特開2016-71925ＭｇＯトンネル型バリア層およびホウ素の拡散を最少化する窒素含有層を含むトンネル型磁気抵抗（ＴＭＲ）素子

発明の名称　ＭｇＯトンネル型バリア層およびホウ素の拡散を最少化する窒素含有層を含むトンネル型磁気抵抗（ＴＭＲ）素子

出願人　エイチジーエスティーネザーランドビーブイ　（識別番号 503116280）

　　　　特許公開件数ランキング 7238 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 5926 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2016-71925

公報発行日　2016年5月9

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-A-2016-71925

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