特開2018-190412ハイブリッドメモリにおける書き込み及びフラッシュ支援のためのメモリモジュール及びその動作方法
発明の名称 ハイブリッドメモリにおける書き込み及びフラッシュ支援のためのメモリモジュール及びその動作方法
出願人 三星電子株式会社 （識別番号 390019839）
特許公開件数ランキング 78 位（206件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 143 位（109件）（共同出願を含む）
公報番号 特開-2018-190412
公報発行日 2018年11月29
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2018-190412
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