及び窒化シリコン膜のエッチング対象膜をエッチングし、前記エッチングでは、一のエッチング対象膜をエッチングする第１のエッチングのエッチングレートと、前記一のエッチング対象膜と異なる構造の他のエッチング対象膜をエッチングする第２のエッチングのエッチングレートとの差が±２０％以内になるように制御する、エッチング処理方法が提供される。
【選択図】図３
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、方法では、積層膜及び単層膜を同時加工する場合に両方のエッチング対象膜のエッチングレートが異なることから、加工時間が長くなり生産性が悪くなるという課題を有する。 課題に対して、一側面では、本発明は、異なる種類のエッチング対象膜をエッチングする際の加工時間を短縮し、生産性を向上させることを目的とする。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】第１及び第２エッチング処理装置の縦断面の一例を示す図。
【図2】低温でのエッチング処理結果の一例を示す図。
【図3】第１エッチング処理方法の概要を示す図。
【図4】第１極低温でのエッチング処理結果の一例を示す図。
【図5】第１極低温でのエッチング処理結果の一例を示す図。
【図6】第１極低温でのエッチング処理結果の一例を示す図。
【図7】第１極低温でのエッチング処理結果の一例を示す図。
【図8】第２極低温でのエッチング処理結果の一例を示す図。
【図9】第２エッチング処理方法の概要を示す図。
【図10】第２エッチング処理方法のサイクル数の最適化を示す図。
【図11】第２実施形態の変形例に係るエッチング処理結果の一例を示す図。
選択図 図3出願人が指定した本件の代表的な図
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