特開2018-138501(P2018-138501A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特開2018-138501希薄窒化物犠牲層を用いた化合物半導体薄膜の製造方法
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  • 特開2018138501-希薄窒化物犠牲層を用いた化合物半導体薄膜の製造方法 図000003
  • 特開2018138501-希薄窒化物犠牲層を用いた化合物半導体薄膜の製造方法 図000004
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