【図1】図１は本発明の液晶表示素子の模式図である。

【図2】図２は図１の部分拡大図である。

【図3】図３は本発明の液晶表示素子の断面図である。

【図4】図４は図１の部分拡大図である。

【図5】図５は本発明の液晶表示素子の断面図である。

【図6】図１８は本発明における斜め電界方式液晶表示装置の電極構造及び液晶分子配列を示す模式図である。

【図7】図１９は本発明における８分割斜め電界方式液晶表示装置の電極構造を示す模式図である。

【図8】図２２は実施例における斜め電界テストセル電極構造の平面図と液晶分子運動の模式図である。

【図9】図２３は実施例及び比較例の電圧−透過率特性の測定結果である。

【図10】図２４は実施例及び比較例の応答速度の測定結果である。

【図11】図２５は本発明に用いた配向分割されたＩＰＳモード用テストセルの電極構造の平面図と液晶分子の挙動を示す模式図である。

【図12】図２６は本発明に用いた配向分割されたＦＦＳモードテストセルの電極構造の平面図である。

【図13】図２７は本発明によるＶ−Ｔ特性のモノマー濃度依存性の測定結果である。

【図14】図２８は本発明による応答時間のモノマー濃度依存性の測定結果である。