特開2017-220512トリプルゲートＨ−ダイヤモンドＭＩＳＦＥＴ及びその製造方法

発明の名称　トリプルゲートＨ−ダイヤモンドＭＩＳＦＥＴ及びその製造方法

出願人　独立行政法人物質・材料研究機構　（識別番号 301023238）

　　　　特許公開件数ランキング 390 位（106件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 277 位（112件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2017-220512

公報発行日　2017年12月14

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-A-2017-220512

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