特開2018-186245IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

半導体チップのセンシング機能を有する半導体装置

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】設置面積を小さくでき、制御信号の内部配線距離を短くした半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、第一の絶縁回路基板と、複数の制御電極を備え、第一の絶縁回路基板上に配置された半導体チップと、導電部材を内壁もしくは端部外周に配置された複数の第一の貫通孔を備え、半導体チップの上方に配置された第二の絶縁回路基板と、第一の貫通孔に挿入され一端が半導体チップの制御電極に接続された柱状部分および他端が第一の貫通孔の内径よりも幅が長い頭部分を有する第一のピンと、を備える。
【選択図】図6

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

特許文献1は、チップ上のリードピンの間隔と、リードピンの他端の間隔は同じでありそのままではチップサイズを小さくできないという問題点があった(特許文献1の図16参照)。 また、特許文献2は、導体層の上に形成されたソルダレジスト層においてパッドに対応する部分にソルダレジスト層の厚さ方向で基板の内部方向に向かって開口面積が広がるように開口部を形成し、径大の頭部を有するT字状のピンのその頭部を開口部内に配置し、はんだによりピンを固定するため製造工程が複雑という問題があった。 また、特許文献3は、導電ピンの釘状の頭部と棒状部分との境界部分が露出しているため、導電ピンの棒状部分に横から圧力が加わった場合、該境界部分に応力が集中し破断する可能性が懸念される。 の課題を鑑み、本発明は、従来よりも設置面積を小さくでき、制御信号の内部配線距離を短くした半導体装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

目的を達成するため、本発明の半導体装置は、第一の絶縁回路基板と、複数の制御電極を備え前記第一の絶縁回路基板上に配置された半導体チップと、導電部材を内壁もしくは端部外周に配置された複数の第一の貫通孔を備え、前記半導体チップの上方に配置された第二の絶縁回路基板と、前記第一の貫通孔に挿入され、一端が前記半導体チップの制御電極に接続される柱状部分および他端が前記第一の貫通孔の内径よりも幅が長い頭・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明によれば、従来よりも設置面積を小さくでき、制御信号の内部配線距離を短くした半導体装置を提供できる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】図1は、本発明の一半導体装置の分解斜視図である。

【図2】図2は、本発明の一半導体装置の第二の絶縁回路基板を斜め下から見た図である。

【図3】図3は、本発明の一半導体装置の第二の絶縁回路基板の上面図である。

【図4】図4は、本発明の一半導体装置の第二の絶縁回路基板の下面を上側から透視した図である。

【図5】図5は、本発明の一半導体装置の第一の絶縁回路基板の上面図である。

【図6】図6は、図3に示した第二の絶縁回路基板のA−A断面を矢視した図である。

【図7】図7は、図6に示した第二の絶縁回路基板のA−A断面の別の態様を示した図である。

【図8】図8は、図6に示した第二の絶縁回路基板のA−A断面の別の態様を示した図である。

【図9】図9は、図6に示した第二の絶縁回路基板のA−A断面の別の態様を示した図である。

【図10】図10は、図4に示した第二の絶縁回路基板のB−B断面を矢視した図である。

【図11】図11は、本発明の一半導体装置の主な回路図である。

選択図 図6出願人が指定した本件の代表的な図

1 第一の絶縁回路基板   1a 第一の絶縁板   1b 第一の導電部材   1c 第二の導電部材   1d 第三の導電部材   1e 第四の導電部材   2a 上アームの半導体チップ(第一の半導体チップ)   2a1 上アームの半導体チップの制御電極パット   2b 下アームの半導体チップ(第二の半導体チップ)   2b1 下アームの半導体チップの制御電極パット   3 第二の絶縁回路基板   3a 絶縁層   3b 導電層   3c 第三の導電層   3d 第一の導電層   3e 貫通孔   3f 貫通孔   3g 貫通孔   3h 貫通孔(第三の貫通孔)   3i 貫通孔   3j 第二の導電層   3k 第四の導電層   4 筒状導電部材   5 T字型ピン(第一のピン)   6a 第一の主電極用ピン(第二のピン)   6b 第二の主電極用ピン(第二のピン)   7 外部導出用制御端子   8 導電性ブロック   9 導電性ブロック   10 導電性ブロック   11 導電性ブロック(P)   12 導電性ブロック(N)   13 導電性ブロック(U)   14 封止樹脂  

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