技術分野
有機電子デバイス及び有機電子デバイス用基板
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】素子短絡の発生が抑制されることで製造歩留りに優れる有機電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板及びこの基板の一方の面に積層される有機電子素子を備える有機電子デバイスであって、基板が、金属層と、この金属層の少なくとも一方の面側に積層される絶縁層とを有し、基板の一方の面に下記式(1)で算出されるK値が−0.07以下となる凹凸のピークがないことを特徴とする。下記式(1)中、xは基板の一方の面の10μm四方の範囲に対し2.45nm間隔で線粗さ分析を行った時の凹凸のピーク位置であり、f(x)はxにおける表面凹凸高さ[nm]である。また、dxはxの微小変化量である。絶縁層が合成樹脂を主成分とするとよい。絶縁層が顔料を含有するとよい。顔料が無機顔料であるとよい。
K=[f(x+dx)−2f(x)+f(x−dx)]/dx2 ・・・(1)
【選択図】図1
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は、上述のような事情に基づいてなされたものであり、素子短絡の発生が抑制されることで製造歩留りに優れる有機電子デバイス及び有機電子デバイス用基板の提供を目的とする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明者らが鋭意検討したところ、特定の条件に基づいて基板表面の凹凸形状を規定することで、基板の平坦性を担保できることを見出した。
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の有機電子デバイス及び有機電子デバイス用基板は、素子短絡の発生が抑制されることで製造歩留りに優れる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】本発明の一実施形態の有機電子デバイスを示す模式的断面図である。
【図2】実施例で形成した有機電子デバイスを示す模式的平面図である。
1 基板
1a 金属層
1b 絶縁層
1c 反応層
1d 防錆層
2 有機電子素子
2a ITO層
2b PEDOT・PSS層/NPD層/Alq層
2c LiF層/AgMg層
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