特開2017-85083半導体素子の製造方法及びその製造方法に用いられるプラズマエッチング装置

発明の名称　半導体素子の製造方法及びその製造方法に用いられるプラズマエッチング装置

出願人　ＳＰＰテクノロジーズ株式会社　（識別番号 511265154）

　　　　特許公開件数ランキング 14468 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 12296 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2017-85083

公報発行日　2017年5月18

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-A-2017-85083

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