特開2017-17302IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

電子素子及び製造方法に関し、特に、耐せん断応力性を向上させる電子素子及び製造方法

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電子素子及び製造方法に関し、特に、耐せん断応力性を向上させる電子素子及び製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】 本発明は、電子製品のための電子素子を提供する。
【解決手段】 電子素子は、基板；前記基板の上に位置し、前記電子製品と電気的に接続するためのバンプ；及び、前記バンプと前記基板との間に位置し、前記バンプを前記基板に貼り合わせるための少なくとも一つのアンダバンプメタル層を含み、そのうち、前記アンダバンプメタル層には、欠口構造が形成されている。
【選択図】 図１Ａ

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

上述に鑑み、本発明の主な目的は、電子素子の耐せん断応力性を向上させることができ、且つ改良された構造設計を有する電子素子及び製造方法を提供することにある。 上述に鑑み、本発明の主な目的は、電子素子の耐せん断応力性を向上させることができ、且つ改良された構造設計を有する電子素子及び製造方法を提供することにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一側面によれば、電子製品のための電子素子が提供され、該電子素子は、 基板； 前記基板の上に設置されており、前記電子製品と電気的に接続するためのバンプ；及び 前記バンプと前記基板との間に設置されており、前記バンプを前記基板に貼り合わせるための少なくとも一つのアンダバンプメタル（Under bump metal、UBM）層を含み、 そのうち、前記アンダバンプメタル層に・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
本発明の一側面によれば、電子製品のための電子素子が提供され、該電子素子は、 基板； 前記基板の上に設置されており、前記電子製品と電気的に接続するためのバンプ；及び 前記バンプと前記基板との間に設置されており、前記バンプを前記基板に貼り合わせるための少なくとも一つのアンダバンプメタル（Under bump metal、UBM）層を含み、 そのうち、前記アンダバンプメタル層に・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

上述に鑑み、本発明の主な目的は、電子素子の耐せん断応力性を向上させることができ、且つ改良された構造設計を有する電子素子及び製造方法を提供することにある。 上述に鑑み、本発明の主な目的は、電子素子の耐せん断応力性を向上させることができ、且つ改良された構造設計を有する電子素子及び製造方法を提供することにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一側面によれば、電子製品のための電子素子が提供され、該電子素子は、 基板； 前記基板の上に設置されており、前記電子製品と電気的に接続するためのバンプ；及び 前記バンプと前記基板との間に設置されており、前記バンプを前記基板に貼り合わせるための少なくとも一つのアンダバンプメタル（Under bump metal、UBM）層を含み、 そのうち、前記アンダバンプメタル層に・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
本発明の一側面によれば、電子製品のための電子素子が提供され、該電子素子は、 基板； 前記基板の上に設置されており、前記電子製品と電気的に接続するためのバンプ；及び 前記バンプと前記基板との間に設置されており、前記バンプを前記基板に貼り合わせるための少なくとも一つのアンダバンプメタル（Under bump metal、UBM）層を含み、 そのうち、前記アンダバンプメタル層に・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】本発明の実施例における電子素子の局部図である。

【図1B】本発明の実施例における他の電子素子の局部図である。

【図2】図1Aにおける電子素子の上面断面図である。

【図3】図1Aにおける電子素子に欠口構造を形成するフローチャートである。

【図4】本発明の実施例における電子素子に欠口構造を形成する前後で行われたせん断試験の比較図である。

【図5】本発明の実施例における製造方法のフローチャートである。

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】本発明の実施例における電子素子の局部図である。

【図1B】本発明の実施例における他の電子素子の局部図である。

【図2】図1Aにおける電子素子の上面断面図である。

【図3A】図1Aにおける電子素子に欠口構造を形成するフロー図である。

【図3B】図3A中のステップ310完成後の電子素子12の細部を示す図である。

【図3C】図3A中のステップ310完成後の電子素子12の上面図である。

【図4】本発明の実施例における電子素子に欠口構造を形成する前後で行われたせん断試験の比較図である。

【図5】本発明の実施例における製造方法のフローチャートである。

選択図 図1A出願人が指定した本件の代表的な図

選択図 図1A出願人が指定した本件の代表的な図

10、12 電子素子　　 100、120 基板　　 102、122 バンプ　　 104、124、126 アンダバンプメタル層　　 300、302、304、306、308、310、500、502、504、506 ステップ　　 31 フォトレジスト層　　 32 鈍化層　　 50 製造プロセス　　 BB バンプ接続底部 10、12 電子素子　　 100、120 基板　　 102、122 バンプ　　 104、124、126 アンダバンプメタル層　　 300、302、304、306、308、310、500、502、504、506 ステップ　　 31 フォトレジスト層　　 32 鈍化層　　 50 製造プロセス　　 BB バンプ接続底部　　 a1 第一面積　　 a2 第二面積　　 A1 第一凹溝断面積　　 A2 第二凹溝断面積　　 C1 拡大図　　 L1 第一長さ　　 L2 第二長さ　　 ｍ 長さ　　 ｎ 厚み　　

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