【図1】図１は、例示の実施形態におけるマイクロ電子アセンブリの概略断面図である。

【図2A】図２Ａは、例示の実施形態における熱の印加によるマイクロ電子アセンブリの形成を示す。

【図2B】図２Ｂは、例示の実施形態における熱の印加によるマイクロ電子アセンブリの形成を示す。

【図2C】図２Ｃは、例示の実施形態における熱の印加によるマイクロ電子アセンブリの分離を示す。

【図3】図３は、例示の実施形態におけるマイクロ電子アセンブリの部分拡大図である。

【図4】図４は、例示の実施形態におけるマイクロ電子アセンブリの概略断面図である。

【図5】図５は、例示の実施形態における屈曲状態のマイクロ電子アセンブリの概略断面図である。

【図6】図６は、例示の実施形態におけるマイクロ電子アセンブリを製造するためのフローチャートである。

【図7】図７は、例示の実施形態における少なくとも１つのマイクロ電子アセンブリを包含する電子装置のブロック図である。