発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ここで、トレンチゲート構造の縦型ＭＯＳＦＥＴでは、上述のようにセルピッチを狭くすることができる。この場合、層間絶縁膜１１を平坦化して、被覆性をよくするため、層間絶縁膜１１として、ＢＰＳＧが用いられる。しかしながら、バリアメタル１２にＴｉＮを用いると、ＢＰＳＧとＴｉＮの熱膨張係数が異なるため、コンタクト電極１３をシリサイド化のために加熱すると、ＴｉＮの変形にＢＰＳＧの変形がついて行けず、ＢＰＳＧに裂け目やひび割れ等のクラックや剥離が生じてしまう。上述の特許文献１、２では、コンタクト電極１３の加熱でＢＰＳＧが変形することを考慮していないため、ＢＰＳＧにクラックや剥離が生じる可能性がある。クラックや剥離が生じるとソース電極１４とゲート電極１０との絶縁性が悪くなり、閾値電圧Ｖｔｈ変動が生じ半導体装置の特性が悪化する。 また、ＴｉＮの膜厚を薄くすると、ＴｉＮの変形が少なくなり、ＢＰＳＧがＴｉＮの変形に追従できクラックの発生を防止できる。また、ＴｉＮをバリアメタル１２に用いない場合でもＢＰＳＧのクラックや剥離の発生を防止できる。しかし、この場合、ＴｉＮが薄い、または、ＴｉＮがないため、Ｎｉシリサイドを形成する際の高温や熱またはＴｉ膜のエッチングのプラズマがゲート絶縁膜９に影響を与えることにより、閾値電圧Ｖｔｈ変動が生じ半導体装置の特性が悪化する。 この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、層間絶縁膜にＢＰＳＧを用いて、バリアメタルにＴｉＮを用いる際に、クラックや剥離の発生を防止して、閾値電圧Ｖｔｈ変動を抑制できる炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、層間絶縁膜にＢＰＳＧを用いて、バリアメタルにＴｉＮを用いる際に、クラックや剥離の発生を防止して、閾値電圧Ｖｔｈ変動を抑制できるという効果を奏する。