発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、ＩＧＺＯ等を電子注入層とする有機電界発光素子とこれを駆動するＩＧＺＯ等の酸化物半導体を用いた酸化物ＴＦＴを一体的に形成する場合、ＴＦＴの半導体層と電子注入層について、ウエットエッチングに対する選択性をとることが難しい。このため半導体層に関してウエットエッチングによるパターニング（形状加工）を行なうことが困難という課題がある。 半導体をパターニングするためにリフトオフ法を用いることも可能であるが、このリフトオフ法を用いた場合には、加工精度が悪くＴＦＴ特性の均一化を図ることが難しく、半導体層の残渣の発生により歩留まりが低下するといった課題がある。また、特許文献４に示されているように、半導体層と電子注入層を同時に形成してパターニングする手法が知られているが、これら２つの層の膜厚や成膜条件が同様となってしまうため、各々の層ごとに最適な膜厚や成膜条件に設定することが難しいという課題がある。 また、ＴＦＴ素子のソース/ドレイン電極としてモリブデンやアルミニウムが幅広く用いられている。これらをウエットエッチングでパターニングする際に幅広く用いられるのがＰＡＮエッチング液（リン酸、硝酸、酢酸および水を含むエッチング液）であるが、ＩＧＺＯやＺｎＯもこのエッチング液に溶解することから、ウエットエッチングによってソース/ドレイン電極をパターニングすることが難しいという課題がある。 さらに、ソース/ドレイン電極をパターニングするためにリフトオフ法を用いることもできるが、このリフトオフ法は上述したように、加工精度が悪くＴＦＴ特性の均一化を図ることが難しく、半導体層の残渣の発生により歩留まりが低下するといった課題がある。 本発明は事情に鑑みなされたものであり、電子注入層を含む有機電界発光素子とこれを駆動するＴＦＴ素子を一体的に形成する場合に、電子注入層への影響を抑制して、ＴＦＴ素子の酸化物半導体層またはソース/ドレイン電極をウエットエッチングによりパターニングすることを可能とし得る薄膜デバイスおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の薄膜デバイスの製造方法によれば、電子注入層を含む有機電界発光素子とこれを駆動するＴＦＴ素子を一体的に形成する場合に、ＴＦＴ素子の酸化物半導体層のウエットエッチングで使用するエッチング液に対する前記電子注入層のエッチングレートが、該エッチング液に対する前記酸化物半導体層のエッチングレートの１/５以下となるようにしている。 また、本発明の他の薄膜デバイスの製造方法によれば、酸化物電子注入層を含む有機電界発光素子とこれを駆動するＴＦＴ素子を一体的に形成する場合に、ソース/ドレイン電極のウエットエッチングで使用するエッチング液に対する前記電子注入層のエッチングレートが、該エッチング液に対するソース/ドレイン電極のエッチングレートの１/１２以下となるようにしている。 これにより、ＴＦＴ素子の酸化物半導体層またはソース/ドレイン電極に対してウエットエッチングにより処理を行う際に、電子注入層が受けるダメージを大幅に抑制することができるので、このエッチングによりパターニングすることが可能となり、このパターニングを行う際に、酸化物半導体層やソース/ドレイン電極と、電子注入層とを、層ごとに最適な膜厚や成膜条件に設定することができ、製造の歩留まりの低下も抑制することができる。 また、本発明に係る薄膜デバイスによれば、酸化物半導体層の構成材料と電子注入層の構成材料を、この順に、主としてＩＧＺＯを含む材料と主としてＩＴＺＯを含む材料、または主としてＺｎＯを含む材料と主としてＩＴＺＯを含む材料、または主としてＺｎＯを含む材料と主としてＩＧＺＯを含む材料としている。さらに、本発明に係る他の薄膜デバイスによれば、ソース/ドレイン電極の構成材料と酸化物半導体層の構成材料を、この順に、主としてＭｏを含む材料と主としてITZOを含む材料、または主としてＡｌを含む材料と主としてITZOを含む材料としている。 したがって、これら本発明に係る薄膜デバイスによれば、酸化物半導体層のエッチングレートに対する電子注入層のエッチングレート、あるいはソース/ドレイン電極のエッチングレートに対する電子注入層のエッチングレートを大幅に低下させることができ、ＴＦＴ素子の酸化物半導体層またはソース/ドレイン電極をウエットエッチングによりパターニングすることが可能となり、特性の良好な薄膜デバイスを製造することが可能となる。