特開2017-95319(P2017-95319A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特開2017-95319ＳｉＣ単結晶インゴットの製造方法及びＳｉＣ単結晶インゴット並びにＳｉＣ単結晶ウェハ
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