【図1】本発明の第１半導体装置の基本的な構成を説明する斜視図である。

【図2】図１のII−II方向から見た断面図である。

【図3】第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置の基本的な構成を説明する断面図である。

【図4】第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置の基本的な構成を説明する断面図である。

【図5】窒化ケイ素及び銅の、樹脂に対するせん断強度を示す図である。

【図6】第１実施形態の第３変形例に係る半導体装置のバッファ膜を説明する斜視図である。

【図7】平坦な銅板及びスリットを有する銅板の、封止部材に対するせん断強度を示す図である。

【図8】第１実施形態の第３変形例に係る半導体装置のバッファ膜を説明する斜視図である。

【図9】第１実施形態の第４変形例に係る半導体装置の基本的な構成を説明する断面図である。

【図10】第１実施形態の第５変形例に係る半導体装置の基本的な構成を説明する断面図である。

【図11】本発明の第２半導体装置の基本的な構成を説明する断面図である。

【図12】第２実施形態の第１変形例に係る半導体装置の基本的な構成を説明する断面図である。

【図13】第２実施形態の第１変形例に係る半導体装置の製造工程を説明する斜視図である。

【図14】第２実施形態の第１変形例に係る半導体装置の製造工程を説明する斜視図である。

【図15】第２実施形態の第１変形例に係る半導体装置の製造工程を説明する斜視図である。

【図16】第２実施形態の第１変形例に係る半導体装置の製造工程を説明する斜視図である。

【図17】第２実施形態の第２変形例に係る半導体装置の基本的な構成を説明する断面図である。

【図18】第２実施形態の第３変形例に係る半導体装置の基本的な構成を説明する断面図である。

【図19】第２実施形態の第３変形例に係る半導体装置の基本的な構成を説明する断面図である。

【図20】第２実施形態の第４変形例に係る半導体装置の基本的な構成を説明する断面図である。

【図21】第２実施形態の第５変形例に係る半導体装置の基本的な構成を説明する断面図である。

【図22】本発明の他の半導体装置の基本的な構成を説明する上面図である。

【図23】図２２のＡ−Ａ方向から見た断面図である。

【図24】本発明の他の半導体装置の基本的な構成を説明する断面図である。