【解決手段】本発明の一形態に係るコイル部品は、磁性体部と、導体部と、複数の絶縁体部と、を具備する。上記磁性体部は、合金磁性粒子で構成される。上記導体部は、複数の周回部を有し、上記磁性体部の内部において一軸まわりに巻回される。上記複数の絶縁体部は、上記複数の周回部の間にそれぞれ配置され、上記一軸方向に少なくとも一部が対向する2つの周回部に各々接合される2つの接合面をそれぞれ含む周回形状を有し、電気絶縁性粒子で構成される。
一軸まわりに巻回された周回形状の第1の絶縁体部と、前記第1の絶縁体部の上に設けられ前記第1の絶縁体部の一端から延出する第1の端部を有する導電性の第1の周回部と、前記第1の絶縁体部及び前記第1の周回部各々の内周部及び外周部に隣接する第1の磁性体パターンとを有する第1の層を形成し、
前記一軸まわりに巻回された周回形状の第2の絶縁体部と、前記第2の絶縁体部の上に設けられ前記第2の絶縁体部の一端から延出し前記第1の端部と接続される第2の端部を有する導電性の第2の周回部と、前記第2の絶縁体部及び前記第2の周回部各々の内周部及び外周部に隣接する第2の磁性体パターンとを有する第2の層を、前記第1の層の上に形成する
コイル部品の製造方法。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
近年、電子機器の小型化の進展により、搭載される電子部品の更なる薄型化、小型化が求められている。しかしながら特許文献1に記載の構造においては、導体パターン間に介在する磁性シートが当該導体パターン間の電気的な絶縁層としての機能をも兼ねており、所定の絶縁耐圧を確保する上では当該磁性層に所定以上の厚み(パターン間距離)が必要とされるため、部品の薄型化が困難であった。また、上記磁性層中に樹脂成分やガラス成分等の非磁性成分の含有量を高めることで絶縁耐圧を確保することも可能であるが、磁性材料の含有量が相対的に低下するため、磁気特性の低下が避けられない。
【0006】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、磁気特性を確保しつつ部品の薄型化を実現することができるコイル部品およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るコイル部品は、磁性体部と、導体部と、複数の絶縁体部と、を具備する。
上記磁性体部は、合金磁性粒子で構成される。
上記導体部は、複数の周回部を有し、上記磁性体部の内部において一軸まわりに巻回される。
上記複数の絶縁体部は、上記複数の周回部の間にそれぞれ配置され、上記一軸方向に少なくとも一部が対向する2つの周回部に各々接合される2つの接合面をそれぞれ含む周回形状を有し、電気絶縁性粒子で構成される。
【0008】
上記コイル部品においては、上記一軸方向に対向する複数の周回部間に配置される絶縁体部が電気絶縁性粒子で構成された単一の層で構成されているため、上記周回部間の電気的絶縁を確保しつつ、部品全体の薄型化を実現することが可能となる。また、上記コイル部品においては、絶縁体部が上記周回部の少なくとも一部に対向する周回形状を有するため、当該周回形状の内周側及び外周側の領域が磁性体部を構成する合金磁性粒子で構成することが可能となる。これによりコイル部品の所望とする磁気特性を確保することが可能となる。
【0009】
上記複数の絶縁体部の上記一軸方向に沿った厚み寸法は、上記複数の周回部の上記一軸方向に沿った厚み寸法よりも小さくてもよい。
これにより周回部間の狭ピッチ化が可能となり、部品の更なる薄型化を図ることができる。
【0010】
上記複数の絶縁体部の上記一軸方向に直交する幅寸法は、上記複数の周回部の上記一軸方向に直交する幅寸法以上の大きさを有してもよい。
これにより周回部間の安定した電気的絶縁を確保することができる。
【0011】
上記電気絶縁性粒子は、1μm以下の平均粒径を有する第1の合金磁性粒子を含んでもよい。
これにより絶縁体部の電気的絶縁特性が向上し、周回部間の絶縁耐圧の向上あるいは周回部間の更なる狭ピッチ化を図ることができる。
【0012】
上記磁性体部は、上記第1の合金磁性粒子よりも平均粒径が大きい第2の合金磁性粒子で構成されてもよい。
これにより磁性体部の磁気特性の向上を図ることができる。
【0013】
上記電気絶縁性粒子は、平均粒径が1μm以下のシリカ粒子、ジルコニア粒子又はアルミナ粒子を含んでもよい。上記絶縁体粒子は、フェライト粒子であってもよい。
これにより絶縁体部の絶縁特性の向上を図ることができる。
【0014】
本発明の一形態に係るコイル部品の製造方法は、一軸まわりに巻回された周回形状の第1の絶縁体部と、上記第1の絶縁体部の上に設けられ上記第1の絶縁体部の一端から延出する第1の端部を有する導電性の第1の周回部と、上記第1の絶縁体部及び上記第1の周回部各々の内周部及び外周部に隣接する第1の磁性体パターンとを有する第1の層を形成することを含む。
上記一軸まわりに巻回された周回形状の第2の絶縁体部と、上記第2の絶縁体部の上に設けられ上記第2の絶縁体部の一端から延出し上記第1の端部と接続される第2の端部を有する導電性の第2の周回部と、上記第2の絶縁体部及び上記第2の周回部各々の内周部及び外周部に隣接する第2の磁性体パターンとを有する第2の層が、上記第1の層の上に形成される。
【発明の効果】
【0015】
以上述べたように、本発明によれば、磁気特性を確保しつつ部品の薄型化を実現することができる。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
【0018】
図1は本発明の一実施形態に係るコイル部品10の全体斜視図、
図2はコイル部品10の分解斜視図、
図3は
図1におけるA−A線断面図である。本実施形態のコイル部品10は、例えばパワーデバイス用の積層インダクタとして構成される。
【0019】
[コイル部品の全体構成]
コイル部品10は、
図1に示すように、部品本体11と、一対の外部電極14,15とを有する。部品本体11は、X軸方向に幅W、Y軸方向に長さL、Z軸方向に高さHを有する概略直方体形状に形成される。一対の外部電極14,15は、部品本体11の長辺方向(Y軸方向)に対向する2つの端面に設けられる。
【0020】
部品本体11の各部の寸法は特に限定されず、本実施形態では、長さLが1〜2mm、幅Wが0.5〜1mm、高さHが0.3〜0.6mmとされる。
【0021】
部品本体11は、概略直方体形状の磁性体部12と、磁性体部12の内部に配置された螺旋状のコイル部13(導体部)とを有している。部品本体11は、
図2及び
図3に示すように、複数の磁性体層MLU、ML1〜ML4及びMLDが高さ方向(Z軸方向)に積層されて一体化された構造を有する。
【0022】
(磁性体部)
磁性体層MLU及びMLDは、磁性体部12の上下のカバー層をそれぞれ構成する。磁性体層ML1〜ML3は、コイル部13を構成する周回部C1〜C3と、周回部C1〜C3の内周側及び外周側に隣接する磁性パターン部M1〜M3と、絶縁体部IS1〜IS3とをそれぞれ有する。磁性体層ML4は、コイル部13を構成する周回部C4と、周回部C4の内周側及び外周側に隣接する磁性パターン部M4とを有する。
【0023】
磁性体層MLU、MLD及び磁性パターン部M1〜M4は、磁性体部12を構成する。磁性体部12は、合金磁性粒子で構成される。
【0024】
合金磁性粒子には、Fe(鉄)と、第1の成分と、第2の成分との合金粒子が用いられる。第1の成分は、Cr(クロム)及びAl(アルミニウム)の少なくとも1種からなり、第2の成分は、Si(シリコン)及びZr(ジルコニウム)の少なくとも1種からなる。本実施形態は、第1の成分がCr、第2の成分がSiであり、したがって合金磁性粒子は、FeCrSi合金粒子で構成される。この合金磁性粒子の組成は、典型的には、Crが1〜5wt%、Siが3〜10wt%であり、不純物を除き、残りをFeとし全体で100wt%とする。
【0025】
磁性体部12は、各合金磁性粒子を相互に結合する第1の酸化膜を有する。第1の酸化膜は、上記第1の成分を含み、本実施形態では、Cr
2O
3である。磁性体部12は、各合金磁性粒子と上記第1の酸化膜との間に介在する第2の酸化膜をさらに有する。第2の酸化膜は、第2の成分を含み、本実施形態では、SiO
2である。
【0026】
(コイル部)
周回部C1〜C4は、コイル部13を構成する。周回部C1〜C4は、
図2に示すように、Z軸まわりに巻回されるコイルの一部を構成する周回パターン形状を有する。周回部C1〜C4は、ビアV12,V23及びV34をそれぞれ介してZ軸方向にそれぞれ電気的に接続されることで、コイル部13を形成する。図示の例では、コイル部13のターン数は3.5であるが、これに限られず、仕様や部品サイズ等に応じてターン数は適宜設定可能である。
【0027】
図2を参照して、周回部C1は、そのターン長が(6/8)ターンであり、外部電極14に接続される引出端部13e1と、ビアV12の一部を構成する接続端部Ce1とを有する。周回部C2は、そのターン長が(7/8)ターンであり、接続端部Ce1と接続される接続端部Cb2と、ビアV23を構成する接続端部Ce2とを有する。周回部C3は、そのターン長が(7/8)ターンであり、接続端部Ce2と接続される接続端部Cb3と、ビアV34を構成する接続端部Ce3とを有する。周回部C4は、そのターン長が(6/8)ターンであり、接続端部Ce3と接続される接続端部Cb4と、外部電極15と接続される引出端部13e2とを有する。
【0028】
コイル部13は、導電性材料で構成される。コイル部13は、例えば、導電ペーストの焼成体で構成され、本実施形態では、導電ペーストに銀(Ag)ペーストが用いられる。周回部C1〜C4は、典型的には、それぞれ周回方向に沿って同一の幅、厚みで構成される。
【0029】
(磁性パターン部)
磁性パターン部M1〜M4は、周回部C1〜C4の内周側に位置する第1の領域121と、周回部C1〜C4の外周側に位置する第2の領域122とを有し、全体として磁性体層MLU,MLDと同一の形状、大きさの矩形状に形成される(
図3参照)。磁性パターン部M1〜M4の厚みは、磁性体層ML1〜ML4の厚みを決定する。したがって磁性パターン部M1は、絶縁体層IS1の厚みと周回部C1の厚みとの総和以上の厚みを有する。
【0030】
磁性パターン部M1〜M4は、上述のようにFeCrSi系の合金磁性粒子で構成される。磁性パターン部M1〜M4を構成する合金磁性粒子の平均粒径は、磁性体層MLU,MLDを構成する合金磁性粒子の平均粒径と同一であってもよいし、異なっていてもよい。磁性パターン部M1を構成する合金磁性粒子の平均粒径は、例えば、1μm以上5μm以下である。
【0031】
(絶縁体部)
絶縁体部IS1〜IS3は、周回部C1〜C4の間にそれぞれ配置され、Z軸方向に少なくとも一部が対向する2つの周回部に各々接合される2つの接合面をそれぞれ含む周回形状を有する。すなわち本実施形態において絶縁体部IS1〜IS3はそれぞれ、各周回部C1〜C4の対向領域を含む周回パターン形状を有し、かつ、Z軸方向に相互に対向する2つの周回部の各対向面に接合される2つの接合面Sa,Sbを有する単一層で構成される(
図3参照)。
【0032】
絶縁体部IS1〜IS3は、磁性体層ML1〜ML3の一部を構成する。一例として、磁性体層ML1に設けられた絶縁体部IS1の構成を、
図4〜
図6に示す。
ここで
図4は、磁性体層ML1の斜視図である。
図5は、磁性体層ML1における周回部C1の接続端部Ce1の要部平面図、
図6Aは、
図4におけるA−A線断面図、
図6Bは、
図4におけるB−B線断面図である。
【0033】
絶縁体部IS1〜IS3はそれぞれ、周回部C1〜C4よりもその周回方向に関する幅寸法と同等以上の幅寸法を有し、本実施形態においては周回部C1〜C4の幅寸法Wcよりも大きな幅寸法Wsを有する(
図3、
図5参照)。これにより、周回部C1〜C4に隣接する磁性体部12を構成する合金磁性粒子間に滲み込んだ導電材料(周回部を構成する導体ペースト)による周回部間のショートを防止して、これらの間の所望とする絶縁耐圧を確保することができる。
【0034】
周回部C1の幅寸法Wcと絶縁体部IS1の幅寸法Wsとの比は特に限定されず、例えば、(Ws−Wc)の値で10μm以上80μm以下とされる。
【0035】
絶縁体部IS1〜IS3は、
図8に示すように、周回部C1〜C4の幅寸法と同一の幅寸法で構成されてもよい。この場合、
図3の構成と比較して、絶縁体部IS1〜IS3を挟む周回部間の耐電圧特性の低下によりコイル部品全体の磁気特性(インダクタンス特性)の低下が懸念されるが、当該コイル部品の直流重畳特性を高めることができる。すなわち、コイル部品の仕様等に応じて、絶縁体部IS1〜IS3の幅寸法を調整することができる。
【0036】
絶縁体部IS1〜IS3の厚み(Z軸方向に沿った厚み寸法、以下同じ)は特に限定されず、周回部間の所定の絶縁耐圧を確保することができる適宜の厚みに設定される。絶縁体部IS1〜IS3の厚みは、周回部C1〜C4の厚みと同等以上であってもよいし、周回部C1〜C4の厚みよりも小さくてもよい。
【0037】
本実施形態では、絶縁体部IS1〜IS3は、周回部C1〜C4よりも小さな厚みで形成される。絶縁体部IS1〜IS3が周回部C1〜C4よりも小さな厚みで形成されることで、部品本体11の薄型化を図ることができる。あるいは、周回部C1〜C4の厚みを大きくすることができるため、周回部C1〜C4の低抵抗化を図ることができる。
【0038】
図6Aにおいて絶縁体部IS1の上面は、周回部C1の下面に接合される第1の接合面Saを構成し、絶縁体部IS1の下面は、磁性体層ML2の上面(磁性パターン部M2の上面)に接合される第2の接合面Sbを構成する。第1の接合面Saは、周回部C1の一端部Ce1を除くすべての領域に接合され、周回部C1の一端部Ce1と周回部C2の一端部Cb2との電気的接続が確保される。
【0039】
絶縁体部IS1〜IS3は、電気絶縁性粒子で構成される。磁性体部IS1〜IS3を構成する電気絶縁性粒子は特に限定されず、合金磁性粒子でもよいし、シリカ粒子、ジルコニア粒子、アルミナ粒子、フェライト粒子等の酸化物セラミック粒子であってもよい。上記電気絶縁性粒子には、加熱処理により粒子相互が結合されて絶縁体層を構成することが可能な種々の合金磁性粒子と、当初より絶縁体であり、加熱処理により粒子相互が結合され、粒子相互が粒界を融合させ、粒子相互が焼結状態になって絶縁体の層を構成する、フェライト粒子等の酸化物セラミックス粒子と、当初より絶縁体であり加熱処理によっても粉体のままであるシリカ粒子、ジルコニア粒子、アルミナ粒子等の酸化物セラミックス粒子と、が含まれる。
【0040】
上述のように電気絶縁性粒子には、加熱処理により各粒子間が結合したものも含まれる。つまり、絶縁体部IS1〜IS3は、絶縁体粒子そのもので構成される形態に限られず、絶縁体粒子間が結合したもので構成される形態も含まれる。特に本実施形態では、加熱処理により収縮あるいは体積変化がほとんど生じない粒子が用いられる。このような粒子で構成された絶縁体部IS1〜IS3をSEM(Scanning Electron Microscopy)観察した場合、個々の粒子、粒子同士が結合した状態、粒子同士が焼結した状態などが、粒子間に形成された空隙と同時に観察される。空隙は、バインダその他の材料で充填されてもよい。
【0041】
絶縁体部IS1〜IS3は、加熱処理時に体積変化しないことが望ましい。絶縁体部IS1〜IS3は、加熱処理によっても絶縁が高く、体積変化しない層となることで、確実に周回部C1〜C4間の絶縁を確保したまま、薄い層として形成できる。例えば、絶縁体部IS1〜IS3が加熱処理により収縮の形状変化の両方を生じる材料、例えば、低融点ガラスなどで構成される場合、周回部C1〜C4間の絶縁を確保するためには、絶縁体部IS1〜IS3を薄い層として形成することができなくなり、磁気特性を確保しつつ部品の薄型化を実現することができなくなる。
【0042】
絶縁体部IS1〜IS3を構成する合金磁性粒子(第1の合金磁性粒子)としては、磁性パターン部M1〜M4(磁性体部12)を構成する合金磁性粒子(第2の合金磁性粒子)と同一組成の合金磁性粒子、すなわちFeCrSi系の合金磁性粒子を用いることができる。
【0043】
絶縁体部IS1〜IS3を構成する合金磁性粒子の平均粒径は、磁性パターン部M1〜M4を構成する合金磁性粒子の平均粒径と同一であってもよいし、異なっていてもよい。典型的には、絶縁体部IS1を構成する合金磁性粒子として、磁性パターン部M1を構成する合金磁性粒子の平均粒径と同等以下(例えば3μm以下)の平均粒径を有する合金磁性粒子が用いられ、1μm以下の平均粒径を有する合金磁性粒子を用いることも可能である。
【0044】
合金磁性粒子で構成される絶縁体部IS1〜IS3の厚みは、例えば3μm以上とされる。この場合において、平均粒径が1μm以下の合金磁性粒子で絶縁体部IS1〜IS3を構成したとき、厚み方向に3つ以上の合金磁性粒子が並ぶことになる。平均粒径が小さいほど比表面積は大きくなるため、粒子表面と酸化膜との接触面積も増加し、したがって所望とする絶縁特性が安定に確保される。
【0045】
絶縁体部IS1〜IS3を構成する電気絶縁性粒子としてシリカ粒子、ジルコニア粒子、アルミナ粒子、フェライト粒子等の酸化物セラミック粒子を用いた場合、絶縁体部IS1〜IS3の絶縁特性をさらに向上させることができる。これにより、周回部C1〜C4の導体間にかかる電位差による絶縁破壊を防止することができ、絶縁体部IS1〜IS3の厚みをさらに小さくすることもできる。また、この種のセラミック粒子には1μm以下の平均粒径を有する粒子を容易に入手することができるため、例えば2μm以下の厚みの絶縁体部IS1〜IS3を安定に作製することが可能である。
【0046】
一方、合金磁性粒子及びフェライト粒子は磁性材料で構成されているため、これらを電気絶縁性粒子として用いることにより、絶縁体部IS1〜IS3の厚みや幅寸法が比較的大きい場合でも、コイル部品の磁気特性の低下が抑制される。したがって
図3に示すように、絶縁体部IS1〜IS3の幅寸法Wsが周回部C1〜C4の幅寸法よりも大きい場合でも、周回部C1〜C4間の絶縁を確実に確保しつつ、コイル部品の磁気特性の低下を抑えることができる。
【0047】
[コイル部品の製造方法]
部品本体11は、上述のように、磁性体層MLU、ML1〜ML4及びMLDをその厚み方向に積層することで作製される。上下のカバー層を構成する磁性体層MLU及び磁性体層MLDは、それぞれ所定枚数の磁性シートの積層体で構成される。一方、コイル部13を構成する磁性体層ML1〜ML4は、例えば印刷法等により個々に作製される。
【0048】
図7A〜Cは、磁性体層ML1の製造方法を説明する斜視図である。
【0049】
磁性体層ML1の作製に際しては、
図7Aに示すようにPET(ポリエチレンテレフタレート)等の樹脂シートで構成された支持シートSを用いる。そして、この支持シートSの一方の面に、あらかじめ準備した絶縁体ペースト、導体ペースト及び磁性体ペーストを用いて絶縁体部IS1、周回部C1及び磁性パターン部M1を例えばスクリーン印刷法により順次形成することで、磁性体層ML1が作製される。
【0050】
絶縁体部IS1は、支持シートS上の周回部C1の形成領域に、周回部C1に対応する周回形状で形成される。このとき絶縁体部IS1は、周回部C1よりも幅広形状を有するとともに、周回部C1のビア(V12)を構成する一端部Ce1を除くすべての領域に設けられる(
図7A)。
【0051】
周回部C1は、絶縁体部IS1の上に所定の周回形状で形成される。このとき周回部C1は、絶縁体部IS1の中央部にその幅寸法(Ws)よりも小さい幅寸法(Wc)で形成される(
図5参照)。また、周回部C1の一端部Ce1は、絶縁体部IS1の端部を跨ぐように所定長さだけ延出して支持シートS上に形成される(
図6B参照)。
【0052】
図9A〜Cは、絶縁体部IS1と周回部C1との厚みの関係を示す模式図である。ここで、
図9Aは、絶縁体部IS1が周回部C1と同等の厚みで形成された例を示し、
図9B,Cは、絶縁体部IS1が周回部C1よりも薄く形成された例を示している。また、
図9A〜Cは、絶縁体部IS1が周回部C1よりも大きな幅寸法で形成された例を示している。絶縁体部IS1と周回部C1の幅の差は特に限定されないが、図示するように、絶縁体部IS1がその厚みに相当する量だけ周回部C1の側面からはみ出るように構成されてもよい。この場合、絶縁体部IS1と周回部C1の幅の差は、絶縁体部IS1の厚みが小さいほど小さく設定される。
【0053】
絶縁体部IS1の厚みを小さくする場合には、絶縁体部IS1を構成する粒子の平均粒径は小さいものほど好ましい。平均粒径が大きいと厚みが必要となり、その分、周回部C1の側面からのはみ出し量も大きくなるからである。また、平均粒径が小さいほど厚みの均一性が得られるため、絶縁体部IS1を安定に形成することができる。
【0054】
磁性パターン部M1は、絶縁体部IS1及び周回部C1各々の内周部及び外周部に隣接するように支持シートS上に形成される。このとき磁性パターン部M1は、周回部C1によって被覆されていない絶縁体部IS1の両側部と、周回部C1の端部Ce1の先端所定領域を被覆する。
【0055】
なお説明を容易にするため、
図7A〜Cには単一の磁性層ML1のみが示されているが、実際には支持シートSは磁性層ML1を面内で多数個取りすることができる大きさ(サイズ)に形成されており、上記各工程を経ることで同一の支持シートS上に複数の磁性層ML1が形成される。
【0056】
磁性体層ML2〜ML4もまた上述と同様な方法で作製される。なお磁性体層ML4については、絶縁体層の形成が不要であるため、周回部C4及び磁性パターン部M4のみが作製される(
図2参照)。
【0057】
各磁性体層MLU、MLD,ML1〜ML4は
図2に示すように積層された後、熱圧着により一体化される。このとき支持シートSは、各磁性体層ML1〜ML4を重ねるときに順次剥離、除去される。これにより、積層方向に隣接する各周回部C1〜C4の端部Ce1〜Ce4がそれぞれ接続され、ビアV12、V23,V34が形成される(
図2参照)。
【0058】
磁性体層の積層体は、ダイシング機やレーザ加工機等の切断機(図示略)を用いて、部品本体サイズに切断される。得られた部品チップは、焼成炉等の加熱処理機(図示略)を用いて、大気等の酸化性雰囲気中で加熱処理される。この加熱処理は、脱脂プロセスと酸化物膜形成プロセスとを含み、脱脂プロセスは約300℃、約1時間の条件で実施され、酸化物膜形成プロセスは約700℃、約2時間の条件で実施される。
【0059】
脱脂プロセスに続く酸化物膜形成プロセスでは、加熱処理前の磁性体内のFeCrSi合金粒子が密集して磁性体部12(
図1、
図2参照)が作製されると同時に、FeCrSi合金粒子それぞれの表面に当該粒子の酸化物膜が形成される。また、加熱処理前のコイル部内のAg粒子群が焼結してコイル部13(
図1、
図2参照)が作製されるとともに、各磁性体層ML1〜ML4の磁性パターン部M1〜M4が一体化して共通の磁性パターン部M(
図3参照)が作製される。これにより部品本体11が作製される。
【0060】
続いて、ディップ塗布機やローラ塗布機等の塗布機(図示略)を用いて、予め用意した導体ペーストを部品本体11の長さ方向両端部に塗布し、これを焼成炉等の加熱処理機(図示略)を用いて、約650℃、約20分の条件で焼付け処理を行い、当該焼付け処理によって溶剤及びバインダの消失とAg粒子群の焼結を行って、外部電極14,15(
図1、
図2参照)を作製する。最後に、めっきを行う。めっきは、一般的な電気めっきにより行われ、NiとSnの金属膜が、先にAg粒子群を焼結して形成された外部電極14,15に付けられる。これによりコイル部品10が作製される。
【0061】
なお、磁性体層ML1〜ML4は、ビルドアップ工法により順次積層されてもよい。この場合、最初に磁性体層ML4が支持シート上に作製され、その上に、磁性体層ML3、磁性体層ML2及び磁性体層ML1が順次作製される。磁性体層ML4の支持シートSとして、下カバー層を構成する磁性体層MLDが用いられてもよい。
【0062】
以上のように構成される本実施形態のコイル部品10においては、Z軸方向に対向する複数の周回部C1〜C4間に配置される絶縁体部IS1〜IS3が電気絶縁性粒子で構成された単一の層で構成されているため、周回部C1〜C4間の電気的絶縁を確保しつつ、部品全体の薄型化を実現することが可能となる。
【0063】
また、本実施形態のコイル部品10においては、絶縁体部IS1〜IS3が周回部C1〜C4の少なくとも一部に対向する周回形状を有するため、当該周回形状の内周側及び外周側の領域が磁性体部12(磁性パターン部M1〜M4)を構成する合金磁性粒子で構成することが可能となる。これによりコイル部品10の所望とする磁気特性を確保することができる。
【0064】
本実施形態によれば、絶縁体部IS1〜IS3の厚み寸法が周回部C1〜C4の厚み寸法よりも小さいため、周回部C1〜C4間の狭ピッチ化が可能となり、部品の更なる薄型化を図ることができる。
【0065】
また、絶縁体部IS1〜IS3を構成する電気絶縁性粒子として平均粒径が1μm以下の合金磁性粒子を用いることにより、絶縁体部IS1〜IS3の電気的絶縁特性が向上し、周回部C1〜C4間の絶縁耐圧の向上あるいは周回部C1〜C4間の更なる狭ピッチ化、ひいては部品の薄型化を図ることができる。
【0066】
さらに磁性体部12は、絶縁体部IS1〜IS3を構成する合金磁性粒子よりも平均粒径が大きい合金磁性粒子で構成されているため、磁性体部12の磁気特性の向上を図ることができる。あるいは、磁性体部12の磁気特性の向上により、上下のカバー層を構成する磁性体層MLU,MLDの厚みを薄くして、部品のさらなる薄型化を図ることができる。
【実施例】
【0067】
続いて、本発明の実施例について説明する。
【0068】
(実施例1)
以下の条件で、
図3(又は
図8)に示すコイル部品を作製した。
・磁性体部
大きさ:長さ1000μm、幅500μm、高さ499μm
合金磁性粒子:FeSiCr(3.5Si4.5Cr)、平均粒径3μm
・導体部(周回部)
ターン数:13.5(16層)
厚み:9.0μm
幅(Wc):140μm
・絶縁体部
構成粒子:合金磁性粒子(FeSiCr(3.5Si4.5Cr))、平均粒径3μm
厚み13μm
幅(Ws):218μm
幅差(Ws−Wc):78μm
【0069】
平均粒径は、体積基準の粒子径として見た場合の平均粒径(メディアン径)であって、例えば、レーザ回折式粒度分布測定法で測定した粒度分布の積算%が50%の値(D50)を意味する。
【0070】
続いて、インパルス試験機を用いて、作製したコイル部品の耐電圧を測定した。測定条件としては、パルス幅を1.5μsecとし、20個の試料すべてがクリアできる電圧を評価した。その結果、50Vであった。
【0071】
(実施例2)
磁性体部の高さを472μm、合金磁性粒子の平均粒径を2μmとし、導体部の厚みを12μmとし、絶縁体部の構成粒子の平均粒径を2μm、厚みを8μm、幅(Ws)を185μm(幅差45μm)とした以外は、実施例1と同一の条件でコイル部品を作製した。作製したコイル部品の耐電圧を実施例1と同一の条件で測定したところ、50Vであった。
【0072】
(実施例3)
磁性体部の高さを474μm、合金磁性粒子の平均粒径を1.5μmとし、導体部の厚みを14μmとし、絶縁体部の構成粒子の平均粒径を1.5μm、厚みを6μm、幅を170μm(幅差30μm)とした以外は、実施例1と同一の条件でコイル部品を作製した。作製したコイル部品の耐電圧を実施例1と同一の条件で測定したところ、50Vであった。
【0073】
(実施例4)
磁性体部の高さを429μm、合金磁性粒子の平均粒径を1μmとし、導体部の厚みを14μmとし、絶縁体部の構成粒子の平均粒径を1μm、厚みを3μm、幅を155μm(幅差15μm)とした以外は、実施例1と同一の条件でコイル部品を作製した。作製したコイル部品の耐電圧を実施例1と同一の条件で測定したところ、50Vであった。
【0074】
(実施例5)
磁性体部の高さを405μm、合金磁性粒子の平均粒径を5μmとし、導体部の厚みを14μmとし、絶縁体部の構成粒子の平均粒径を1μm、厚みを3μm、幅を155μm(幅差15μm)とした以外は、実施例1と同一の条件でコイル部品を作製した。作製したコイル部品の耐電圧を実施例1と同一の条件で測定したところ、50Vであった。
【0075】
(実施例6)
磁性体部の高さを382.5μm、合金磁性粒子の平均粒径を5μmとし、導体部の厚みを14μmとし、絶縁体部の構成粒子をシリカ粒子(平均粒径0.5μm)、厚みを1.5μm、幅を150μm(幅差10μm)とした以外は、実施例1と同一の条件でコイル部品を作製した。作製したコイル部品の耐電圧を実施例1と同一の条件で測定したところ、50Vであった。
【0076】
(実施例7)
磁性体部の高さを382.5μm、合金磁性粒子の平均粒径を5μmとし、導体部の厚みを14μmとし、絶縁体部の構成粒子をシリカ粒子(平均粒径0.05μm)、厚みを1.5μm、幅を170μm(比率21%)とした以外は、実施例1と同一の条件でコイル部品を作製した。作製したコイル部品の耐電圧を実施例1と同一の条件で測定したところ、50Vであった。
【0077】
(実施例8)
磁性体部の高さを494μm、合金磁性粒子の平均粒径を5μmとし、導体部の厚みを4μmとし、絶縁体部の構成粒子の平均粒径を5μm、厚みを18μm、幅を140μm(幅差0)とした以外は、実施例1と同一の条件でコイル部品を作製した。作製したコイル部品の耐電圧を実施例1と同一の条件で測定したところ、25Vであった。
【0078】
実施例1〜8の作製条件及び耐電圧を表1にまとめて示す。
【0079】
【表1】
【0080】
表1に示すように、実施例1〜8について概ね25V以上の耐電圧が得られることが確認された。特に、絶縁体部の構成粒子の平均粒径が3μm以下である実施例1〜7については、当該平均粒径が5μmである実施例8と比較して、絶縁体部の厚みが小さいにもかかわらず耐電圧が高いことが確認された。これは、絶縁体部の構成粒子の平均粒径が小さいほど平滑性が高くなり、厚みの均一性が得られるためであると推認される。
【0081】
さらに、実施例1〜7は実施例8と比較して導体部の厚みが大きいため、実施例8よりも低抵抗なコイル部品を作製することができる。実施例8の導体部の直流抵抗に対する実施例1〜7のそれの比を測定したところ、表1に示すような結果が得られた。
【0082】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。
【0083】
例えば以上の実施形態では、外部電極14,15は、部品本体11の長辺方向に対向する2つの端面に設けられたが、これに限られず、部品本体11の短辺方向に対向する2つの側面に設けられてもよい。