発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、洗浄プロセスに広く用いられるフッ酸を用いた場合、炭化珪素半導体表面に洗浄液成分であるフッ素（Ｆ）が残留する性質があることが報告されている（例えば、下記参考文献参照）。また、発明者らは、ＲＣＡ洗浄を用いた場合、塩素またはフッ素が炭化珪素半導体表面に残留することを把握した。特にトレンチ型の炭化珪素半導体装置では、トレンチ内部の洗浄液やリンス液を十分に循環できないため、トレンチの内部からフッ素または塩素がトレンチ外部より高い濃度で検出される傾向があることを把握した。さらに、フッ素または塩素はチャネル面となるトレンチ側面からも検出された。 （参考文献） 岡本 亮太他、「湿式プロセスにより得られた超平坦4H-SiC(0001)実用表面の原子構造解析」、２００６年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集、Ｐ．５３９〜Ｐ．５４０ また、トレンチの内面の酸化膜として、高温酸化膜を用いるため、トレンチ表面に残留したフッ素等の元素はトレンチ表面とデポ膜の界面に残留しやすい傾向がある。これらの元素は、後工程の熱処理により、チャネル部の炭化珪素内やゲート酸化膜内に取り込まれるだけでなく、素子外周部のパシベーション膜内に取り込まれることで、不純物準位を形成することが推定される。 また、表面処理方法としてプラズマを用いる方法では、物理的な衝撃により炭化珪素表面の不純物だけでなく、炭化珪素自身も取り除かれ、ダングリングボンドや空孔等が形成され、界面準位を形成することが推定される。また、表面処理方法として水素雰囲気による加熱処理では、温度により炭化珪素構成元素の再配列が発生し、不十分な移動によりダングリングボンドや空孔等が形成され、界面準位を形成することが推定される。 これらのフッ素または塩素等の不純物、不純物準位および界面準位により、炭化珪素半導体装置のキャリアの移動度の低下や、耐圧の不規則な低下などを引き起こしていると推定される。 この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、チャネル部への不純物混入を抑制し、キャリアの移動度が低下せず、耐圧を安定できる炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、チャネル部への不純物混入を抑制し、キャリアの移動度が低下せず、耐圧を安定できるという効果を奏する。