技術分野
本発明の一態様は、入出力装置及び電子機器に関する。
なお、本発明の一態様は、の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置(例えば、タッチセンサなど)、出力装置、入出力装置(例えば、タッチパネルなど)、それらの駆動方法、又は、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】入出力装置の薄型化を図る。信頼性の高い入出力装置を提供する。 【解決手段】第1の画素電極、第2の画素電極、第1の共通電極、第2の共通電極、液晶、第1の絶縁膜、第2の絶縁膜、及びトランジスタを有する入出力装置である。第1の共通電極は、検知素子の一方の電極として機能する。第2の共通電極は、検知素子の他方の電極として機能する。トランジスタは、第1のゲート、第2のゲート、及び半導体層を有する。画素電極と、共通電極と、第2のゲートは、それぞれ異なる面上に位置する。第2のゲートは、半導体層に含まれる金属元素を1種類以上含む。好ましくは、第2のゲート、画素電極、及び共通電極が、半導体層に含まれる金属元素を1種類以上含む。 【選択図】図1
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様は、入出力装置の薄型化を課題の一とする。または、本発明の一態様は、入出力装置の軽量化を課題の一とする。または、本発明の一態様は、部品点数の少ない入出力装置を提供することを課題の一とする。
または、本発明の一態様は、信頼性の高い入出力装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、検出感度の高い入出力装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、新規な入出力装置等を提供することを課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様は、第1の画素電極、第2の画素電極、第1の共通電極、第2の共通電極、液晶、第1の絶縁膜、第2の絶縁膜、及びトランジスタを有する入出力装置である。第1の共通電極は、検知素子の一方の電極として機能することができる。第2の共通電極は、検知素子の他方の電極として機能することができる。トランジスタは、第1のゲート、第2のゲート、及び半導体層を有する。半導体層は、チャネル形成領域に酸化物半導体・・・ 続きを
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【発明の効果】
本発明の一態様により、入出力装置の薄型化が可能となる。または、本発明の一態様により、入出力装置の軽量化が可能となる。または、本発明の一態様により、部品点数の少ない入出力装置を提供することができる。
または、本発明の一態様により、信頼性の高い入出力装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、検出感度の高い入出力装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、新規な入出力装置等を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】 入出力装置の一例を示す上面図及び断面図。
【図2】 入出力装置の一例を示す断面図。
【図3】 入出力装置の一例を示す断面図。
【図4】 入出力装置の一例を示す断面図。
【図5】 入出力装置の一例を示す断面図。
【図6】 入出力装置の一例を示す断面図。
【図7】 検知素子と画素の一例を示す図。
【図8】 検知素子と画素の動作の一例を示す図。
【図9】 検知素子と画素の一例を示す上面図。
【図10】 検知素子の一例を示す上面図。
【図11】 検知素子の一例を示す上面図。
【図12】 入出力装置の一例を示す上面図。
【図13】 入出力装置の一例を示す上面図。
【図14】 入出力装置の一例を示す上面図。
【図15】 タッチパネルモジュールの一例を示すブロック図。
【図16】 タッチパネルモジュールの一例を示す図。
【図17】 トランジスタ等の作製方法の一例を示す断面図。
【図18】 トランジスタ等の作製方法の一例を示す断面図。
【図19】 トランジスタ等の作製方法の一例を示す断面図。
【図20】 トランジスタ等の作製方法の一例を示す断面図。
【図21】 トランジスタの一例を示す断面図。
【図22】 トランジスタの一例を示す上面図及び断面図。
【図23】 トランジスタの一例を示す断面図。
【図24】 バンド構造を説明する図。
【図25】 トランジスタの一例を示す断面図。
【図26】 CAAC−OS及び単結晶酸化物半導体のXRDによる構造解析を説明する図、並びにCAAC−OSの制限視野電子回折パターンを示す図。
【図27】 CAAC−OSの断面TEM像、並びに平面TEM像及びその画像解析像。
【図28】 nc−OSの電子回折パターンを示す図、及びnc−OSの断面TEM像。
【図29】 a−like OSの断面TEM像。
【図30】 In−Ga−Zn酸化物の電子照射による結晶部の変化を示す図。
【図31】 タッチパネルモジュールの一例を示す図。
【図32】 電子機器の一例を示す図。
【図33】 電子機器の一例を示す図。
【図34】 入出力装置の一例を示す断面図。
【図35】 実施例の入出力装置を示す写真。
【図36】 試料のXRDスペクトルの測定結果を説明する図。
【図37】 試料のTEM像、及び電子線回折パターンを説明する図。
【図38】 試料のEDXマッピングを説明する図。
56 導電膜
56a 導電膜
56b 導電膜
57a 補助配線
57b 補助配線
58 導電膜
60 画素
60a 副画素
60b 副画素
60c 副画素
106 絶縁膜
107 絶縁膜
114 絶縁膜
116 絶縁膜
141 開口
142 開口
193 ターゲット
194 プラズマ
201a トランジスタ
201b トランジスタ
201c トランジスタ
203 トランジスタ
203a トランジスタ
203b トランジスタ
205a 接続部
205b 接続部
207 液晶素子
207a 液晶素子
207b 液晶素子
211 基板
213 絶縁膜
215 絶縁膜
217 絶縁膜
218 絶縁膜
219 絶縁膜
221 ゲート電極
223 酸化物半導体膜
225a ソース電極
225b ドレイン電極
226 導電膜
227 酸化物導電膜
227a 酸化物半導体膜
231 導電膜
233 導電膜
235 導電膜
241 着色膜
243 遮光膜
245 絶縁膜
247 スペーサ
249 液晶
251 導電膜
252 導電膜
253 絶縁膜
254 導電膜
255 導電膜
257 接続体
259 FPC
261 基板
265 接着層
267 接続体
268 IC
269 FPC
270 トランジスタ
270A トランジスタ
270B トランジスタ
273 画素
275 導電膜
277 領域
300 入出力装置
301 表示部
302 走査線駆動回路
303 画素
502 基板
504 導電膜
506 絶縁膜
507 絶縁膜
508 酸化物半導体膜
508a 酸化物半導体膜
508b 酸化物半導体膜
508c 酸化物半導体膜
511a 酸化物半導体膜
511b 酸化物導電膜
512a 導電膜
512b 導電膜
514 絶縁膜
516 絶縁膜
518 絶縁膜
519 絶縁膜
552a 開口部
552b 開口部
552c 開口部
3501 配線
3502 配線
3503 トランジスタ
3504 液晶素子
3510 配線
3510_1 配線
3510_2 配線
3511 配線
3515_1 ブロック
3515_2 ブロック
3516 ブロック
5000 筐体
5001 表示部
5002 表示部
5003 スピーカ
5004 LEDランプ
5005 操作キー
5006 接続端子
5007 センサ
5008 マイクロフォン
5009 スイッチ
5010 赤外線ポート
5011 記録媒体読込部
5012 スタンド
5013 リモコン操作機
5014 アンテナ
5015 シャッターボタン
5016 受像部
5017 充電器
5018 バンド
5019 留め金
5020 アイコン
5021 アイコン
6500 タッチパネルモジュール
6501 回路ユニット
6502 信号線駆動回路
6503 センサ駆動回路
6504 検出回路
6505 タイミングコントローラ
6506 画像処理回路
6510 タッチパネル
6511 表示部
6512 入力部
6513 走査線駆動回路
6520 IC
6530 IC
6531 基板
6532 対向基板
6533 FPC
6534 PCB
6540 CPU
8000 タッチパネルモジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8007 バックライト
8008 光源
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
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