発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

前述したＩＧＺＯにおいて、ソース・ドレイン電極にＭｏ配線やＭｏ合金配線、又はＡｌ配線もしくはＡｌ合金配線とＭｏ配線もしくはＭｏ合金配線との積層配線を用いた場合、電極加工にはリン酸、硝酸、酢酸などを含む汎用の無機酸系エッチング液が用いられる。しかしながらＩＧＺＯは前記無機酸系エッチング液により容易にエッチングされるため、前述の配線を用いたＢＣＥ型の薄膜トランジスタを形成することはできない。 さらにＩＧＺＯにおいて、ソース・ドレイン電極にＭｏ配線もしくはＭｏ合金配線のＭｏ系配線、前記Ｍｏ系配線とＣｕ配線もしくはＣｕ合金配線とのＭｏ系／Ｃｕ系積層配線、Ｔｉ配線もしくはＴｉ合金配線のＴｉ系配線、又は、前記Ｔｉ系配線とＣｕ配線もしくはＣｕ合金配線とのＴｉ系／Ｃｕ系積層配線を用いた場合、電極加工には過酸化水素水にフッ化物を含んだ無機系エッチング液が用いられる。しかしながらＩＧＺＯは前記無機系エッチング液により容易にエッチングされるため、こちらも前述の配線を用いたＢＣＥ型の薄膜トランジスタを形成することはできない。 本発明は事情に鑑みてなされたものであり、ソース・ドレイン電極に純Ｍｏ膜及びＭｏ合金膜の少なくともいずれか一方のＭｏ系膜又は、前記Ｍｏ系膜と純Ｃｕ膜及びＣｕ合金膜の少なくともいずれか一方のＣｕ系膜との積層膜（以下、「Ｍｏ系／Ｃｕ系積層膜」と称することがある。）や、純Ｔｉ膜及びＴｉ合金膜の少なくともいずれか一方のＴｉ系膜又は、前記Ｔｉ系膜と純Ｃｕ膜及びＣｕ合金膜の少なくともいずれか一方のＣｕ系膜との積層膜（以下、「Ｔｉ系／Ｃｕ系積層膜」と称することがある。）を用いた場合に、優れた特性を有する薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
具体的には、高い電界移動度を維持しつつ、スイッチング特性、Ｓ値、ストレス耐性及び光ストレス耐性（光ストレスによるトンラジスタのしきい値変化量が小さいこと）に優れた薄膜トランジスタを提供し、中でも、光ストレス耐性に特に優れたエッチストッパー層を有しないＢＣＥ型薄膜トランジスタを提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、ソース・ドレイン電極に純Ｍｏ膜及びＭｏ合金膜の少なくともいずれか一方のＭｏ系膜又は、前記Ｍｏ系膜と純Ｃｕ膜及びＣｕ合金膜の少なくともいずれか一方のＣｕ系膜とのＭｏ系／Ｃｕ系積層膜や、純Ｔｉ膜及びＴｉ合金膜の少なくともいずれか一方のＴｉ系膜又は、前記Ｔｉ系膜と純Ｃｕ膜及びＣｕ合金膜の少なくともいずれか一方のＣｕ系膜とのＴｉ系／Ｃｕ系積層膜を用いた場合でも、高い電界移動度を維持しつつ、スイッチング特性、Ｓ値、ストレス耐性及び光ストレス耐性（光ストレスによるトランジスタのしきい値変化量が小さいこと）に優れた薄膜トランジスタ、より好ましくはＢＣＥ型薄膜トランジスタを得ることができる。
また、本発明に係る薄膜トランジスタは、ソース・ドレイン電極の形成をウェットエッチングで行うことができるため、特性の高い表示装置を容易かつ低コストで得ることができる。