発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、非特許文献３に示すように、たとえばゲルマニウムを被処理基板として用いた場合、従来シリコン基板に施していた処理条件と同様の処理条件でイオン注入やアニーリングを実施すると、激しい表面荒れが生じる。このため、従来のシリコン基板に用いていた処理と同様の処理をゲルマニウムやＩＩＩ−Ｖ族に用いたのでは、表面が滑らかな製品を製造することができない。 そこで、非特許文献４が示すように、表面荒れを抑制するために、ゲルマニウム基板上に二酸化シリコンを堆積する技術や、イオン注入時にウェハを液体窒素で冷却して表面荒れを抑制する技術が提案されている。 しかしながら、これらの方法は、プロセス（工程）を組み立てる上で大きな制約を強いる手法であり、適応させる場合には新たな課題を生じさせる懸念がある。たとえば、非特許文献４が示すようなゲルマニウム基板上に二酸化シリコンを堆積する方法は、ゲルマニウム基板中に元素を浅く注入したい場合は使えない。また、イオン注入時にウェハを液体窒素で冷却する方法は、ウェハ表面の結露の対策等が必要であるので、ＬＳＩ製造プロセス向けにウェハ基板材料を冷却しながらイオン注入を実施できる設備の構築は容易ではない。 また、ゲルマニウムを被処理基板とした場合、基板内のｎ型不純物の活性化濃度が低くなる事が知られている。さらに、不純物の不活性化は特にｎ型不純物において顕著であるが、ｐ型不純物についても、基板表面付近で不純物喪失が生じる。 さらに、シリコン基板の場合と同様、ゲルマニウムを被処理基板に用いた場合も、３次元構造を有するＦｉｎＦＥＴ型半導体素子のような形状については、コンフォーマルドーピングを達成することが難しい。これについては、非特許文献５に詳細な説明がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

開示する半導体素子の製造方法の１つの実施態様によれば、被処理基板にゲルマニウムやＩＩＩ−Ｖ族が含まれる場合でも高品質なＰＮ接合を伴う半導体素子を製造することができるという効果を奏する。