発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかし、半導体装置１００では、図１０に示すように、基板１４０からはんだ１６のはみ出し部分１６ｃが流出するため、導電パターン１３ａとはんだ１６（はみ出し部分１６ｃ）との絶縁距離Ｌ２が短くなってしまう。絶縁距離Ｌ２が短くなると、導電パターン１３ａとはんだ１６（はみ出し部分１６ｃ）とが短絡して絶縁破壊が生じてしまうという問題点があった。 このような半導体装置１００において、絶縁距離Ｌ２を絶縁破壊が生じないように十分保つためには、導電パターン１３ａと絶縁板１１０との沿面距離Ｗ２を長くする必要がある。しかし、沿面距離Ｗ２を長くすると、基板１４０のサイズを拡張する必要が生じ、半導体装置１００の大型化に繋がるという問題点があった。 本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、小型化を図りつつ、絶縁破壊の発生を低減することができる半導体装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

開示の技術によれば、半導体装置の小型化を図りつつ、絶縁破壊の発生を低減して、半導体装置の信頼性の低下を防止することができる。