特開2016-72287(P2016-72287A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特開2016-72287窒化アルミニウム層形成方法、窒化物半導体装置製造方法、窒化アルミニウム層形成最適条件決定方法、及び窒化アルミニウムの半導体構造
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