特開 2017-34227 コイル電子部品及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2017-34227(P2017-34227A)

(43)【公開日】2017年2月9日

(54)【発明の名称】コイル電子部品及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01F 17/04 20060101AFI20170120BHJP

   H01F 17/00 20060101ALI20170120BHJP

   H01F 41/04 20060101ALI20170120BHJP

【ＦＩ】

   H01F17/04 A

   H01F17/00 B

   H01F41/04 C

【審査請求】有

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】16

(21)【出願番号】特願2016-95327(P2016-95327)

(22)【出願日】2016年5月11日

(31)【優先権主張番号】10-2015-0108683

(32)【優先日】2015年7月31日

(33)【優先権主張国】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】龍華国際特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】チョイ、ウーン チュル

(72)【発明者】

【氏名】ジュン、ジュン ヒュク

(72)【発明者】

【氏名】リー、ウー ジン

(72)【発明者】

【氏名】リュ、ハン ウール

【テーマコード（参考）】

5E062

5E070

【Ｆターム（参考）】

5E062DD01

5E070AA01

5E070AB01

5E070BA12

5E070CB02

5E070CB06

5E070CB12

5E070CB15

5E070DA13

5E070EA01

(57)【要約】      （修正有）

【課題】コイル部の厚さを均一にし、より低い直流抵抗を実現するコイル電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁性体本体５０は、基板２０と、基板２０の少なくとも一面上に配置されパターニングされた絶縁膜３０及びパターニングされた絶縁膜３０の間にめっきで形成されためっき層６１を含むコイル部４１、４２と、を含む。めっき層６１は基板２０の一面に平行に測定された幅に比べて厚さが同一であるか、またはより大きい。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

磁性体本体を含み、
前記磁性体本体は、基板と、前記基板の少なくとも一面上に配置されパターニングされた絶縁膜、及び前記パターニングされた絶縁膜の間にめっきで形成されためっき層を含むコイル部と、を含み、前記めっき層は前記基板の一面に平行に測定された幅に比べて厚さが同一であるか、またはより大きい、コイル電子部品。

【請求項2】

前記磁性体本体は、前記絶縁膜及びめっき層の上部に配置されたカバー絶縁層をさらに含み、
前記カバー絶縁層は前記絶縁膜と異なる材料からなる、請求項１に記載のコイル電子部品。

【請求項3】

前記めっき層は１回のめっきで形成される、請求項１または２に記載のコイル電子部品。

【請求項4】

前記めっき層は、前記基板の表面から垂直で測定された厚さＴｐが２００μｍ以上であり、前記めっき層の断面において前記めっき層の幅Ｗｐに対する厚さＴｐの比であるアスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ）が１．０以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のコイル電子部品。

【請求項5】

前記絶縁膜の幅は１μｍ〜２０μｍである、請求項１〜４のいずれか一項に記載のコイル電子部品。

【請求項6】

前記めっき層の上部に異方めっき層がさらに配置される、請求項１〜５のいずれか一項に記載のコイル電子部品。

【請求項7】

基板上にベース導体層をパターニングする段階と、
前記ベース導体層が露出するように絶縁膜をパターニングする段階と、
前記パターニングされた絶縁膜の間に前記ベース導体層を基礎にめっきを行ってめっき層を形成する段階と、
形成された基板の上部及び下部に磁性体シートを積層して磁性体本体を形成する段階と、を含む、コイル電子部品の製造方法。

【請求項8】

前記磁性体本体を形成する段階の前に、前記絶縁膜及びめっき層の上部に前記絶縁膜と異なる材料でカバー絶縁層を形成する段階をさらに含む、請求項７に記載のコイル電子部品の製造方法。

【請求項9】

前記めっき層を形成する段階は１回のめっきで行われる、請求項７または８に記載のコイル電子部品の製造方法。

【請求項10】

前記めっき層は、前記基板の表面から垂直で測定された厚さＴｐが２００μｍ以上であり、前記めっき層の断面において前記めっき層の幅Ｗｐに対する厚さＴｐの比であるアスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ）が１．０以上である、請求項７〜９のいずれか一項に記載のコイル電子部品の製造方法。

【請求項11】

前記絶縁膜の幅は１μｍ〜２０μｍである、請求項７〜１０のいずれか一項に記載のコイル電子部品の製造方法。

【請求項12】

前記めっき層は前記パターニングされた絶縁膜の間に等方めっき法で形成される、請求項７〜１１のいずれか一項に記載のコイル電子部品の製造方法。

【請求項13】

前記めっき層を形成する段階の後に、前記めっき層の上部に異方めっきを行って異方めっき層を形成する段階をさらに含む、請求項１２に記載のコイル電子部品の製造方法。

【請求項14】

基板の一面上に絶縁膜を形成し、且つ前記絶縁膜にコイルパターンをパターニングし、前記パターニングされた絶縁膜の厚さを前記パターニングされた絶縁膜の間の空間より大きいか、または同一にする段階と、
前記パターニングされた絶縁膜の間にめっき層を形成する段階と、を含む、コイル電子部品の製造方法。

【請求項15】

前記基板の表面から垂直で測定された前記絶縁膜の厚さをＴｐ、前記基板の一面に平行に測定された絶縁膜の幅をＷｉとすると、絶縁膜の幅Ｗｉに対する厚さＴｐのアスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ、Ｔｐ／Ｗｉ）が１０以上である、請求項１４に記載のコイル電子部品の製造方法。

【請求項16】

前記絶縁膜の厚さＴｐは２００μｍ以上であり、前記絶縁膜の幅Ｗｉは１〜２０μｍである、請求項１５に記載のコイル電子部品の製造方法。

【請求項17】

前記めっき層は、前記基板の表面から垂直で測定された厚さＴｐが２００μｍ以上であり、前記めっき層の断面において前記めっき層の幅Ｗｐに対する厚さＴｐの比であるアスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ、Ｔｐ／Ｗｐ）が１．０以上である、請求項１４〜１６のいずれか一項に記載のコイル電子部品の製造方法。

【請求項18】

前記めっき層は１回のめっきで２００μｍ以上の厚さで形成される、請求項１４〜１７のいずれか一項に記載のコイル電子部品の製造方法。

【請求項19】

前記めっき層は等方めっき法で形成される、請求項１４〜１８のいずれか一項に記載のコイル電子部品の製造方法。

【請求項20】

前記絶縁膜を形成する段階は、基板の両面に形成し、且つ前記絶縁膜にコイルパターンをパターニングし、前記パターニングされた絶縁膜の厚さを前記パターニングされた絶縁膜の間の空間より大きいか、または同一にする段階と、
前記基板の両面に形成されパターニングされた絶縁膜の間にめっき層を形成する段階と、
前記基板を貫通するようにビアを形成して基板の両面にそれぞれ形成されためっき層を互いに電気的に連結する段階と、を含む、請求項１４〜１９のいずれか一項に記載のコイル電子部品の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、コイル電子部品及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

チップ電子部品のうちの一つであるインダクタ（Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）は、抵抗、キャパシタとともに電子回路を成してノイズ（Ｎｏｉｓｅ）を除去する代表的な受動素子である。

【0003】

薄膜型インダクタは、めっきで内部コイル部を形成した後、磁性体粉末と樹脂を混合させた磁性体粉末−樹脂複合体を硬化して磁性体本体を製造し、磁性体本体の外側に外部電極を形成して製造する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００６−２７８４７９号公報

【特許文献2】特開平１０−２４１９８３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明は、コイル部の厚さの差異を均一にすることにより低い直流抵抗（Ｒｄｃ）を実現することができるコイル電子部品及びその製造方法に関するものである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一実施形態は、磁性体本体を含み、上記磁性体本体は、基板と、上記基板の少なくとも一面上に配置されパターニングされた絶縁膜、及び上記パターニングされた絶縁膜の間にめっきで形成されためっき層を含むコイル部と、を含み、上記めっき層は上記基板の一面に平行に測定された幅に比べて厚さが同一であるか、またはより大きいコイル電子部品を提供する。

【0007】

本発明の他の実施形態は、基板上にベース導体層をパターニングする段階と、上記ベース導体層が露出するように絶縁膜をパターニングする段階と、上記パターニングされた絶縁膜の間に上記ベース導体層を基礎にめっきを行ってめっき層を形成する段階と、形成された基板の上部及び下部に磁性体シートを積層して磁性体本体を形成する段階と、を含むコイル電子部品の製造方法を提供する。

【発明の効果】

【0008】

本発明の一実施形態によると、コイル部が曲がらずに真っ直ぐ形成されて、コイルパターン間のスペース内に絶縁層が形成されないという不良を減少させることができる。

【0009】

本発明の一実施形態によると、外側のコイルパターンと内側のコイルパターンとの厚さの差異を均一にすることにより、内部コイル部の断面積を増加させ、直流抵抗（Ｒｄｃ）特性を向上させることができる。

【0010】

また、コイル部上に異方めっき層を追加する場合、さらに大きいアスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ、ＡＲ）を有する構造を実現することができるため、直流抵抗（Ｒｄｃ）特性がさらに向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の一実施形態によるコイル電子部品の内部コイル部が現れるように示す概略斜視図である。

【図2】図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面図である。

【図3】図２の「Ａ」部分の一実施形態を拡大して示す概略図である。

【図4】図２の「Ａ」部分の他の実施形態を拡大して示す概略図である。

【図5a】本発明の一実施形態によるコイル電子部品の製造方法を順に示す図面である。

【図5b】本発明の一実施形態によるコイル電子部品の製造方法を順に示す図面である。

【図5c】本発明の一実施形態によるコイル電子部品の製造方法を順に示す図面である。

【図5d】本発明の一実施形態によるコイル電子部品の製造方法を順に示す図面である。

【図5e】本発明の一実施形態によるコイル電子部品の製造方法を順に示す図面である。

【図5f】本発明の一実施形態によるコイル電子部品の製造方法を順に示す図面である。

【図6】本発明の一実施形態による磁性体本体を形成する工程を示す図面である。

【図7】図１のコイル電子部品が印刷回路基板に実装された形状を示す斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがあり、図面上において同一の符号で示される要素は同一の要素である。

【0013】

また、本発明を明確に説明すべく、図面において説明と関係ない部分は省略し、多様の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示し、同一思想の範囲内において機能が同一である構成要素に対しては同一の参照符号を用いて説明する。

【0014】

なお、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というのは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0015】

コイル電子部品
図１は本発明の一実施形態によるコイル電子部品の内部コイル部が現れるように示す概略斜視図である。

【0016】

図１を参照すると、コイル電子部品１００の一例として、電源供給回路の電源ラインに用いられる薄膜型インダクタが開示される。

【0017】

本発明の一実施形態によるコイル電子部品１００は、磁性体本体５０と、上記磁性体本体５０の内部に埋設されたコイル部４１、４２と、上記磁性体本体５０の外側に配置されて上記コイル部４１、４２と電気的に連結された第１及び第２外部電極８１、８２と、を含む。

【0018】

本発明の一実施形態によるコイル電子部品１００において、「長さ」方向は図１の「Ｌ」方向、「幅」方向は「Ｗ」方向、「厚さ」方向は「Ｔ」方向と定義する。

【0019】

上記磁性体本体５０は、コイル電子部品１００の外観を成し、磁気特性を示す材料であれば制限されず、例えば、フェライトまたは金属磁性体粉末が充填されて形成されることができる。

【0020】

上記フェライトは、例えば、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｂａ系フェライトまたはＬｉ系フェライトなどであってよい。

【0021】

上記金属磁性体粉末は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ及びＮｉからなる群より選択されたいずれか一つ以上を含むことができ、例えば、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｒ系非晶質金属であることができるが、必ずしもこれに制限されない。

【0022】

上記金属磁性体粉末の粒径は０．１μｍ〜３０μｍであってよく、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂またはポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの熱硬化性樹脂に分散された形態で含まれることができる。

【0023】

上記磁性体本体５０の内部に配置された基板２０の一面にはコイル形状の第１コイル部４１が形成され、上記基板２０の一面と対向する他面にはコイル形状の第２コイル部４２が形成される。

【0024】

上記第１及び第２コイル部４１、４２は電気めっきを行って形成することができる。

【0025】

上記基板２０は、例えば、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）基板、フェライト基板または金属系軟磁性基板などで形成される。

【0026】

上記基板２０の中央部は貫通されて孔を形成し、上記孔は磁性材料で充填されてコア部５５を形成する。磁性材料で充填されるコア部５５を形成することによりインダクタンス（Ｌｓ）を向上させることができる。

【0027】

上記第１及び第２コイル部４１、４２は、スパイラル（ｓｐｉｒａｌ）状に形成されることができ、上記基板２０の一面と他面に形成された第１及び第２コイル部４１、４２は上記基板２０を貫通して形成されるビア４５を通じて電気的に接続される。

【0028】

上記第１及び第２コイル部４１、４２とビア４５は、電気伝導性に優れた金属を含んで形成されることができ、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）またはこれらの合金などで形成されることができる。

【0029】

インダクタの主な特性の一つである直流抵抗（Ｒｄｃ）は、内部コイル部の断面積が大きいほど低くなる。また、インダクタのインダクタンスは磁束が通過する磁性体の面積が大きいほど高くなる。

【0030】

したがって、直流抵抗（Ｒｄｃ）を減らし、インダクタンスを向上させるためには、内部コイル部の断面積を増加させ、磁性体面積を増加させる必要である。

【0031】

内部コイル部の断面積を増加させるための方法には、コイルの幅を増加させる方法及びコイルの厚さを増加させる方法がある。

【0032】

しかし、コイルの幅を増加させる場合、隣接したコイル間にショート（ｓｈｏｒｔ）が発生するおそれが非常に大きくなり、実現できるコイルのターン数に限界が生じ、磁性体面積の縮小につながって効率が低下し、高容量製品の実現に限界がある。

【0033】

これにより、コイルの幅に対するコイルの厚さを増加させて高いアスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ、ＡＲ）を有する構造の内部コイル部が求められている。

【0034】

内部コイル部のアスペクト比（ＡＲ）とは、コイルの厚さをコイルの幅で分けた値を意味し、コイルの幅の増加量よりコイルの厚さの増加量が大きいほど高いアスペクト比（ＡＲ）を実現することができる。

【0035】

しかし、従来では、めっきレジストを露光及び現像工程を通じてパターニングしてめっきするパターンめっき法を行ってコイル部を形成する場合、コイルの厚さを厚く形成するためにめっきレジストの厚さを厚く形成しなければならず、めっきレジストの厚さを厚くするほどめっきレジストの下部の露光が円滑でなくなり露光工程に限界があるためコイルの厚さの増加が困難であった。

【0036】

また、厚いめっきレジストがその形態を維持するためには一定の幅以上を有する必要があるが、めっきレジストを除去した後のめっきレジストの幅が隣接したコイル間の間隔になるため、隣接したコイル間の間隔が広くなって直流抵抗（Ｒｄｃ）及びインダクタンス（Ｌｓ）の特性向上に限界があった。

【0037】

一方、先行技術文献の特許文献２には、レジスト膜の厚さによる露光の限界を解決するために露光及び現像して第１レジストパターンを形成した後、第１めっき導体パターンを形成し、第１レジストパターン上に再び露光及び現像して第２レジストパターンを形成した後、第２めっき導体パターンを形成する工程が開示されている。

【0038】

しかし、特許文献２のようにパターンめっき法だけを行って内部コイル部を形成する場合、内部コイル部の断面積を増加させるのに限界があり、隣接したコイル間の間隔が広くなって直流抵抗（Ｒｄｃ）及びインダクタンス（Ｌｓ）の特性向上が困難である。

【0039】

また、一般に、高いアスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ、ＡＲ）を有する構造のコイル部を形成するために等方性めっきによるめっき層上に異方性めっきを追加してこれを実現する方法が試された。

【0040】

このような異方性めっき方式は、シードパターンを形成した後で求められるコイルの残りの高さを異方めっきで実現するもので、上記方式による場合、コイルの形状が扇形状であるため均一性が落ち、その結果、直流抵抗（Ｒｄｃ）の散布に影響を及ぼす。

【0041】

また、このような方式による場合、コイルの形状が曲がるようになるため、コイルパターンへの絶縁層の形成が容易ではなく、これにより、コイルパターン間の空間に未絶縁が発生して不良を誘発しかねない。

【0042】

よって、本発明の一実施形態は、厚さの散布が少ない等方めっきだけでも高いアスペクト比（ＡＲ）を得ることができるコイル部の構造を実現することができるようにした。

【0043】

図２は図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面図である。

【0044】

図２を参照すると、本発明の一実施形態によるコイル電子部品は、磁性体本体５０を含み、上記磁性体本体５０は、基板２０と、上記基板２０上に配置されパターニングされた絶縁膜３０、及び上記パターニングされた絶縁膜３０の間にめっきで形成されためっき層６１を含むコイル部４１、４２と、を含む。

【0045】

上記めっき層６１は、厚さの散布が少ない等方めっきで形成され、１回のめっきで形成されることができる。

【0046】

上記めっき層６１が１回のめっきで形成されるため、２回以上のめっきで形成する際に現れる少なくとも一つの内部界面、即ち、めっき層を２層以上で区画する少なくとも一つの内部界面が現れない。

【0047】

上記内部界面は、コイル電子部品において直流抵抗（Ｒｄｃ）特性及び電気的特性の低下をもたらす可能性がある。

【0048】

したがって、本発明の一実施形態によると、上記めっき層６１が１回のめっきで形成されるため直流抵抗（Ｒｄｃ）特性及び電気的特性が向上することができる。

【0049】

但し、上記めっき層６１は、これに制限されず、多様なめっき層で構成されることもできる。

【0050】

上記めっき層６１は厚さの散布が少ない等方めっきで形成される。ここで、等方めっきとは、めっき層の幅と厚さがともに成長するめっき方法を意味し、幅方向と厚さ方向にめっきが成長する速度が異なる異方めっき方法と対比される技術である。

【0051】

また、上記めっき層６１は、パターニングされた絶縁膜３０の間に等方めっきで形成されるため、その形状が長方形であってよいが、工程偏差によって多少の変形はあり得る。

【0052】

上記めっき層６１の形状が長方形であることから、コイル部の断面積が増加し、磁性体面積が増加することができるため、直流抵抗（Ｒｄｃ）を減らし、インダクタンスを向上させることができる。

【0053】

また、コイル部の幅に対する厚さを増加させて高いアスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ、ＡＲ）を有する構造を実現することができるため、コイル部の断面積を増加させ、直流抵抗（Ｒｄｃ）特性を向上させることができる。

【0054】

本発明の一実施形態によると、上記磁性体本体５０は、基板２０上に配置されパターニングされた絶縁膜３０を含む。

【0055】

一般的なコイル電子部品の場合、コイル部を基板上に形成した後、コイル部を覆うように絶縁膜を形成した。

【0056】

しかし、本発明の一実施形態によると、コイル部の厚さの差異を均一にして低い直流抵抗（Ｒｄｃ）を実現し、コイル部が曲がらずに真っ直ぐ形成されてコイルパターン間のスペース内に絶縁層が形成されないという不良を減少させるために、めっき層６１を形成する前に基板２０上に絶縁膜３０をパターニングする。

【0057】

具体的には、上記絶縁膜３０が狭い幅と大きい厚さを有するようにパターニングし、パターニングされた絶縁膜３０の間を等方めっき処理することにより、高いアスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ、ＡＲ）を有するめっき層６１を実現することができる。

【0058】

上記絶縁膜３０は、感光性絶縁膜であり、例えば、エポキシ系の材料であってよいが、必ずしもこれに制限されない。

【0059】

また、上記絶縁膜３０は、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｉｓｔ、ＰＲ）の露光、現像を通じた工程で形成することができる。

【0060】

上記コイル部４１、４２を構成するめっき層６１は、パターニングされた絶縁膜３０によって磁性体本体５０を成す磁性材料と直接接触しなくてよい。

【0061】

本発明の一実施形態による上記パターニングされた絶縁膜３０、及びその間に配置されるめっき層６１を形成する具体的な工程については後述する。

【0062】

本発明の一実施形態によると、上記磁性体本体５０は、上記絶縁膜３０及びめっき層６１の上部に配置されたカバー絶縁層３１をさらに含むことができる。

【0063】

上記カバー絶縁層３１は上記絶縁膜３０と異なる材料であってよい。

【0064】

また、上記カバー絶縁層３１は、パターニングされた絶縁膜３０及びその間のめっき層６１を配置した後、上記絶縁膜３０及びめっき層６１の上部に形成するため、上記絶縁膜３０とは互いに異なる材料及び形状で絶縁膜３０及びめっき層６１と境界が形成されて区分される。

【0065】

上記基板２０の一面に形成された第１コイル部４１の一端部は磁性体本体５０の長さ（Ｌ）方向の一端面に露出し、基板２０の他面に形成された第２コイル部４２の他端部は磁性体本体５０の長さ（Ｌ）方向の他端面に露出する。

【0066】

但し、必ずしもこれに制限されず、上記第１及び第２コイル部４１、４２のそれぞれの一端部は上記磁性体本体５０の少なくとも一面に露出することができる。

【0067】

上記磁性体本体５０の端面に露出する上記第１及び第２コイル部４１、４２のそれぞれと接続されるように上記磁性体本体５０の外側に第１及び第２外部電極８１、８２が形成される。

【0068】

図３は図２の「Ａ」部分の一実施形態を拡大して示す概略図である。

【0069】

図３を参照すると、本発明の一実施形態によるコイル部４１は、基板２０上に配置されたベース導体層２５、基板２０上に配置され、上記ベース導体層２５の間にパターニングされた絶縁膜３０、上記パターニングされた絶縁膜３０の間にベース導体層２５を基礎にその上部にめっきで形成されためっき層６１、及び上記絶縁膜３０及びめっき層６１の上部に配置されたカバー絶縁層３１で構成される。

【0070】

上記ベース導体層２５は、上記基板２０上に無電解めっきまたはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工法を行った後、レジストパターンを形成し、エッチング及びレジスト剥離工程を通じて形成されることができる。

【0071】

上記ベース導体層２５の幅は、１０μｍ〜３０μｍであってよいが、必ずしもこれに制限されない。

【0072】

上記絶縁膜３０の幅は、１μｍ〜２０μｍであってよく、厚さは特に制限されず、等方めっきによって形成されるめっき層６１の必要な厚さに応じて決定されることができる。

【0073】

上記絶縁膜３０を形成する方法は、特に制限されず、一般的な回路形成工法によって行われることができる。

【0074】

上記めっき層６１は、厚さＴｐが２００μｍ以上であり、アスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ）（Ｔｐ／Ｗｐ）が１．０以上であることができる。

【0075】

上記めっき層６１を厚さＴｐが２００μｍ以上であり、アスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ）（Ｔｐ／Ｗｐ）が１．０以上になるように形成することにより、高いアスペクト比（ＡＲ）を有する内部コイル部４１、４２を実現することができる。

【0076】

パターニングされた絶縁膜３０の間に上記めっき層６１を等方めっき方法によって形成することにより、めっきレジストの厚さによる露光の限界を克服し、めっき層６１の全体の厚さＴｐを２００μｍ以上に実現することができる。

【0077】

また、上記めっき層６１のアスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ）（Ｔｐ／Ｗｐ）は１．０以上であってよいが、本発明の一実施形態において、上記めっき層６１の幅は上記ベース導体層２５の幅と類似するため３．０以上の高いアスペクト比を実現することができる。

【0078】

このように、本発明の一実施形態によると、パターニングされた絶縁膜３０の間にベース導体層２５を基礎にその上部に等方めっきでめっき層６１を形成するため、コイル部が曲がらずに真っ直ぐ形成されて、コイルパターン間のスペース内に絶縁層が形成されないという不良を減少させることができる。

【0079】

また、外側のコイルパターンと内側のコイルパターンとの厚さの差異を均一にすることができるため、内部コイル部の断面積を増加させ、直流抵抗（Ｒｄｃ）特性を向上させることができる。

【0080】

図４は図２の「Ａ」部分の他の実施形態を拡大して示す概略図である。

【0081】

図４を参照すると、本発明の他の実施形態によるコイル部４１は、基板２０上に配置されたベース導体層２５、基板２０上に配置され、上記ベース導体層２５の間にパターニングされた絶縁膜３０、上記パターニングされた絶縁膜３０の間にベース導体層２５を基礎にその上部にめっきで形成されためっき層６１、上記めっき層の上部に配置された異方めっき層６２、及び上記絶縁膜３０及び異方めっき層６２の上部に配置されたカバー絶縁層３１で構成される。

【0082】

上記めっき層６１は幅方向の成長程度と厚さ方向の成長程度が類似した等方めっき層であり、上記異方めっき層６２は幅方向の成長が抑えられ、厚さ方向の成長程度が遥かに大きい形状のめっき層である。

【0083】

上記異方めっき層６２は上記めっき層６１の上面上に形成される。

【0084】

このように、等方めっき層であるめっき層６１上に異方めっき層６２をさらに形成することにより、さらに高いアスペクト比（ＡＲ）を有する内部コイル部４１、４２を実現することができ、直流抵抗（Ｒｄｃ）特性をさらに向上させることができる。

【0085】

上記異方めっき層６２は、電流密度、めっき液の濃度、めっき速度などを調節して形成することができる。

【0086】

上記絶縁膜３０及び異方めっき層６２の上部に配置されたカバー絶縁層３１は、上記異方めっき層６２の上部の形状が円形または曲面状を有することにより異方めっき層６２の表面形状に沿って形成されることができる。

【0087】

上記カバー絶縁層３１の形成方法は、化学蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）または低粘度の高分子コーティング液を用いてディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）法などで形成されることができるが、必ずしもこれに制限されない。

【0088】

コイル電子部品の製造方法
図５ａから図５ｆは本発明の一実施形態によるコイル電子部品の製造方法を順に示す図面である。

【0089】

図５ａから図５ｃを参照すると、基板２０を設け、上記基板２０上にベース導体層２５をパターニングする。

【0090】

上記基板２０にビア孔（図示せず）を形成することができ、ビア孔は機械ドリルまたはレーザードリルを用いて形成することができるが、必ずしもこれに制限されない。

【0091】

上記レーザードリルは、例えば、ＣＯ_２レーザーまたはＹＡＧレーザーであってよい。

【0092】

具体的には、図５ａを参照すると、上記ベース導体層２５は上記基板２０上に無電解めっきまたはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工法を行って形成した後、レジストパターン７１を形成する。

【0093】

図５ｂを参照すると、上記ベース導体層２５をパターニングするためにエッチング工程が行われる。

【0094】

次に、図５ｃのように、レジストパターン７１を剥離する工程を通じてパターン化されたベース導体層２５を基板２０上に形成することができる。

【0095】

上記ベース導体層２５の幅は、１０μｍ〜３０μｍであってよいが、必ずしもこれに制限されない。

【0096】

続いて、図５ｄを参照すると、基板２０上にパターニングされた絶縁膜３０を形成することができる。

【0097】

上記絶縁膜３０は、パターニングされたベース導体層２５の間の露出した基板２０上に形成されることによりパターニングされることができる。

【0098】

上記絶縁膜３０の幅は、１μｍ〜２０μｍであってよく、厚さは特に制限されず、等方めっきによって形成されるめっき層６１の必要な厚さによって決定されることができる。

【0099】

上記絶縁膜３０を形成する方法は、特に制限されず、一般的な回路形成工法によって行われることができる。

【0100】

また、上記絶縁膜３０は、感光性絶縁膜であり、例えば、エポキシ系の材料であってよいが、必ずしもこれに制限されない。

【0101】

なお、上記絶縁膜３０は、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｉｓｔ、ＰＲ）の露光、現像を通じた工程で形成することができる。

【0102】

次の工程で形成されるコイル部４１、４２を構成するめっき層６１は、パターニングされた絶縁膜３０によって磁性体本体５０を成す磁性材料と直接接触しなくてよい。

【0103】

上記絶縁膜３０は、厚さが２００μｍ以上であるめっき層６１を形成するための等方めっきのダムの役割を行うため、実際のその厚さは２００μｍ以上で形成される。

【0104】

図５ｅを参照すると、上記パターニングされた絶縁膜３０の間に等方めっき方法によってめっき層６１を形成する。

【0105】

上記めっき層６１は、厚さが２００μｍ以上であり、アスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ）（Ｔｐ／Ｗｐ）が１．０以上であることができる。

【0106】

上記めっき層６１を厚さＴｐが２００μｍ以上であり、アスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ）（Ｔｐ／Ｗｐ）が１．０以上になるように形成することにより、高いアスペクト比（ＡＲ）を有する内部コイル部４１、４２を実現することができる。

【0107】

上記めっき層６１をパターニングされた絶縁膜３０の間に等方めっき方法によって形成することにより、めっきレジストの厚さによる露光の限界を克服し、めっき層６１の全体の厚さＴｐを２００μｍ以上に実現することができる。

【0108】

図５ｆを参照すると、上記絶縁膜３０及びめっき層６１の上部にカバー絶縁層３１を形成することができる。

【0109】

上記カバー絶縁層３１は上記絶縁膜３０と異なる材料であってよい。

【0110】

また、上記カバー絶縁層３１は、パターニングされた絶縁膜３０及びその間にめっき層６１を配置した後、上記絶縁膜３０及びめっき層６１の上部に形成するため、上記絶縁膜３０とは互いに異なる材料及び形状であり、絶縁膜３０及びめっき層６１と境界が形成されて区分される。

【0111】

上記カバー絶縁層３１は、スクリーン印刷法、スプレー（ｓｐｒａｙ）塗布工程などの方法、化学蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）または低粘度の高分子コーティング液を用いてディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）法で形成することができるが、必ずしもこれに制限されない。

【0112】

図５ａから図５ｆにはベース導体層２５が開示されているが、その幅が図面と同一ではなく、実際はさらに小さくてよい。

【0113】

図６は本発明の一実施形態による磁性体本体を形成する工程を示す図面である。

【0114】

図６を参照すると、上記第１及び第２内部コイル部４１、４２が形成された基板２０の上部及び下部に磁性体シート５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ、５１ｅ、５１ｆを積層する。

【0115】

上記磁性体シート５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ、５１ｅ、５１ｆは、磁性材料、例えば、金属磁性体粉末や熱硬化性樹脂などの有機物を混合してスラリーを製造し、上記スラリーをドクターブレード法でキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥してシート（ｓｈｅｅｔ）状に製作することができる。

【0116】

複数の磁性体シート５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ、５１ｅ、５１ｆを積層した後、ラミネート法または静水圧プレス法を通じて圧着及び硬化して磁性体本体５０を形成する。

【0117】

上記説明を除き、上述の本発明の一実施形態によるコイル電子部品の特徴と重複する説明はここでは省略する。

【0118】

コイル電子部品の実装基板
図７は図１のコイル電子部品が印刷回路基板に実装された形状を示す斜視図である。

【0119】

本発明の一実施形態によるコイル電子部品の実装基板１０００は、コイル電子部品１００が実装された印刷回路基板１１００と、印刷回路基板１１００の上面で互いに離隔するように形成された第１及び第２電極パッド１１１０、１１２０と、を含む。

【0120】

このとき、上記コイル電子部品１００の両端面に形成された第１及び第２外部電極８１、８２がそれぞれ第１及び第２電極パッド１１１０、１１２０上に接触するように位置した状態で半田１１３０によって印刷回路基板１１００と電気的に連結されることができる。

【0121】

上記実装されたコイル電子部品１００の第１及び第２内部コイル部４１、４２は、上記印刷回路基板１１００の実装面Ｓ_Ｍに対して水平に配置される。

【0122】

上記説明を除き、上述の本発明の一実施形態によるコイル電子部品の特徴と重複する説明はここでは省略する。

【0123】

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有するものには明らかである。

【符号の説明】

【0124】

１００ コイル電子部品
１０００ 実装基板
１１００ 印刷回路基板
１１１０、１１２０ 第１及び第２電極パッド
１１３０ 半田
２０ 基板
２５ ベース導体層
３０ 絶縁膜
３１ カバー絶縁層
４１、４２ 第１及び第２コイル部
４５ ビア
５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ、５１ｅ、５１ｆ 磁性体シート
５０ 磁性体本体
５５ コア部
６１ めっき層
６２ 異方めっき層
７１ レジストパターン

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5a】

【図5b】

【図5c】

【図5d】

【図5e】

【図5f】

【図6】

【図7】