特開2016-71925(P2016-71925A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特開2016-71925ＭｇＯトンネル型バリア層およびホウ素の拡散を最少化する窒素含有層を含むトンネル型磁気抵抗（ＴＭＲ）素子
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  • 特開2016071925-ＭｇＯトンネル型バリア層およびホウ素の拡散を最少化する窒素含有層を含むトンネル型磁気抵抗（ＴＭＲ）素子 図000003
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