発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ところで、上述した図５の異常検出装置は、例えばダイオード２４の開放故障等によって、ダイオード２４を経由する電流経路が遮断された場合に、リミッタ回路２０の出力信号Ｖｃが閾値電圧Ｖｔｈよりも高い電圧に固定された状態になるので、ＦＥＴ２に過電流が流れなくても、スイッチング制御部４０が過電流発生の誤検出を行う問題がある。 また、図５に示す異常検出装置において負荷１が誘導負荷である場合に、ＦＥＴ２をオフさせるゲート信号が与えられているにも拘わらずＦＥＴ２がオンとなる動作異常（誤点呼）が起きる可能性がある。 ここで、負荷１が例えば３相誘導電動機の１相の巻線であり、ＦＥＴ２がインバータ主回路の１つの上アームのＦＥＴであり、このＦＥＴ２に誤点弧が生じたとする。この場合において、ＦＥＴ２が属する上アームと同一相の下アームのＦＥＴがオン状態であれば、下アームのＦＥＴについての過電流検出により上アームのＦＥＴ２の誤点弧を検出することが可能である。 しかし、ＦＥＴ２が属する上アームと別の相の下アームのＦＥＴがオン状態である場合には、上下各アームのＦＥＴに過電流が生じることはないため、上アームのＦＥＴ２の誤点弧を検出することができない。このように図５に示す異常検出装置は、ＦＥＴ２における過電流の発生以外の異常が発生した場合にその検出を行うことができない問題がある。 この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、リミッタ回路の開放故障を過電流の発生と誤認することなく半導体スイッチング素子における過電流の発生を検出することができる異常検出装置を提供することにある。また、この発明の第２の目的は、半導体スイッチング素子の誤点弧等、過電流の発生以外の異常を検出することができる異常検出装置を提供することにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

以上のように、この発明によれば、リミッタ回路の開放故障を過電流の発生と誤認することなく半導体スイッチング素子における過電流の発生を検出することができる。また、この発明によれば、半導体スイッチング素子の誤点弧等、過電流の発生以外の異常を検出することができる。