特開 2016-225505出願番号 特願 2015-111615
薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびにスパッタリングターゲット
出願人 株式会社神戸製鋼所（識別番号 1199）
2026年 特許公開件数ランキング 163位 155件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 129位 160件（※）
公報発行日 2016年12月28
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2016-225505 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびにスパッタリングターゲットに関する。本発明の薄膜トランジスタは、例えば液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどの表示装置に好適に用いられる。以下では、薄膜トランジスタを、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と呼ぶことがある。
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、従来よりもより高い移動度を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタは、基板上に少なくともゲート電極２、ゲート絶縁膜、酸化物半導体層４、ソース−ドレイン電極５、及びソース−ドレイン電極５を保護するＳｉＮｘ等の保護膜をこの順序で有する薄膜トランジスタであって、酸化物半導体層４は、半導体領域と導体領域を有し、ＳｉＮｘ等の保護膜から拡散した水素によって形成された導体領域は少なくとも、酸化物半導体層４のチャネル領域と端部のうちの１以上に存在することで、高い移動度を有する。
【選択図】図１
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、従来よりもより高い移動度、例えば約４０ｃｍ2／Ｖｓ以上の極めて高い移動度を示す薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに該薄膜トランジスタの酸化物半導体層形成用のスパッタリングターゲットを提供することにある。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
課題を解決し得た本発明の薄膜トランジスタは、基板上に少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体層、ソース−ドレイン電極、および前記ソース−ドレイン電極を保護する保護膜をこの順序で有する薄膜トランジスタであって、前記酸化物半導体層は、半導体領域と導体領域を有し、該導体領域は少なくとも、酸化物半導体層のチャネル領域と端部のうちの１以上に存在するところに特徴を有する。
【発明の効果】
本発明によれば、従来よりもより高い移動度を有するＴＦＴを提供することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】図１は、本発明の薄膜トランジスタの実施形態１を概略的に示す上面図である。
【図2】図２は、図１の薄膜トランジスタの断面図である。
【図3】図３は、本発明の薄膜トランジスタの実施形態２を概略的に示す上面図である。
【図4】図４は、図３の薄膜トランジスタの断面図である。
【図5】図５は、従来の薄膜トランジスタの形態の上面図である。
【図6】図６は、図５の薄膜トランジスタの断面図である。
【図7】図７は、実施例におけるサーマルイメージ観察領域を概略的に示す上面図である。
【図8】図８は、実施例において薄膜トランジスタに電流を加えたときのサーマルイメージである。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
１ 基板
２ ゲート電極
３ ゲート絶縁膜
４ 酸化物半導体層
５ ソース−ドレイン電極
６ 保護膜
７ コンタクトホール
８ スルーホール
９ エッチストップ層
Ｄ サーマルイメージ観察領域
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