特開2017-163142バイアスされた縦方向フィールドプレートを使用したＬＤＭＯＳトランジスタのドリフト領域フィールド制御、ＬＤＭＯＳトランジスタ、及びＬＤＭＯＳトランジスタを製造する方法

発明の名称　バイアスされた縦方向フィールドプレートを使用したＬＤＭＯＳトランジスタのドリフト領域フィールド制御、ＬＤＭＯＳトランジスタ、及びＬＤＭＯＳトランジスタを製造する方法

出願人　ポーラー　セミコンダクター　エルエルシー　（識別番号 517084081）

　　　　特許公開件数ランキング 14468 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 12296 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2017-163142

公報発行日　2017年9月14

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-A-2017-163142

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